Дерматом
Номер патенту: 20290
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Перепелиця Михайло Петрович, Панасюк Анатолій Миколайович, Коптюх Валерій Васильович
Формула / Реферат
Дерматом, що містить півциліндр, робочу поверхню півциліндра, вісь, на якій кріпиться рамка, плоский ніж, розташований на рамці, паралельній робочій поверхні, просвіт між ножем і робочою поверхнею півциліндра регулюється механізмом і кругом з поділками, який відрізняється тим, що робоча поверхня має лінійний рельєф.
Текст
Дерматом, що містить півциліндр, робочу поверхню півциліндра, вісь, на якій кріпиться рамка, плоский ніж, розташований на рамці, паралельній робочій поверхні, просвіт між ножем і робочою поверхнею півциліндра регулюється механізмом і кругом з поділками, який відрізняється тим, що робоча поверхня має лінійний рельєф. (19) (21) u200608250 (22) 24.07.2006 (24) 15.01.2007 (46) 15.01.2007, Бюл. № 1, 2007 р. (72) Коптюх Валерій Васильович, Перепелиця Михайло Петрович, Панасюк Анатолій Миколайович (73) ПРИВАТНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД "МЕДИЧНИЙ КОЛЕДЖ" 3 Комп’ютерна в ерстка В. Мацело 20290 4 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюDermatome
Автори англійськоюKoptiukh Valerii Vasyliovych, Perepelytsia Mykhailo Petrovych, Petrepelytsia Mykhailo Petrovych, Panasiuk Anatolii Mykolaiovych
Назва патенту російськоюДерматом
Автори російськоюКоптюх Валерий Васильевич, Перепелица Михаил Петрович, Панасюк Анатолий Николаевич
МПК / Мітки
МПК: A61B 17/322
Мітки: дерматом
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-20290-dermatom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Дерматом</a>
Попередній патент: Підсилювач класу е
Наступний патент: Схема імунізації для отримання моноклональних антитіл проти імуноглобулінів людини
Випадковий патент: Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників