Спосіб підготовки ґрунту, обробки насіння і сівби сафлору

Реферат: Спосіб підготовки ґрунту, обробки насіння і сівби сафлору, що включає подрібнення, загортання подрібненої соломи і стерні попередника в ґрунт на глибину 5…10 см, зяблеву оранку на глибину 20…30 см, підпосівне внесення мінеральних добрив, допосівне розпушування ґрунту не глибше 5 см, завантаження насіння у висівний агрегат, механізовану подачу насіння у висівний апарат агрегату, пунктирний висів насіння в ґрунт при ширині міжрядь 60…70 см з послідовним розміщенням рослин в рядку на віддалі 6…7 см, загортання насіння в ґрунт на глибину 5 см і прикривання його вологим ґрунтом в 2…4 см, причому в ньому додатково виконується передпосівна обробка насіння сумішшю, яка складається із інсектициду форс з витратою 1,6 л/т, регулятора росту вермістим Д з витратою 6,0 л/т, а висів насіння здійснюється з шириною міжрядь 45 см та віддаллю між рослинами в рядку 15 см. UA 82598 U (12) UA 82598 U UA 82598 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Спосіб належить до галузі сільського господарства і, зокрема до вирощування рослин багатоцільового призначення сафлору і може бути використаний при підготовці ґрунту, обробці насіння і його сівбі. Як показує багаторічний досвід вирощування сафлору, домінуючими чинниками, що впливають на його урожайність, є основний і передпосівний обробіток ґрунту, строки сівби, ширина міжрядь і відстань між рослинами в рядку. Відомий спосіб можливого ефективного підвищення урожайності сафлору включає технологічні операції подрібнення соломи і стерні попередника, загортання їх на глибину 5…10 см, зяблеву оранку на глибину 20…30 см, внесення під основний обробіток мінеральних добрив, до посівне розпушування ґрунту на глибину 5 см, завантаження насіння у бункер посівного агрегата, пунктирний висів з шириною міжрядь 60…70 см з розміщенням насіння на відстані між рослинами в рядку 6…7 см, загортання в ґрунт на глибину 5 см і прикривання вологим ґрунтом в 2…4 см (див. кн. Зінченко О.І., Салатенко В.Н., Білоножко М.А. Рослинництво: Підручник / за редакцією О.І. Зінченка. - К.: Аграрна освіта, 2001.-591 с, С. 416). Проте недоліком відомого способу, через низьку прибавку урожайності і пошкодження ґрунтовими шкідниками насіння і сходів, є мала ефективність і обмежена область застосування. Отже, відомий спосіб малоефективний і має обмежену область застосування. Тому, в основу корисної моделі поставлено задачу підвищення ефективності і розширення області застосування способу підготовки ґрунту, обробки насіння і сівби при вирощуванні сафлору. Для розв'язання даної задачі, відповідно до корисної моделі, суттєвими ознаками є те, що для запобігання шкоди насінню і сходам ґрунтовими шкідниками, додатково виконується обробка насіння сафлору сумішшю, яка складається із інсектициду форс з витратою 1,6 л/т, а для стимуляції росту - регулятора росту вермістим Д з витратою 6,0 л/т, а також здійснюється сівба з шириною міжрядь 45 см та віддалю між рослинами в рядку 15 см із забезпеченням 147 тисяч схожих насінин на 1 гектар. При такому способі за рахунок обробки інсектицидом запобігається вегетаційне обприскування, небажане при вирощуванні рослин для потреб медицини, а поєднання інсектициду з регулятором росту дає можливість для захисту екології довкілля, скоротити на 20 % норму витрати інсектициду, що в загальному сприяє отриманню дружніх сходів, зменшує пошкодження рослин і в цілому підвищує урожайність насіння сафлору. Відповідність критерію "новизна" запропонованому способу забезпечують операції "передпосівна обробка насіння сумішшю компонентів інсектициду форс в кількості 1,6 л/т і регулятора росту вермістим Д в кількості 6,0 л/т", "висів насіння здійснювати при ширині міжрядь 45 см та віддаллю між рослинами в рядку 15 см". Відповідність критерію "позитивний ефект" забезпечує нова сукупність дій, які складають запропонований спосіб і приводять до підвищення урожаю сафлору і до розширення області його застосування. У відомому аналозі операція "передпосівна обробка насіння сумішшю компонентів інсектициду форс в кількості 1,6 л/т і регулятора росту вермістим Д в кількості 6,0 л/т" і технологічна операція "висів насіння в ґрунт при ширині міжрядь 45 см та віддаль між рослинами в рядку 15 см" відсутні, що забезпечує запропонованому способу відповідність критерію "істотні відмінності". На представленому кресленні показана блок-схема, якою пояснюється послідовність виконання технологічних операцій, що реалізують даний спосіб. Відповідно до схеми запропонований спосіб включає в себе 12 блоків. В блоці 1 для основного обробітку ґрунту подрібнюється солома і стерня попередника. В блоці 2 подрібнена солома і стерня попередника загортається на глибину 5…10 см. В блоці 3 проводиться зяблева оранка на глибину 22…30 см. В блоці 4 під посівний обробіток вносяться мінеральні добрива. В блоці 5 виконується допосівне розпушування ґрунту на глибину 5 см. В блоці 6 передпосівна обробка сафлору сумішшю інсектициду форс і регулятора росту вермістим Д. В блоці 7 здійснюється завантаження в бункер посівного агрегата насіння сафлору. В блоці 9 з висівного апарата насіння пунктирним висівом механізовано вноситься в ґрунт шириною міжрядь 45 см. В блоці 10 воно послідовно розміщується на віддалі між рослинами в рядку 15 см. В блоці 11 насіння загортається в ґрунт на глибину 5 см, а в блоці 12 воно послідовно прикривається вологим ґрунтом в 2…4 см. Опис здійснення основних технологічних операцій запропонованого способу. За схемою в блоці 1 тракторним агрегатом подрібнюється солома і стерня попередника, після чого в блоці 2 подрібнені солома і стерня попередника тракторним агрегатом загортається на глибину 5…10 см. Після проведення загортання в блоці 3 орним тракторним агрегатом 1 UA 82598 U 5 10 виконується зяблева оранка залежно від ґрунтового покрову на глибину 20…30 см. Під посівний обробіток в блоці 4 вносяться мінеральні добрива і в блоці 5 виконується допосівне розпушування ґрунту на глибину 5 см. Перед висівом в блоці 6 насіння обробляється сумішшю інсектициду форс і регулятора росту вермістим Д. Оброблене насіння в блоці 7 механізовано або вручну завантажується в бункер посівного агрегату, звідки воно в блоці 8 механізовано надходить у висівний апарат агрегату. В блоці 9 з висівного апарата насіння, пунктирним висівом механізовано вноситься в ґрунт з шириною міжрядь 45 см з одночасним послідовним розміщенням в блоці 10 вздовж рядка на віддалі 15 см між насінинами, а в блоці 11 воно загортаючи ми пристроями загортається в ґрунт на глибину 5 см, після чого в блоці 12 послідовно прикривається вологим ґрунтом в 2…4 см. Урожайність насіння сафлору в порівнянні різних відомих способів і запропонованого наведено в таблиці. Таблиця Ширина міжрядь, см Віддаль між рослинами в 15 рядку, см Урожайність 4,5 ц/га 15 15 30 45 60 20 25 зо 15 20 25 30 20 25 30 15 20 25 30 3,5 3,1 9,9 7,9 6,6 5,6 11,9 9,2 8,2 6,6 10 7,9 6,8 5,5 2,9 15 Впровадження запропонованого способу підготовки ґрунту, обробки насіння і сівби сафлору, порівняно з відомими, дасть можливість: - підвищити ефективність способу за рахунок приросту урожайності 10,0 ц/га при ширині міжрядь 60 см до 11,9 ц/га при ширині міжрядь 45 см і віддалі між рослинами в рядку 15 см; - розширити область застосування в різних регіонах. 20 ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 25 30 Спосіб підготовки ґрунту, обробки насіння і сівби сафлору, що включає подрібнення, загортання подрібненої соломи і стерні попередника в ґрунт на глибину 5…10 см, зяблеву оранку на глибину 20…30 см, підпосівне внесення мінеральних добрив, допосівне розпушування ґрунту не глибше 5 см, завантаження насіння у висівний агрегат, механізовану подачу насіння у висівний апарат агрегату, пунктирний висів насіння в ґрунт при ширині міжрядь 60…70 см з послідовним розміщенням рослин в рядку на віддалі 6…7 см, загортання насіння в ґрунт на глибину 5 см і прикривання його вологим ґрунтом в 2…4 см, який відрізняється тим, що в ньому додатково виконується передпосівна обробка насіння сумішшю, яка складається із інсектициду форс з витратою 1,6 л/т, регулятора росту вермістим Д з витратою 6,0 л/т, а висів насіння здійснюється з шириною міжрядь 45 см та віддаллю між рослинами в рядку 15 см. 2 UA 82598 U Комп’ютерна верстка М. Мацело Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 3