Двотактний симетричний підсилювач струму
Номер патенту: 34462
Опубліковано: 11.08.2008
Автори: Азаров Олексій Дмитрович, Крупельницький Леонід Віталійович, Волков Валерій Петрович, Богомолов Сергій Віталійович
Формула / Реферат
Двотактний симетричний підсилювач струму, який містить джерело струму, резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, чотирнадцять біполярних n-p-n та чотирнадцять біполярних p-n-p транзисторів, один p-типу та один n-типу польових транзисторів, причому вхідну шину з'єднано з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з колекторами сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, бази сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з виводами джерела струму, а також з колекторами дев'ятого p-n-p і десятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери сьомого p-n-p і восьмого біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять першого p-n-p і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери дев'ятого p-n-p і двадцять першого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери десятого n-p-n і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, колектори першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з колекторами третього p-n-p і четвертого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з базами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з затворами першого p-типу і другого n-типу польових транзисторів відповідно, бази третього p-n-p і четвертого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами одинадцятого p-n-p і чотирнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами дванадцятого n-p-n і тринадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери третього p-n-p, одинадцятого p-n-p, п'ятнадцятого p-n-p, а також колектор дев'ятнадцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери четвертого n-p-n, чотирнадцятого n-p-n, шістнадцятого n-p-n, а також колектор двадцятого p-n-p біполярних
транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, витоки першого p-типу і другого n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, стоки першого p-типу і другого n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з базами дванадцятого n-p-n і дев'ятнадцятого n-p-n та тринадцятого p-n-p і двадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано, бази сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять п'ятого n-p-n і двадцять шостого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами дванадцятого n-p-n і тринадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять п'ятого n-p-n і двадцять шостого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано, емітери дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять сьомого n-p-n і двадцять восьмого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять сьомого і двадцять восьмого об'єднано та з'єднано з другими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з вихідною шиною, який відрізняється тим, що у нього введено двадцять дев'ятий n-p-n і тридцятий p-n-p біполярні транзистори, причому бази двадцять третього p-n-p і двадцять четвертого n-p-n біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з вхідною шиною, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, колектори двадцять третього p-n-p і двадцять четвертого n-p-n біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, емітери двадцять третього і двадцять четвертого n-p-n з'єднано з емітерами відповідно, бази першого та другого біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять дев'ятого і тридцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять дев'ятого p-n-p і тридцятого p-n-р біполярних транзисторів з'єднано з емітерами п'ятого p-n-p і шостого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, бази та колектори п'ятого p-n-р і шостого n-p-n біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу.
Текст
Двотактний симетричний підсилювач струму, який містить джерело струму, резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і ви хідну шини, шину н ульового потенціалу, чотирнадцять біполярних n-p-n та чотирнадцять біполярних p-n-p транзисторів, один p-типу та один n-типу польових транзисторів, причому вхідн у шин у з'єднано з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з колекторами сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, бази сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з виводами джерела струму, а також з колекторами дев'ятого p-n-p і десятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери сьомого p-n-p і восьмого біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять першого p-n-p і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери дев'ятого p-n-p і двадцять першого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери десятого n-p-n і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, колектори першого np-n і другого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з колекторами третього p-n-p і четвертого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з базами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з затворами першого p-типу і другого n-типу польових транзисторів відповідно, бази третього p-n-p і четвертого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами одинадцятого p-n-p і чотирнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами дванадцятого n-p-n і тринадцятого p-n-p біполярних транзисторів відпо 2 (19) 1 3 34462 4 двадцять дев'ятого і тридцятого p-n-p біполярних но з емітерами п'ятого p-n-p і шостого n-p-n біпотранзисторів відповідно, а також з колекторами лярних транзисторів відповідно, бази та колектори сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисп'ятого p-n-р і шостого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять дев'ятого p-n-p торів об'єднано та з'єднано з шиною нульового і тридцятого p-n-р біполярних транзисторів з'єднапотенціалу. Корисна модель відноситься до імпульсної техніки і може бути використана в аналоговоцифрових перетворювачах і цифрових вимірювальних приладах. Відомо двотактний симетричний підсилювач струму [Патент України №18599, НОЗК5/00, G05B1/00, бюл. №11, 2006p.], який містить коригуючий конденсатор, резистор зворотного зв'язку, джерело струму, шини додатного і від'ємного живлення, шину нульового потенціалу, вхідну і вихідну шини, двадцять вісім біполярних транзисторів, причому вхідну шину з'єднано з емітерами першого та др угого транзисторів та першими виводами резистора зворотного зв'язку і коригуючого конденсатора, базу першого транзистора з'єднано з базою та колектором п'ятого транзистора, а також з колектором сьомого транзистора, який в свою чергу підключений базою до бази та колектора дев'ятого транзистора, сьомий та дев'ятий транзистори підключені емітерами до шини додатного живлення, колектор та база десятого та база восьмого транзисторів об'єднані, емітери десятого та восьмого транзисторів з'єднані з шиною від'ємного живлення, колектор восьмого транзистора з'єднано з колектором і базою шостого транзистора та базою другого транзистора, емітери п'ятого та шостого транзисторів підключені до шини нульового потенціалу, колектор першого транзистора з'єднано з базою п'ятнадцятого транзистора, а також з колектором третього транзистора, колектор другого транзистора з'єднано з базою шістнадцятого та колектором четвертого транзисторів, базу третього транзистора з'єднано з колектором і базою одинадцятого транзистора, а також з колектором дванадцятого транзистора, базу четвертого транзистора з'єднано з колектором та базою чотирнадцятого транзистора, а також з колектором тринадцятого транзистора, емітери дванадцятого та тринадцятого транзисторів об'єднано, емітери сімнадцятого та вісімнадцятого транзисторів об'єднано емітери дев'ятнадцятого та двадцятого транзисторів об'єднано та з'єднано з вихідною шиною, а також з другими виводами резистора зворотного зв'язку і коригуючого конденсатора, емітери четвертого, чотирнадцятого та колектор двадцятого транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, емітери третього, одинадцятого та колектор дев'ятнадцятого транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, колектор двадцять першого транзистора з'єднано з базою двадцять третього транзистора, базу двадцять першого транзистора з'єднано з базою та колектором двадцять п'ятого транзистора та емітером двадцять третього транзистора, колектор двадцять третього транзистора з'єднано з базою та колектором сімнадцятого транзистора, а також з базою дев'ятна дцятого транзистора, колектор двадцять другого транзистора з'єднано з базою двадцять четвертого транзистора, базу двадцять другого транзистора з'єднано з базою та колектором двадцять шостого транзистора та емітером двадцять четвертого транзистора, колектор двадцять четвертого транзистора з'єднано з базою та колектором вісімнадцятого транзистора, а також з базою двадцятого транзистора, базу та колектор двадцять сьомого транзистора з'єднано з колектором п'ятнадцятого транзистора, а також з базою дванадцятого транзистора, базу та колектор двадцять восьмого транзистора з'єднано з колектором шістнадцятого транзистора, а також з базою тринадцятого транзистора, емітери двадцять сьомого та двадцять восьмого транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, джерело струму першим виводом з'єднано з базою та колектором дев'ятого транзистора, а також з базою сьомого транзистора, другий вивід джерела струму з'єднано з базою та колектором десятого транзистора, а також з базою восьмого транзистора. До недоліків слід віднести низьку точність завдання коефіцієнта передачі схеми, яка визначається низьким значенням коефіцієнта підсилення по струму при розірваній петлі зворотного зв'язку. За прототип обрано двотактний симетричний підсилювач струму [Патент України №23989, бюл. №8, 2007р.], який містить джерело струму, резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, чотирнадцять біполярних n-p-n та чотирнадцять біполярних p-n-p транзисторів, один p-типу та один nтипу польових транзисторів, причому вхідну шину з'єднано з емітерами двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази та колектори двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з емітерами першого n-p-n і другого pn-p біполярних транзисторів відповідно, а також з з'єднано з базами п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери п’ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, колектори п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами сьомого p-n-p восьмого n-pn біполярних транзисторів відповідно, бази сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з виводами джерела струму, а також з колекторами дев'ятого p-n-p і десятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери сьомого 5 34462 6 p-n-p і восьмого біполярних транзисторів з'єднано Поставлена задача досягається тим, що у з базами та колекторами двадцять першого p-n-p і двотактний симетричний підсилювач струму, який двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів містить джерело струму, резистор зворотного зв'явідповідно, емітери дев'ятого p-n-p і двадцять зку, коригуючий конденсатор, шини додатного та першого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з від'ємного живлення, вхідну і ви хідну шини, шину шиною додатного живлення, емітери десятого n-pнульового потенціалу, чотирнадцять біполярних nn і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів p-n та чотирнадцять біполярних p-n-p транзистоз'єднано з шиною від'ємного живлення, колектори рів, один p-типу та один n-типу польових транзиспершого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів, причому вхідн у шин у з'єднано з першими торів з'єднано з колекторами третього p-n-p І четвиводами резистора зворотного зв'язку та коригувертого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, ючого конденсатора, бази першого n-p-n і другого а також з базами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцяp-n-p біполярних транзисторів з'єднано з колектотого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а рами сьомого p-n-p восьмого n-p-n біполярних також з затворами першого p-типу і другого n-типу транзисторів відповідно, бази сьомого p-n-p і вопольових транзисторів відповідно, бази третього pсьмого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з n-p і четвертого n-p-n біполярних транзисторів виводами джерела струму, а також з колекторами з'єднано з базами та колекторами одинадцятого pдев'ятого p-n-p і десятого n-p-n біполярних транзиn-p і чотирнадцятого n-p-n біполярних транзисторів сторів відповідно, емітери сьомого p-n-p і восьмого відповідно, а також з колекторами дванадцятого nбіполярних транзисторів з'єднано з базами та коp-n і тринадцятого p-n-p біполярних транзисторів лекторами двадцять першого p-n-p і двадцять друвідповідно, емітери третього p-n-p, одинадцятого гого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, еміp-n-p, п'ятнадцятого p-n-p, а також колектор детери дев'ятого p-n-p і двадцять першого p-n-p в'ятнадцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єдбіполярних транзисторів з'єднано з шиною додатнано з шиною додатного живлення, емітери четвеного живлення, емітери десятого n-p-n і двадцять ртого n-p-n, чотирнадцятого n-p-n, шістнадцятого другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з n-p-n, а також колектор двадцятого p-n-p біполяршиною від'ємного живлення, колектори першого nних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного жиp-n і другого p-n-p біполярних транзисторів з'єднавлення, витоки першого p-типу і другого n-типу но з колекторами третього p-n-p і четвертого n-p-n польових транзисторів з'єднано з колекторами біполярних транзисторів відповідно, а також з бап'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярзами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n них транзисторів відповідно, стоки першого p-типу біполярних транзисторів відповідно, а також з заі другого n-типу польових транзисторів з'єднано з творами першого p-типу і другого n-типу польових колекторами сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого pтранзисторів відповідно, бази третього p-n-p і четn-p біполярних транзисторів відповідно, а також з вертого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами дванадцятого n-p-n і дев'ятнадцятого n-p-n базами та колекторами одинадцятого p-n-p і чота тринадцятого p-n-p і двадцятого p-n-p біполяртирнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відпоних транзисторів відповідно, емітери сімнадцятого відно, а також з колекторами дванадцятого n-p-n і n-p-n і вісімнадцятого p-n-p біполярних транзистотринадцятого p-n-р біполярних транзисторів відпорів об'єднано, бази сімнадцятого n-p-n і вісімнадвідно, емітери третього p-n-p, одинадцятого p-n-р, цятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з п'ятнадцятого p-n-р, а також колектор дев'ятнабазами та колекторами двадцять п'ятого n-p-n і дцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з двадцять шостого p-n-p біполярних транзисторів шиною додатного живлення, емітери четвертого nвідповідно, а також з емітерами дванадцятого n-pp-n, чотирнадцятого n-p-n, шістнадцятого n-p-n, а n і тринадцятого p-n-p біполярних транзисторів також колектор двадцятого p-n-р біполярних транвідповідно, емітери двадцять п'ятого n-p-n і двазисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, дцять шостого p-n-p біполярних транзисторів об'витоки першого p-типу і другого n-типу польових єднано, емітери дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятотранзисторів з'єднано з колекторами п'ятнадцятого го p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами p-n-р і шістнадцятого n-p-n біполярних транзистота колекторами двадцять сьомого n-p-n і двадцять рів відповідно, стоки першого p-типу і другого nвосьмого p-n-p біполярних транзисторів відповідтипу польових транзисторів з'єднано з колекторано, емітери двадцять сьомого n-p-n і двадцять воми сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-р біпосьмого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано та лярних транзисторів відповідно, а також з базами з'єднано з другими виводами резистора зворотнодванадцятого n-p-n і дев'ятнадцятого n-p-n та триго зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з надцятого p-n-р і двадцятого p-n-р біполярних травихідною шиною. нзисторів відповідно, емітери сімнадцятого n-p-n і Недоліком прототипу є низький коефіцієнт підвісімнадцятого p-n-р біполярних транзисторів об'силення, що обмежує галузь використання приєднано, бази сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого pстрою. n-р біполярних транзисторів з'єднано з базами та В основу корисної моделі поставлено задачу колекторами двадцять п'ятого n-p-n і двадцять створення двотактного симетричного підсилювача шостого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, струму, в якому за рахунок введення нових елеа також з емітерами дванадцятого n-p-n і тринаментів та зв'язків між ними збільшується коефіцідцятого p-n-р біполярних транзисторів відповідно, єнт підсилення, це розширює галузь використання емітери двадцять п'ятого n-p-n і двадцять шостого корисної моделі у різноманітних пристроях імпульp-n-р біполярних транзисторів об'єднано, емітери сної та обчислювальної техніки, автоматики тощо. дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого p-n-р біполярних транзисторів з'єднано з базами та колектора 7 34462 8 ми двадцять сьомого n-p-n ідвадцять восьмого pз шиною від'ємного живлення 40, колектори перn-р біполярних транзисторів відповідно, емітери шого n-p-n 15 і другого p-n-p 18 біполярних транзидвадцять сьомого і двадцять восьмого об'єднано сторів з'єднано з колекторами третього p-n-p 14 і та з'єднано з другими виводами резистора зворотчетвертого n-p-n 19 біполярних транзисторів відного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також повідно, а також з базами п'ятнадцятого p-n-p 28 і з вихідною шиною, введено двадцять дев'ятий n-pшістнадцятого n-p-n 33 біполярних транзисторів n і тридцятий біполярні транзистори, причому бази відповідно, а також з затворами першого p-типу 29 двадцять третього p-n-р і двадцять четвертого n-pі другого n-типу 32 польових транзисторів відповіn біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з дно, бази третього p-n-p 14 і четвертого n-p-n 19 вхідною шиною, а також з першими виводами ребіполярних транзисторів з'єднано з базами та козистора зворотного зв'язку та коригуючого конденлекторами одинадцятого p-n-p 20 і чотирнадцятого сатора, колектори двадцять третього p-n-р і дваn-p-n 25 біполярних транзисторів відповідно, а дцять четвертого n-p-n біполярних транзисторів також з колекторами дванадцятого n-p-n 21 і триоб'єднано та з'єднано з шиною нульового потенцінадцятого p-n-p 24 біполярних транзисторів відпоалу, емітери двадцять третього і двадцять четвервідно, емітери третього p-n-p 14, одинадцятого pтого n-p-n з'єднано з емітерами відповідно, бази n-p 20, п'ятнадцятого p-n-p 28, а також колектор першого та другого біполярних транзисторів з'єддев'ятнадцятого n-p-n 34 біполярних транзисторів нано з базами та колекторами двадцять дев'ятого і з'єднано з шиною додатного живлення 38, емітери тридцятого p-n-p біполярних транзисторів відповічетвертого n-p-n 19, чотирнадцятого n-p-n 25, дно, а також з колекторами сьомого p-n-p і восьмошістнадцятого n-p-n 33, а також колектор двадцяго n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітого p-n-p 37 біполярних транзисторів з'єднано з тери двадцять дев'ятого p-n-p і тридцятого p-n-p шиною від'ємного живлення 40, витоки першого pбіполярних транзисторів з'єднано з емітерами п'я типу 29 і другого n-типу 32 польових транзисторів того p-n-p і шостого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами п'ятнадцятого p-n-p 28 і відповідно, бази та колектори п'ятого p-n-p і шосшістнадцятого n-p-n 33 біполярних транзисторів того n-p-n біполярних транзисторів об'єднано та відповідно, стоки першого p-типу 29 і другого nз'єднано з шиною нульового потенціалу. типу 32 польових транзисторів з'єднано з колектоНа кресленні Фіг. представлено принципову рами сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого p-n-p схему дво тактного симетричного підсилювача 31 біполярних транзисторів відповідно, а також з струму. базами дванадцятого n-p-n 21 і дев'ятнадцятого nПристрій містить вхідну шину 4, яку з'єднано з p-n 34 та тринадцятого p-n-p 24 і двадцятого p-n-p базами двадцять третього n-p-n 16 і двадцять чет37 біполярних транзисторів відповідно, емітери вертого p-n-p 17 біполярних транзисторів відповідсімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого p-n-p 31 но, а також з першими виводами резистора зворобіполярних транзисторів об'єднано, бази сімнадтного зв'язку 26 та коригуючого конденсатора 27, цятого n-p-n 30 і вісімнадцятого p-n-p 31 біполярколектори двадцять третього n-p-n 16 і двадцять них транзисторів з'єднано з базами та колекторачетвертого p-n-p 17 біполярних транзисторів об'ми двадцять п'ятого n-p-n 22 і двадцять шостого pєднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу n-p 23 біполярних транзисторів відповідно, а також 9, емітери двадцять третього n-p-n 16 і двадцять з емітерами дванадцятого n-p-n 21 і тринадцятого четвертого p-n-p 17 біполярних транзисторів з'єдp-n-р 24 біполярних транзисторів відповідно, емінано з емітерами першого n-p-n 15 і другого p-n-p тери двадцять п'ятого n-p-n 22 і двадцять шостого 18 біполярних транзисторів відповідно, бази та p-n-р 23 біполярних транзисторів об'єднано, емітеколектори п'ятого n-p-n 8 і шостого p-n-p 10 біпори дев'ятнадцятого n-p-n 34 і двадцятого p-n-р 37 лярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шибіполярних транзисторів з'єднано з базами та коною нульового потенціалу 9, емітери п'ятого n-p-n лекторами двадцять сьомого n-p-n 35 і двадцять 8 і шостого p-n-p 10 біполярних транзисторів з'єдвосьмого p-n-р 36 біполярних транзисторів відпонано з емітерами двадцять дев'ятого n-p-n 7 і тривідно, емітери двадцять сьомого n-p-n 35 і двадцядцятого p-n-p 11 біполярних транзисторів відповіть восьмого p-n-р 36 біполярних транзисторів об'дно, бази та колектори двадцять дев'ятого n-p-n 7 і єднано та з'єднано з другими виводами резистора тридцятого p-n-p 11 біполярних транзисторів об'зворотного зв'язку 26 та коригуючого конденсатора єднано та з'єднано з базами першого n-p-n 15 і 27, а також з вихідною шиною 39. другого p-n-p 18 біполярних транзисторів відповідПристрій працює таким чином. но, а також з колекторами сьомого p-n-p 6 восьмоВхідний сигнал у вигляді струму поступає на го n-p-n 12 біполярних транзисторів відповідно, вхідн у шину 4. Якщо вхідний стр ум втікає у схему, бази сьомого p-n-p 6 і восьмого n-p-n 12 біполярто двадцять четвертий n-p-n 17 біполярний транних транзисторів з'єднано з виводами джерела зистор привідкривається, а двадцять третій p-n-р струму 2, а також з колекторами дев'ятого p-n-p 1 і 16 біполярний транзистор призакривається, відподесятого n-p-n 3 біполярних транзисторів відповідвідно другий p-n-р 18 біполярний транзистор прино, емітери сьомого p-n-p 6 і восьмого 12 біполярвідкривається, а перший n-p-n 15 біполярний транних транзисторів з'єднано з базами та колекторазистор призакривається. Відповідно шістнадцятий ми двадцять першого p-n-p 5 і двадцять другого nn-p-n 33 біполярний та другий n-типу 32 польовий p-n 13 біполярних транзисторів відповідно, емітери транзистори привідкриваються, а п'ятнадцятий pдев'ятого p-n-p 1 і двадцять першого p-n-p 5 біпоn-р 28 біполярний та перший p-типу 29 польовий лярних транзисторів з'єднано з шиною додатного транзистори призакриваються. При цьому потенціживлення 38, емітери десятого n-p-n 3 і двадцять ал точки об'єднання емітерів сімнадцятого n-p-n 30 другого n-p-n 13 біполярних транзисторів з'єднано і вісімнадцятого p-n-р 31 біполярних транзисторів 9 34462 10 зменшується і прямує до - Еж. При цьому вихід Третій p-n-p 14 та одинадцятий p-n-p 20, а тапристрою відслідковує потенціал об'єднання емікож четвертий n-p-n 19 та чотирнадцятий n-p-n 25 терів сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого p-n-р біполярні транзистори являють собою відбивачі 21 біполярних транзисторів і також зменшується та струму, які завдають струм зміщення для парафанаближається до - Еж. зних відбивачів стр уму, що побудовані на дванадЯкщо вхідний струм втікає зі схеми, то двадцяцятому n-p-n 21, двадцять п'ятому n-p-n 22, сімнать четвертий n-p-n 17 біполярний транзистор придцятому n-p-n 30, а також на тринадцятому p-n-p закривається, а двадцять третій p-n-р 16 біполяр24, двадцять шостому p-n-p 23, вісімнадцятому pний транзистор привідкривається, відповідно n-p 31 біполярних транзисторах. другий p-n-р 18 біполярний транзистор призакриП'ятнадцятий p-n-p 28 біполярний та перший вається, а перший n-p-n 15 біполярний транзистор p-типу 29 польовий, а також шістнадцятий n-p-n 33 привідкривається. Відповідно шістнадцятий n-p-n біполярний та другий n-типу 32 польовий транзис33 біполярний та другий n-типу 32 польовий трантори утворюють підсилювальні каскади. Викорисзистори призакриваються, а п'ятнадцятий p-n-р 28 тання першого p-типу 29 та другого n-типу 32 біполярний та перший p-типу 29 польовий транзипольових транзисторів у каскадному вмиканні застори привідкриваються. При цьому потенціал безпечує режим автоматичного завдання робочої точки об'єднання емітерів сімнадцятого n-p-n 30 і точки та значно підвищує ви хідний опір підсилювісімнадцятого p-n-p 31 біполярних транзисторів вальних каскадів, що призводить до підвищення збільшується і прямує до Еж. При цьому вихід приточності роботи схеми за умови змінення напруги строю відслідковує потенціал об'єднання емітерів живлення, а також збільшення підсилення схеми. сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого p-n-p 21 Коригуючий конденсатор 27 коригує АЧХ і забіполярних транзисторів і також збільшується та побігає генерації. Резистор зворотного зв'язку 26 наближається до Еж. задає коефіцієнт підсилення. Джерело струму 2 та дев'ятий 1, двадцять пеСімнадцятий n-p-n 30, дев'ятнадцятий n-p-n 34 рший p-n-p 5, сьомий p-n-p 6, двадцять дев'ятий nі двадцять сьомий n-p-n 35, а також вісімнадцятий p-n 7, п'ятий p-n-p 8, а також десятий n-p-n 3, дваp-n-p 31, двадцятий p-n-p 37 і двадцять восьмий pдцять другий n-p-n 13, восьмий n-p-n 12, тридцяn-p 36 біполярні транзистори утворюють двотакттий p-n-p 11, шостий n-p-n 10 біполярні транзистоний симетричний вихідний каскад. Двадцять сьори утворюють схему завдання режиму по мий n-p-n 35 та восьмий p-n-p 36 біполярні транзипостійному струму. стори у діодному вмиканні забезпечують Перший n-p-n 11 та другий p-n-p 12 біполярні необхідний струм зміщення у ви хідному каскаді. транзистори в поєднанні з двадцять третім p-n-p Шини додатного 38 і від'ємного 40 живлення, а 16 і двадцять четвертим n-p-n 24 біполярними також шина нульового потенціалу 9 забезпечують транзисторами утворюють двотактний симетричпотрібний рівень напруги для живлення схеми. ний вхідний каскад, що забезпечує збільшення коефіцієнту схеми. 11 Комп’ютерна в ерстка В. Мацело 34462 Підписне 12 Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюPush-pull symmetric current amrlifier
Автори англійськоюAzarov Oleksii Dmytrovych, Bohomolov Serhii Vitaliiovych, Krupelnytskyi Leonid Vitaliiovych, Volkov Valerii Petrovych
Назва патенту російськоюДвухтактный симметричный усилитель тока
Автори російськоюАзаров Алексей Дмитриевич, Богомолов Сергей Витальевич, Крупельницкий Леонид Витальевич, Волков Валерий Петрович
МПК / Мітки
Мітки: симетричний, двотактний, підсилювач, струму
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/6-34462-dvotaktnijj-simetrichnijj-pidsilyuvach-strumu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Двотактний симетричний підсилювач струму</a>
Попередній патент: Пристрій для оброблення чисел масиву
Наступний патент: Стенд для дослідження моделі гнучкого огородження судна на повітряній подушці
Випадковий патент: Текуча шортенінгова композиція