Патенти з міткою «inas-ingaas»
Спосіб виготовлення активних елементів з p-n- або n-p-переходом на основі inas-ingaas
Номер патенту: 88834
Опубліковано: 25.11.2009
Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Кабацій Василь Миколайович
МПК: H01L 33/00, H01L 21/00
Мітки: основі, n-p-переходом, елементів, inas-ingaas, активних, виготовлення, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення активних елементів з p-n- або n-р-переходом на основі InAs-lnGaAs, який включає приготування насиченого розчину-розплаву індій-галій-миш'як, приведення його в контакт з лицевою стороною підкладки із арсеніду індію, вимушене охолодження системи, формування p-n- або n-р-переходів, який відрізняється тим, що приготування насиченого розчину-розплаву ідентичного складу здійснюють одночасно на двох підкладках арсеніду індію...
Спосіб виготовлення активних елементів 3 p-n- або n-p- переходом на основі inas-ingaas
Номер патенту: 34592
Опубліковано: 11.08.2008
Автори: Кабацій Василь Миколайович, Блецкан Дмитро Іванович
МПК: H01L 21/00, H01L 33/00
Мітки: спосіб, переходом, активних, виготовлення, основі, елементів, inas-ingaas
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення активних елементів з р-n- або n-p-переходами на основі InAs-ІnGaAs, який включає приготування насиченого розчину-розплаву індій-галій-миш'як, приведення його в контакт з лицевою стороною підкладки із арсеніду індію, вимушеного охолодження системи, формування р-n- або n-р-переходів, який відрізняється тим, що приготування насиченого розчину-розплаву однакового складу проводять одночасно на двох підкладках арсеніду індію...