Патенти з міткою «колоноподібної»

Номер патенту: 104406

Опубліковано: 25.01.2016

Автори: Онищенко Вячеслав Григорович, Гонтар Василь Терентійович

МПК: A01H 4/00

Мітки: формування, крони, спосіб, шовковиці, колоноподібної, morus

Формула / Реферат:

Спосіб формування колоноподібної крони шовковиці, що включає штамб дерева висотою 0,4-0,6 м, який відрізняється тим, що крону діаметром 2,0-2,3 м формують із однорічних пагонів, які виростають на 10-12 см ріжках, розміщених через 20-22 см один від одного до висоти 2,7-3,0 м, на якій стовбур зрізують на боковий пагін.

Номер патенту: 104405

Опубліковано: 25.01.2016

Автори: Гонтар Василь Терентійович, Онищенко Вячеслав Григорович

МПК: A01H 4/00

Мітки: формування, крони, аличі, колоноподібної, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування колоноподібної крони аличі, що включає штамб дерева висотою 40-60 см, який відрізняється тим, що крону діаметром 1,4-1,6 м формують із однорічних пагонів, які виростають на коротких (7-9 см) багаторічних сучках, розміщених через 12-15 см по всій довжині центрального провідника рослини до висоти 2,1-2,5 м, який зрізують на боковий пагін.

Номер патенту: 98088

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Мазур Борис Миколайович, Гонтар Василь Терентійович, Душейко Андрій Петрович

МПК: A01G 1/00, A01H 4/00

Мітки: колоноподібної, спосіб, сливи, крони, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування колоноподібної крони сливи, що включає штамб висотою 60-70 см і центральний провідник, який відрізняється тим, що крону діаметром 1,5-1,8 м формують із одно- дворічних пагонів, розташованих на коротких (8-10 см) багаторічних сучках, які розташовані рівномірно по спіралі через 15-20 см один від одного по всій довжині центрального провідника рослини до висоти 2,3-2,6 м.

Номер патенту: 91716

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Мазур Борис Миколайович, Сіленко Володимир Олександрович, Корчмарюк Наталя Василівна, Гонтар Василь Терентійович

МПК: A01G 1/00

Мітки: спосіб, персика, колоноподібної, крони, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування колоноподібної крони персика, що включає штамб персика заввишки 40-50 см, який відрізняється тим, що крону діаметром 1,4-1,7 м формують із бічних однорічних пагонів, які виростають на коротких (5-7 см) багаторічних сучках, розміщених рівномірно через 15-18 см по всій довжині центрального провідника рослини до висоти 1,8-2,0 м.

Номер патенту: 91715

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Гонтар Василь Терентійович, Андрусик Юрій Юрійович, Шевчук Наталія Василівна

МПК: A01G 1/00, A01H 4/00

Мітки: спосіб, крони, колоноподібної, абрикоса, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування колоноподібної крони абрикоса, що включає штамб абрикоса висотою 60-70 см, який відрізняється тим, що крону діаметром 1,6-2,0 м формують із однорічних пагонів, розташованих на коротких (5-7 см) багаторічних сучках, розміщених через 15-20 см по всій довжині центрального провідника рослини до висоти 2,2-2,5 м.