Патенти з міткою «післяукісного»

Номер патенту: 41030

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Гамаюнова Валентина Василівна, Гусев Микола Гаврилович, Резаєв Андрій Олександрович

МПК: A01B 79/02

Мітки: землях, соняшника, зрошуваних, спосіб, післяукісного, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування післяукісного соняшника на зрошуваних землях, ягий включає основний обробіток грунту, внесення мінеральних добрив, сівбу догляд за посівом, режим зрошення та збір урожаїю, який відрізняється тим що мінеральні добрива вносять безпосередньо під післяукісний соняшник після збирання озимо­го жита у дозі N109, чизелювання на глибину 18-20 см, водозберігаючий режим зрошення /2 поливи/ поливною нормою 400 м3/га.