Барасюк Ярослав Миколайович

Номер патенту: 85098

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Махній Віктор Петрович, Барасюк Ярослав Миколайович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: фотоелемента, гетеропереходом, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотоелемента з гетеропереходом CdTe/CdS, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок n-CdS та їх відпал у парі Те при температурі 800-1000 К, який відрізняється тим, що відпал проводять у відкачаній до 10-4 Торр кварцовій ампулі.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що відпал проводиться у присутності шихти складу Те:СdТе:Li2СО3=3:1:0,1, при температурі 820±20 К.