Габелков Сергій Володимирович

Номер патенту: 70508

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Тарасов Ростислав Васильович, Миронова Алла Григорівна, Габелков Сергій Володимирович, Логвінков Дмитро Сергійович, Полтавцев Микола Сергійович

МПК: G21F 9/34

Мітки: радіоактивних, капсулювання, спосіб, відходів

Формула / Реферат:

(21) 20031110380 (57) Спосіб капсулювання радіоактивних відходів, що включає виготовлення матеріалу, що оточує радіоактивні відходи, шляхом змішування частинок речовин, які містять гірські породи та мінерали, формування із суміші заготовок у вигляді днища, кільцевих елементів та кришки, спікання заготовок, розміщення заготовок у металевому контейнері, розташування радіоактивних відходів усередині заготовок, герметизацію...

Номер патенту: 52494

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Ажажа Жанета Сергіївна, Саєнко Сергій Юрійович, Габелков Сергій Володимирович, Холомєєв Геннадій Олександрович, Пилипенко Олександр Васильович, Тарасов Ростислав Васильович

МПК: G21F 9/04

Мітки: відходів, капсулювання, спосіб, радіоактивних

Формула / Реферат:

Спосіб капсулювання радіоактивних відходів, який включає виготовлення матеріалу, що оточує радіоактивні відходи, розміщення матеріалу разом із радіоактивними відходами у металевому контейнері, герметизацію металевого контейнера, діяння на герметичний металевий контейнер гарячим ізостатичним пресуванням, який відрізняється тим, що матеріал, що оточує радіоактивні відходи, отримують шляхом змішування частинок стабільних гірських порід та...

Номер патенту: 3644

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Габелков Сергій Володимирович, Гончар Микола Іванович, Сурков Олександр Євгенович, Саєнко Сергій Юрійович

МПК: C23C 10/06

Мітки: зміцнювального, поверхні, спосіб, покриття, металевій, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання зміцнювального покриття на металевій поверхні, який включає дію на металеву поверхню плазмою тліючого ВЧ-розряду, який створюють у робочій камері, з одночасним пропусканням крізь робочу камеру робочого газу, який активують, який відрізняється тим, що тліючий ВЧ-розряд створюють на частоті 40-150 МГц.2. Спосіб за п.1, який відрізняється тим, що тліючий ВЧ-розряд створюють ємнісного типу.