H01L 31/167 — напівпровідникові прилади – джерела світла і прилади, чутливі до випромінювання – відмінні наявністю щонайменше одного потенційного або поверхневого бар’єру

Номер патенту: 90959

Опубліковано: 10.06.2014

Автор: Пеленський Роман Андрійович

МПК: H01L 31/167

Мітки: сонячних, спосіб, шарів, фотоелектричних, вуглецевих, елементів, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування фотоелектричних шарів вуглецевих сонячних елементів, який полягає в тому, що на границі р- та n-областей провідності напилюють пошарово з напівпровідникового матеріалу або графену з додаванням акцепторної домішки невисокої концентрації і гідрогенізацією кожного шару графену, поверх р-області напилюють високолеговану плівку n-типу провідності, гідрогенізовану у випадку графену, поверх областей р- та n-типу провідностей...

Номер патенту: 100796

Опубліковано: 25.01.2013

Автор: Пеленський Роман Андрійович

МПК: H01L 31/167

Мітки: сонячний, елемент

Формула / Реферат:

Сонячний елемент, який складається з двох фотоелектричних шарів з електронно-дірковим переходом в околі їхньої границі, який відрізняється тим, що фотоелектричні шари розміщені між графеновими струмовиводами, причому фотоелектричні шари виконані з графану.