Лазер Петро Нарцисович
Спосіб формування продуктивного стеблостою сафлору красильного в умовах півдня україни
Номер патенту: 73056
Опубліковано: 10.09.2012
Автори: Нижеголенко Віктор Михайлович, Лазер Петро Нарцисович, Прошина Ірина Олександрівна, Рудік Олександр Леонідович
МПК: A01B 79/00
Мітки: півдня, україни, стеблостою, формування, умовах, сафлору, спосіб, продуктивного, красильного
Формула / Реферат:
Спосіб формування продуктивного стеблистою сафлору красильного в умовах півдня України, що включає основний обробіток ґрунту, спосіб посіву та норму висіву насіння, догляд за посівами та збирання врожаю, який відрізняється тим, що сівбу сафлору красильного необхідно проводять з міжряддям 12,5 см при нормі висіву встановлену із розрахунку 210 тис. рослин/га.
Спосіб контролю рівня наявності бур’янистого компоненту в посівах сафлору красильного
Номер патенту: 73055
Опубліковано: 10.09.2012
Автори: Рудік Олександр Леонідович, Найдьонов Віктор Григорович, Лазер Петро Нарцисович, Прошина Ірина Олександрівна
МПК: A01B 79/00, A01P 13/00
Мітки: рівня, посівах, наявності, бур'янистого, сафлору, красильного, спосіб, контролю, компоненту
Формула / Реферат:
Спосіб контролю рівня наявності бур'янистого компоненту в посівах сафлору красильного, що включає передпосівний комплекс обробітку ґрунту, який відрізняється тим, що на суцільних посівах при передпосівному обробітку застосовують один із ґрунтовних гербіцидів: Гезагард 500 нормою 3 л/га, Стомп нормою 4 л/га, Гоал 2Е нормою 1 л/га.
Спосіб вирощування чини посівної при зрошенні
Номер патенту: 6739
Опубліковано: 16.05.2005
Автори: Лазер Петро Нарцисович, Минкін Микола Васильович, Ушкаренко Віктор Олександрович, Лавренко Сергій Олегович
МПК: A01B 79/02
Мітки: посівної, чини, зрошенні, вирощування, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування чини посівної при зрошенні, який включає основний та передпосівний обробіток ґрунту, посів, догляд за посівами та збирання врожаю, який відрізняється тим, що мінеральні добрива вносять дозою N60Р90 кг/га діючої речовини під оранку на глибину 20-22 см, сівбу проводять при температурі ґрунту на глибині загортання насіння 4-5°С, нормою висіву 1,5 млн. насінин/га із шириною міжряддя 15 см.