Мельник Віктор Павлович

Номер патенту: 115174

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Мельник Віктор Павлович, Сабов Томаш Мар'янович, Оберемок Олександр Степанович, Федулов Віктор Васильович, Романюк Андрій Борисович, Сафрюк Надія Володимирівна, Кладько Василь Петрович, Голтвянський Юрій Васильович

МПК: H01L 31/18, H01L 21/265

Мітки: антимоніді, індію, виготовлення, фотодіодів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів, який включає створення на поверхні антимоніду індію 1-го типу провідності з концентрацією легуючих атомів не більше 3·1015 см-3 локальних областей р-n переходу шляхом імплантації іонів, які дозволяють створити 2-ий тип провідності в приповерхневій області підкладки, нанесення маски за допомогою якої долеговують області 1-го типу провідності до концентрації 1017-1019 см-3, зняття маски, після чого...

Номер патенту: 105847

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Коркішко Роман Михайлович, Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович, Костильов Віталій Петрович

МПК: H02J 7/35, H01L 31/042

Мітки: малопотужної, польових, зарядки, пристрій, мобільній, умовах, живлення, апаратури

Формула / Реферат:

1. Мобільний пристрій для живлення і зарядки малопотужної апаратури в польових умовах, що містить напівпровідниковий фотоелектричний модуль і стабілізатор постійної напруги, вхід якого з'єднаний з напівпровідниковим фотоелектричним модулем, буферний акумулятор та вихідний роз'єм, який відрізняється тим, що пристрій додатково містить два блокуючих діоди Шотткі, один з яких послідовно включений між стабілізатором постійної напруги і буферним...

Номер патенту: 78989

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Гамов Дмитро Вікторович, Малютенко Володимир Костянтинович, Нікірін Віктор Андрійович, Богатиренко Вячеслав Валерійович, Мельник Віктор Павлович, Хацевич Ігор Мирославович, Малютенко Олег Юрійович, Кирюша Олексій Іванович

МПК: G01N 21/00, G01R 31/308

Мітки: матеріали, спосіб, безконтактного, легованих, виявлення, областей, напівпровідниковому

Формула / Реферат:

Спосіб безконтактного виявлення легованих областей в напівпровідниковому матеріалі, що включає визначення розподілу концентрації вільних носіїв заряду по поверхні зразка, який відрізняється тим, що зразок нагрівають до температури 50-200 °С і з допомогою тепловізійної камери реєструють розподіл по поверхні зразка густини потоку теплового інфрачервоного випромінювання в області за краєм фундаментального поглинання даного напівпровідника, який...

Номер патенту: 62706

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Голтвянський Юрій Васильович, Хацевич Ігор Мирославович, Романюк Борис Миколайович, Попов Валентин Георгійович, Гудименко Олександр Йосипович, Оберемок Олександр Степанович, Мельник Віктор Павлович, Нікірін Віктор Андрійович

МПК: G02F 1/015

Мітки: виготовлення, діоксиду, термохромної, ванадію, магнетронного, плівки, розпилення, методом, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термохромної плівки діоксиду ванадію, який включає нанесення на підігріту до 200-250 °С підкладку у вакуумній камері шару аморфного оксиду ванадію і його кристалізацію шляхом термічного відпалу, який відрізняється тим, що шар аморфного оксиду ванадію наносять шляхом магнетронного розпорошення ванадієвої мішені в середовищі газової суміші Аr та О2, вміст якого складає 3-7 %, зі швидкістю напилення 5-15 нм/хв., а термічний...

Номер патенту: 39868

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Романюк Борис Миколайович, Хацевич Ігор Мирославович, Мельник Віктор Павлович, Мельник Павло Вікентієвич, Попов Валентин Георгійович

МПК: H01L 29/00, H01L 21/00

Мітки: виготовлення, фотолюмінесцентної, кремнієвої, нанокластерної, спосіб, структури

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає напилення на Si підкладку, методом термічного розпилення мішені, плівки SiOx (x=1,4-1,6), формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері Аr та низькотемпературний відпал в атмосфері, що містить азот, який відрізняється тим, що спочатку проводять формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері аргону при температурі 1050-1200 °С впродовж...

Номер патенту: 85477

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Гамов Дмитро Вікторович, Хацевич Ігор Мирославович, Попов Валентин Георгійович, Оберемок Олександр Степанович, Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович

МПК: H01L 29/00, H01L 21/00

Мітки: структури, фотолюмінесцентної, кремнієвої, виготовлення, спосіб, нанокластерної

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає нанесення на Si підкладку методом плазмохімічного осадження з газової фази плівки SiOx із показником заломлення n від 1,5 до 1,78 та відпал отриманої структури в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що перед відпалом в плівку SiOx методом іонної імплантації вводять іони Аl+, дози яких складають від 0,4х1016 до 1,15х1016 іонів/см2, а відпал...

Номер патенту: 37744

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Попов Валентин Георгійович, Литовченко Володимир Григорович, Клюй Микола Іванович, Марченко Ростислав Іванович, Романюк Борис Миколайович, Горбулик Володимир Іванович, Мельник Віктор Павлович

МПК: H01L 21/322, H01L 21/265

Мітки: гетерування, домішок, спосіб, рекомбінаційно-активних, кремнії

Текст:

...Ge товщиною 75-500 нм може застосовуватись термічне, електроннопроменеве або магнетронне напилення. Товщина плівки і енергія імплантації іонів інертного газу розраховуються виходячи з умови, щоб середній проекційний пробіг іонів складав ~0,8 товщини плівки германію, чим досягається необхідний ефект перемішування. Температура відпалу знаходиться в інтервалі 900-950°С, час відпалу - не менше 30 хв, що з умовлене необхідністю забезпечення...