Студеняк Ігор Петрович

Номер патенту: 115898

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Бендак Андрій Васильович, Тімко Мілан, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер, Пал Юрій Олександрович, Ковальчук Олександр Васильович

МПК: G02F 1/13

Мітки: основі, 6св, композита, рідкого, нематичного, спосіб, одержання, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композита на основі нематичного рідкого кристала 6СВ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперіонного провідника.

Номер патенту: 121570

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Куцик Михайло Михайлович, Бендак Андрій Васильович, Куш Петер

МПК: G01T 1/00

Мітки: плівки, міді, рентгенівського, випромінювання, реєстрації, матеріалу, тонкої, основі, йодид-пентаселенофосфату, cu6pse5i, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 121566

Опубліковано: 11.12.2017

Автори: Мікула Маріан, Бендак Андрій Васильович, Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: основі, реєстрації, міді, матеріалу, застосування, випромінювання, cu6ps5i, плівки, рентгенівського, йодид-пентатіофосфату, тонкої

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для тонкої плівки, що проявляє чутливість до рентгенівського випромінювання, для сенсора рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 115627

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Макауз Іван Іванович, Куцик Михайло Михайлович, Кокенєші Олександр Олександрович, Молнар Золтан Рудольфович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G03C 1/705

Мітки: інформації, тонких, пучка, електронного, матеріалу, допомогою, плівках, запису, системі, застосування, ag-as-s

Формула / Реферат:

Застосування матеріалу системи Ag-As-S, що має хімічну формулу (Ag3AsS3)0,6(As2S3)0,4, як матеріалу для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка.

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/04, C30B 13/00 ...

Мітки: твердих, розчинів, спосіб, спрямовано, розплаву-розчину, вирощування, кристалізації, складу, методом, cu1-xagx)7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Номер патенту: 120377

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Бендак Андрій Васильович

МПК: G01T 7/02, G01T 5/10

Мітки: випромінювання, міді, рентгенівського, плівки, тонкої, йодид-пентатіогерманату, cu7ges5i, реєстрації, основі, застосування, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування тонкої плівки на основі йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для реєстрації рентгенівського випромінювання.

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: вирощування, методом, кристалізації, спосіб, спрямовано, cu7ges5i, розплаву-розчину

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46, C30B 1/06 ...

Мітки: вирощування, кристалізації, спосіб, розплаву-розчину, спрямовано, методом, ag7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 114865

Опубліковано: 10.08.2017

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Куш Петер, Рибак Стефан Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Мікула Маріан

МПК: H01M 6/18, C23C 14/35

Мітки: міді, джерела, одержання, спосіб, йодид-пентатіофосфату, основі, cu6ps5i, матеріалу, плівок, високопровідних, тонких, енергії, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу пресованого порошку Cu6PS5I, а в іншому мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 13/04, C30B 9/00, C30B 13/00 ...

Мітки: спрямовано, спосіб, розчину, ag7ges5i, кристалізації, методом, вирощування, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 113234

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Молнар Золтан Рудольфович, Куцик Михайло Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Неймет Юрій Юрійович, Макауз Іван Іванович, Кокенєші Олександр Олександрович

МПК: G03C 1/705, C03C 3/00

Мітки: електронного, пучка, плівках, допомогою, системі, запису, ag-as-s, основі, тонких, матеріал, інформації

Формула / Реферат:

Матеріал на основі системи Ag-As-S для запису інформації в тонких плівках за допомогою електронного пучка, який відрізняється тим, що містить в своєму хімічному складі, поряд з елементами As і S додатково метал Ag та має хімічну формулу (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4 і є іонним провідником.

Номер патенту: 112612

Опубліковано: 26.12.2016

Автори: Куш Петер, Мікула Маріан, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Рибак Стефан Олександрович

МПК: H01M 6/18, C01G 3/00, H01M 4/28 ...

Мітки: плівок, основі, міді, високопровідних, тонких, cu6ps5i, твердоелектролітичного, джерела, йодид-пентатіофосфату, спосіб, одержання, матеріалу, енергії

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання високопровідних тонких плівок на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії, який відрізняється тим, що напилення здійснюють одночасно з двох магнетронів, в одному з яких використовують мішень з суперіонного матеріалу Cu6PS5I (пресований порошок), а в іншому - мішень з чистої міді.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що величину електропровідності тонких...

Номер патенту: 111241

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Бендак Андрій Васильович, Тімко Мілан, Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: G01R 3/00, G02F 1/13

Мітки: провідника, кристалу, підвищення, електричної, cu6ps5i, нематичного, внесення, нього, провідності, суперіонного, рідкого, шляхом, наночастинок, 6снвт, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу 6СНВТ, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал 6СНВТ вносять наночастинки суперінного провідника Cu6PS5I, внаслідок чого отриманий композит має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність нематичного рідкого кристалу 6СНВТ без наночастинок майже на порядок.

Номер патенту: 112727

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Студеняк Віктор Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович, Машіко Владислав Володимирович, Ізай Віталій Юрійович, Куш Петер, Мікула Маріан

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: основі, матеріалу, твердоелектролітичного, плівки, міді, тонкої, джерела, бромід-пентатіофосфату, енергії, cu6ps5br, застосування

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 109982

Опубліковано: 26.09.2016

Автори: Пал Юрій Олександрович, Куцик Михайло Михайлович, Неймет Юрій Юрійович, Кокенєші Шандор, Студеняк Ігор Петрович, Бучук Михайло Юрійович

МПК: H05H 1/42

Мітки: сандвіч-структур, одержання, частотою, керування, некристалічних, плазмонного, халькогенідах, матеріалів, резонансу, спосіб, композитних, вигляді

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композитних матеріалів у вигляді сандвіч-структур, що включають шар золотих наночастинок на підкладці зі скла, покритий халькогенідними тонкими плівками системи Ag-As-S, який відрізняється тим, що зміну частоти плазмонного резонансу здійснюють за рахунок зміни концентрації срібла в халькогенідних плівках системи Ag-As-S.

Номер патенту: 106746

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Куш Петер, Студеняк Ігор Петрович, Студеняк Віктор Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Машіко Владислав Володимирович, Мікула Маріан, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: тонкої, бромід-пентатіофосфату, міді, застосування, основі, джерела, матеріалу, cu6ps5br, енергії, твердоелектролітичного, плівки

Формула / Реферат:

Застосування бромід-пентатіофосфату міді Cu6PS5Br як матеріалу для тонкої плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 106745

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Пал Юрій Олександрович, Тімко Мілан, Бендак Андрій Васильович, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13

Мітки: наночастинок, електричної, внесення, суперіонного, рідкого, спосіб, провідника, підвищення, кристалу, нематичного, шляхом, провідності, нього

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення електричної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять наночастинки суперінного провідника, внаслідок чого отриманий композит на основі рідкого кристалу має електричну провідність, яка перевищує електричну провідність вихідного рідкого кристалу без наночастинок більш ніж на порядок.

Номер патенту: 111020

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Ямковий Олександр Олександрович, Гуранич Павло Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Демко Павло Юрійович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/18

Мітки: основі, твердоелектролітичного, йодид-пентаселенофосфату, енергії, матеріалу, плівки, cu6pse5i, аморфної, джерела, застосування, міді

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Гуранич Павло Павлович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: застосування, твердоелектролітичного, плівки, основі, cu7ges5i, матеріалу, аморфної, джерела, міді, енергії, йодид-пентатіогерманату

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Севрюков Дмитро Володимирович

МПК: C30B 11/04

Мітки: методом, спрямовано, купрум(і)гексатіофосфату, спосіб, кристалізації, розплаву, монокристалів, вирощування, cu7ps6

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: купрум(і)пентатіофосфату(v, методом, спосіб, йодиду, cu6ps5i, спрямовано, розплаву, кристалізації, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: кристалізації, броміду, вирощування, cu6ps5br, методом, спосіб, спрямовано, купрум(і)пентатіофосфату(v, розплаву, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 99100

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Завісова Власта, Томашовічова Наталія, Ковальчук Олександр Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Копчанський Петер, Тімко Мілан

МПК: G02F 1/13

Мітки: провідності, підвищення, кристалу, рідкого, нематичного, іонної, композита, основі, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення іонної провідності композита на основі нематичного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що в гомогенний нематичний рідкий кристал вносять домішки наночастинок магнетиту та вуглецевих нанотрубок, потім їх диспергують у ПВА, внаслідок чого отриманий композит має іонну провідність, яка перевищує іонну провідність композиту без наночастинок на 5 порядків.

Номер патенту: 99099

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Тімко Мілан, Шіпошова Катаріна, Газова Зузана, Ковальчук Олександр Васильович, Копчанський Петер

МПК: G02F 1/13

Мітки: кристалу, створення, концентрації, ліотропного, спосіб, визначення, лізозиму, оптимальної, магнітного, рідкого

Формула / Реферат:

Спосіб визначення оптимальної концентрації лізозиму для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу, який відрізняється тим, що по мінімуму зміни електричної провідності під дією магнітного поля від концентрації білка (лізозиму) визначають оптимальну концентрацію білка (лізозиму) для створення ліотропного магнітного рідкого кристалу на основі водних розчинів лізозиму, магнетиту та магнітної рідини.

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Гуранич Павло Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович, Бендак Андрій Васильович

МПК: H01M 6/00, H01F 1/00

Мітки: матеріалу, енергії, плівки, застосування, основі, джерела, міді, аморфної, cu7ges5i, йодид-пентатіогерманату, твердоелектролітичного

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 97430

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Демко Павло Юрійович, Ямковий Олександр Олександрович, Студеняк Віктор Ігорович

МПК: H01M 6/08

Мітки: джерела, міді, основі, плівки, енергії, йодид-пентаселенофосфату, cu6pse5l, застосування, аморфної, твердоелектролітичного, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентаселенофосфату міді Cu6PSe5І як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00, C01G 5/00, C01G 35/00 ...

Мітки: ag6tas5i, одержання, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Кайла Маріанна Іванівна

МПК: C30B 11/14

Мітки: спосіб, розчинів, йодиду, допомогою, cu6(pxas1-x)s5i, монокристалів, твердих, купрум, вирощування, пентатіофосфату-арсенату, транспортних, хімічних, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 90946

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Кокенєші Олександр Олександрович, Студеняк Ігор Петрович, Петраченков Олександр Євгенович, Неймет Юрій Юрійович, Раті Йосип Йосипович

МПК: B81C 1/00

Мітки: as2s3)0,4, ag3ass3)0,6, одержання, поверхні, віскерів, спосіб, плівки, ag-вмісних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання Ag-вмісних віскерів на поверхні плівки (Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4, який відрізняється тим, що проводять синтез вихідного композиту, з якого у вакуумі 3´10-5 мм рт.ст. з використанням танталового випарника, нагрітого до температури 1350 °C, напилюють тонку плівку, на поверхні якої без попередньої підготовки та додаткових процедур утворюється стабілізована у часі та збагачена сріблом мікрокристалічна конусоподібна...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Біланчук Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: H01M 6/18

Мітки: основі, енергії, йодид-пентаселеногерманату, джерела, монокристалу, міді, матеріал, твердоелектролітичного, cu7gese5i

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/06

Мітки: спрямовано, методом, броміду, кристалізації, розплаву, монокристалів, cu6ps5br, пентатіофосфату(v, вирощування, купрум(і, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00

Мітки: йодиду, купрум(і, спосіб, спрямовано, кристалізації, пентатіофосфату(v, монокристалів, вирощування, методом, розплаву, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Севрюков Дмитро Володимирович

МПК: C30B 11/00

Мітки: купрум(і, кристалізації, вирощування, розплаву, спосіб, монокристалів, гексатіофосфату, cu7ps6, методом, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C01G 35/00, C01G 5/00

Мітки: аргентум(і, спосіб, ag6tas5i, йодиду, пентатіотанталату(v, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: твердих, хімічних, хлорид-йодиду, розчинів, транспортних, реакцій, спосіб, монокристалів, cu6ps5(ci0,5i0,5, вирощування, пентатіофосфату, допомогою, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: вирощування, купрум, транспортних, допомогою, пентатіофосфату, монокристалів, хімічних, реакцій, спосіб, розчинів, твердих, cu6ps5cl0,5br0,5, хлориду-броміду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 100189

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Бучук Роман Юрійович, Сусліков Леонід Михайлович, Мінець Юрій Васильович, Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: йодид-пентатіофосфату, застосування, суперіонної, твердоелектролітичного, енергії, міді, кераміки, джерела, нанокристалічного, матеріалу, основі, cu6ps5i

Формула / Реферат:

Застосування суперіонної кераміки на основі нанокристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу, що має високу іонну електропровідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 72246

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Неймет Юрій Юрійович, Студеняк Ігор Петрович, Кокенєші Олександр Олександрович, Поп Михайло Михайлович, Рубіш Василь Михайлович

МПК: C03C 23/00, C30B 28/00

Мітки: одержання, стеклах, шару, спосіб, халькогенідних, поверхневого, наноструктурованого

Формула / Реферат:

Спосіб одержання наноструктурованого поверхневого шару в халькогенідних стеклах, що включає утворення нанокристалічної структури в процесі зміни температури, який відрізняється тим, що використовують скло  , яке нагрівають до температури вище 440-450 К, при цьому утворюється поверхневий наноструктурований...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: застосування, твердого, твердоелектролітичного, cu7ge(s0,7se0,3)5i, розчину, матеріалу, монокристалу, джерела, енергії

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 99389

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Чомоляк Артем Анатолійович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: сu6ps5i, основі, джерела, матеріалу, енергії, твердоелектролітичного, плівки, міді, застосування, йодид-пентатіофосфату, аморфної

Формула / Реферат:

Застосування аморфної плівки на основі йодид-пентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.