Тепла Тетяна Леонідівна
Спосіб отримання електроізоляційного покриття із ситалоцементу
Номер патенту: 102986
Опубліковано: 25.11.2015
Автори: Дурягіна Зоя Антонівна, Грималяк Оксана Юріївна, Тепла Тетяна Леонідівна, Оксенюк Анатолій Полікарпович, Ковбасюк Тарас Мирославович
МПК: C23C 20/00
Мітки: ситалоцементу, отримання, покриття, спосіб, електроізоляційного
Формула / Реферат:
Спосіб отримання електроізоляційного покриття з ситалоцементу, що включає нанесення на підкладку сметаноподібної суспензії порошкоподібного скла у 1 % розчині нітроцелюлози в ізоамілоцетаті пропорцією 16:1, який відрізняється тим, що як підкладку використовують сталь.
Спосіб формування ізоляційного покриття оксиду магнію на нагрівному елементі
Номер патенту: 102872
Опубліковано: 25.11.2015
Автори: Тепла Тетяна Леонідівна, Ковбасюк Тарас Мирославович, Дурягіна Зоя Антонівна, Грималяк Оксана Юріївна
МПК: C23C 4/00
Мітки: магнію, ізоляційного, елементи, спосіб, оксиду, покриття, нагрівному, формування
Формула / Реферат:
Спосіб формування ізоляційного покриття оксиду магнію на нагрівному елементі, що включає нанесення оксиду магнію на підкладку в атмосфері окиснювального середовища, який відрізняється тим, що як підкладку використовують сталь, а нанесення оксиду магнію проводять плазмовим напиленням за режимом: потенціал на підкладці Е=50¸70 В, тиск Р=1,2¸4,7 Па, струм дуги I=22¸32 А, тривалість процесу t=18¸25 хв.
Структурний бар’єр на поверхні конструктивних елементів атомного енергетичного обладнання
Номер патенту: 17292
Опубліковано: 15.09.2006
Автори: Алімов Валерій Іванович, Тепла Тетяна Леонідівна, Штихно Алла Петрівна, Дурягіна Зоя Антонівна
МПК: B21F 21/00, B21C 9/00
Мітки: елементів, конструктивних, бар'єр, поверхні, структурний, енергетичного, обладнання, атомного
Формула / Реферат:
Структурний бар'єр на поверхні конструктивних елементів атомного енергетичного обладнання, що містить змінений дією плазми шар, який відрізняється тим, що модифікований азотною плазмою шар додатково містить зовнішню оболонку з перерізом структурних комірок 0,1-0,3 мкм, яка складає за товщиною 5-10 % від товщини модифікованого шару.