Спосіб захисту радіоелектронних апаратур від впливу потужних електромагнітних випромінювань

Спосіб захисту радіоелектронної апаратури від впливу потужних електромагнітних випромінювань, що включає утворення неоднорідності з ви 3 25370 випромінювань шляхом використання регулюємої зміни перемикальних властивостей високотемпературного надпровідника, що дозволяє забезпечити можливість регулювання потрібного рівня минаючої в приймальний тракт PEA потужності електромагнітного випромінювання. Поставлено завдання вирішується тім, що в способі захисту радіоелектронної апаратури від впливу потужних електромагнітних випромінювань, що включає створення неоднорідності з високотемпературного надпровідника типу YBа2Си3О 7, охолодження неоднорідності до температури YBа2Си3О 7, о холодження неоднорідності до температури рідкого азоту, додатково після охолодження неоднорідності через неї пропускають постійний електричний струм, рівний Iпост=ІКР-І В, де ІКР - критичний струм для даної неоднорідності; ІВ - струм, що протікає через неоднорідність за рахунок зовнішнього електромагнітного випромінювання. Таким чином, пропущення через неоднорідність, виконаного з високотемпературного надпровідника електричного струму, дозволяє забезпечити можливість регулювання потрібного рівня минаючої в приймальний тракт PEA потужності електромагнітного випромінювання. Сутність корисної моделі пояснюється ілюстрацією, на якій зображено структурну схему пристрою, який реалізує запропонований спосіб. Пристрій для реалізації способу складається з фідерної лінії 1, у розрив якої включена неоднорідність 2 із ВТНП. Неоднорідність 2 поміщена в кріостат 3 з рідким азотом, Крізь неоднорідність 2 пропускають постійний електричний струм за допомогою джерела постійної напруги 4. Робота запропонованого способу відбувається так. На початку неоднорідність 2 охолоджують до температури рідкого азоту за допомогою кріостата 3. Потім через неоднорідність 2 пропускають постійний електричний струм Іпост, величина якого Комп’ютерна в ерстка Г. Паяльніков 4 регулюється за допомогою джерела постійної напруги 4. Тому що заздалегідь відома величина критичного струму ІКР даної неоднорідності; то величину постійного струму вибирають такий, щоб вона в сумі з величиною струму І В, що буде протікати через неоднорідність за рахунок впливу на неї зовнішнього електромагнітного випромінювання (від якого необхідно захищати PEA) була дорівнює або перевищувала величину критичного струму для даного матеріалу неоднорідності. У цьому випадку надпровідність неоднорідності автоматично руйнується (неоднорідність переходить у ненадпровідний стан), опір неоднорідності різко зростає на кілька порядків, що еквівалентно розриву фідерної лінії в місці розташування неоднорідності із ВТНП. Найбільш доцільним матеріалом для використання представляється матеріал типу YBа2Си3 О7, характеристики якого найбільш вивчені. Він технологічен, задовольняє вимогам використання в розробленому те хнічному рішенні. На відміну від інших надпровідних матеріалів (кераміки, кристалічних зразків), оксидна епітаксіальна плівка має малу дисперсію, великі значення критичних струмів, більш глибоку зміну поверхневого опору [Гинзбург В.Л. Исследование эпитаксиальных оксидних пленок. /УФН, 1987.-Т.152.-№4.-С.575-582]. Пропонована корисна модель у порівнянні із прототипом має наступні переваги: - регулювання за рівнем граничної потужності може досягати 105...108 разів. Це визначається в основному технологією виготовлення ВТНП, опором контактів, сполукою ВТНП із фідерною лінією, опором струмоподводів. Для сучасної те хнології опір контактів може досягати величин 10-5-10-7 Ом/см 2; - енерговитрати на одержання постійного струму, що тече через неоднорідність, становить менш 1Вт. Енерговитрати в прототипі на створення магнітного поля в повному об'ємі неоднорідності не менш 100Вт. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601