Спосіб виготовлення склокерамічного композиційного діелектрика

Спосіб виготовлення склокерамічного композиційного діелектрика, при якому скло, що кристалізується, і тугоплавкий кристалічний наповнювач здрібнюють, змішують, гомогенізують, пресують, спікають при температурі плавлення та кристалізації скла і визначають діелектричну проникність синтезованого діелектрика, який відрізняється тим, що спікання продовжують до припинення змінення діелектричної проникності. (19) (21) u200905196 (22) 25.05.2009 (24) 10.11.2009 (46) 10.11.2009, Бюл.№ 21, 2009 р. (72) ДМИТРІЄВ МИХАЙЛО ВОЛОДИМИРОВИЧ, ЄРІМІЧОЙ ІЛЛЯ МИКОЛАЙОВИЧ, ПАНОВ ЛЕОНІД ІВАНОВИЧ (73) ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ 3 45394 матеріалу і частки оксида-кристалізатора. Ця тривалість може складати від одної до декілька годин. Покращення властивостей діелектрика досягається завдяки поєднанню кристалів з покращеними властивостями з менш пружним залишковим склом, що збільшує міцність і теплопровідність діелектрика [3]. Поставлена задача розв'язується тим, що у способі виготовлення склокерамічного композиційного діелектрика, при якому кристалізуєме скло і тугоплавкий кристалічний наповнювач здрібнюють, змішують, гомогенізують, пресують, спікають при температурі плавлення та кристалізації скла і визначають діелектричну проникність синтезованого діелектрика, згідно корисної моделі спікання продовжують до припинення змінення діелектричної проникності. В якості реалізуємого скла вибрано свинцевоборосилікатне скло складу в мас. %: SiO2 - 38; РbО - 19; В2О3 - 13; Аl2О3 - 12; ZnO - 5; MgO - 6; CaO -7. В якості наповнювача обраний глинозем ГН-1 4 (ТОСТ 6912 - 87 ТУ), маючи 95% тугоплавкого некристалізуємого кристалічного а - Аl2Оз (температура плавлення 2050° С) [1]. Компоненти здрібнювали в планетарних млинах САНД-1 у халцедонових барабанах з халцедоновими кулями до досягнення значень питомої поверхні 850 м2/кг (скло) і 650 м2/кг (ГН-1), вимірюваних приладом АДП-1 [1]. Потім компоненти змішували при співвідношенні "скло: наповнювач" в мас. %, рівному 45:55, відповідно, і гомогенізували в млину САНД-1 у халцедонових барабанах з халцедоновими кулями. З гомогенізованої суміші при тиску 200 кГ/см2 виготовляли заготівки для спікання у формі дисків. Для цього використовували пресформу з двостороннім стисненням і гідравлічний прес ПГПр. Спресовані заготівки спікались у муфельної печі СНОЛ-11-И2 при температурі кристалізації розплавленого скла 950° С з різною тривалістю т, указаної у таблиці у годинах. Таблиця τ , год. 0,5 1,0 2,0 3,5 ε 7,92±0,01 8,30±0,01 8,21±0,01 7,90±0,01 τ , год. 4,5 5,0 6,0 6,5 Потім на плоскі поверхні дисків наносили електроди з полімерної мідної пасти, які полімеризувались при температурі 200°С у муфельної печі СНОЛ-11-И2 на протязі 15 хвилин. У виготовлених таким чином зразках визначалась відносна діелектрична проникність є по величині електричної ємності С, вимірюваної згідно ОСТ 110303-86 при додержані вимаганих розмірів і кількості зразків для кожної для з указаних у таблиці тривалості їх нагріву τ . При цьому використовувалась формула ch ε = 14,4 , D де С - електрична ємність, пФ; h - товщина диска, см; D - діаметр спеченого диска, см. Утворювані при спіканні кристали уявляють собою кристалічну модифікацію діоксида кремнія — кристобаліт [2]. Результати визначення величин є в зразках з різних часом нагріву т приведені у таблиці. З таб Комп’ютерна верстка Д. Шеверун ε 7,77±0,01 7,75±0,01 7,72±0,01 7,71±0,01 τ , год. 7,0 7,4 7,8 8,2 ε 7,70±0,01 7,70±0,01 7,70±0,01 7,70±0,01 лиці ясно, що у виготовленому склокерамічному композиційному діелектрику після семи годин спікання відносна діелектрична проникність перестає змінюватись. Цей час відповідає часу утворення максимальної частки кристобаліта у склі діелектрика. При спіканні понад семи годин частка кристобаліта та залишкового скла, а також їх діелектрична проникність не змінюється. Не змінюється і діелектрична проникність наповнювача. Джерела інформації 1. Дмитриев М. В. Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрическую проницаемость стеклокерамики // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1997. - №4. С.34-38. 2. Дмитриев М. В. Влияние режимов спекания на параметры стеклокерамики с кристаллизуемым стеклом // ТКЭА. - 2000. - №1. - С. 36-39. 3. Безбородов М. А. Стеклокристаллические материалы. - Минск: Наука и техника. - 1982. - С. 192-193. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601