Вимірювач магнітного поля

Вимірювач магнітного поля, який містить магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу магніточутливого діода, який відрізняється тим, що введені польовий та біполярний транзистори, три резистори, індуктивність та ємність, причому перший вивід другого резистора 3 чутливості та точності вимірювання магнітного поля. Поставлена задача вирішується тим, що у вимірювач магнітного поля, який містить магніточутливий діод, джерело постійної напруги, перший резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим виводом першого резистора, другий вивід якого підключений до першого виводу магніточутливого діода, введені польовий та біполярний транзистори, три резистори, індуктивність та ємність, причому перший вивід другого резистора з'єднаний із другим виводом магніточутливого діода, затвор польового транзистора з'єднаний із другим виводом першого резистора та першим виводом магніточутливого діода, стік польового транзистора з'єднаний із першим виводом третього резистора і першим виводом індуктивності та утворює першу вихідну клему, підкладка польового транзистора з'єднана із його витоком, який підключений до емітера біполярного транзистора, база якого з'єднана із другим виводом третього та першим виводом четвертого резисторів, другий вивід індуктивності з'єднаний із першими виводами першого резистора та ємності, першим полюсом джерела постійної напруги, другий полюс якого з'єднаний із другими виводами другого та четвертого резисторів, колектором біполярного транзистора та другим виводом ємності, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема. На кресленні подано схему вимірювача магнітного поля. Пристрій містить магніточутливий діод 2, джерело постійної напруги 10, перший резистор 1, загальну шину та дві вихідні клеми, причому перший полюс джерела постійної напруги 10 з'єднаний із першим виводом першого резистора 1, другий вивід якого підключений до першого виводу магніточутливого діода 2, введені польовий 4 та біполярний 5 транзистори, другий 3, третій 6 та четвертий 7 резистори, індуктивність 8 та ємність 9, причому перший вивід другого резистора 3 з'єднаний із другим виводом магніточутливого діода 2, затвор польового транзистора 4 з'єднаний із другим виводом першого резистора 1 та першим ви Комп’ютерна верстка І. Скворцова 66031 4 водом магніточутливого діода 2, стік польового транзистора 4 з'єднаний із першим виводом третього резистора 6 і першим виводом індуктивності 8 та утворює першу вихідну клему, підкладка польового транзистора 4 з'єднана із його витоком, який підключений до емітера біполярного транзистора 5, база якого з'єднана із другим виводом третього 6 та першим виводом четвертого 7 резисторів, другий вивід індуктивності 8 з'єднаний із першими виводами першого резистора 1 та ємності 9 і першим полюсом джерела постійної напруги 10, другий полюс якого з'єднаний із другими виводами другого 3 та четвертого 7 резисторів, колектором біполярного транзистора 5 та другим виводом ємності 9, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема. Вимірювач магнітного поля працює наступним чином. В початковий момент часу магнітне поле не діє на магніточутливий діод 2. Підвищенням напруги джерела постійної напруги 10 досягається така її величина, що на електродах стік польового транзистора 4 і колектор біполярного транзистора 5 виникає від'ємний опір, який приводить до виникнення електричних коливань в контурі, який утворений паралельним включенням повного опору з ємнісною складовою на електродах стік польового транзистора 4 і колектор біполярного транзистора 5 та повного опору з індуктивною складовою індуктивності 8. За рахунок вибору постійної напруги живлення здійснюється лінеаризація функції перетворення. Перший 1, другий 3, третій 6 та четвертий 7 резистори визначають живлення магніточутливого діода 2, польового 4 та біполярного 5 транзисторів від джерела постійної напруги 10. Ємність 9 запобігає проходженню змінного струму через джерело постійної напруги 10. При наступній дії магнітного поля на магніточутливий діод 2 змінюється напруга на ньому, що викликає зміну ємнісної складової повного опору на електродах стік польового транзистора 4 і колектор біполярного транзистора 5, а це, в свою чергу,викликає зміну резонансної частоти коливального контуру, яка є інформативним параметром для визначення величини магнітного поля. Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601