Температурний датчик
Формула / Реферат
1. Температурний датчик, який містить транзистор, що є температурочутливим елементом, відокремленим від основної частини датчика, до якої він підключений виводами емітера і бази, а в складі основної частини - джерело напруги зворотного колекторного зміщення, яке підключене до вхідного виводу, з'єднаного з базою транзистора, і джерело струму із змінною складовою струму, яке підключене до вхідного виводу, з'єднаного з емітером транзистора, який відрізняється тим, що вивід колектора транзистора з'єднаний з загальним виводом основної частини датчика.
2. Температурний датчик за п. 1, який відрізняється тим, що вказаним з'єднанням виводу колектора з загальним виводом основної частини датчика є екран двох проводів, що з'єднують транзистор з цією основною частиною.
Текст
1. Температурний датчик, який містить транзистор, що є температурочутливим елементом, відокремленим від основної частини датчика, до якої він підключений виводами емітера і бази, а в складі основної частини - джерело напруги зворотного колекторного зміщення, яке підключене до 3 20865 4 Датчик містить дискретний транзистор замість між різними місцями заземлення. Вказане з'єднан"substrate" транзистора. Таким дискретним транзиня може бути виконане третім проводом або через стором в [3] вказано, наприклад, 2N3906, що є екран двох проводів, що з'єднують емітер і базу типу рnр, як і "substrate" транзистор в [2, 3]. Дистранзистора зі входом основної частини датчика. кретний, тобто автономний, в своєму корпусі, траПерелік фігур. Фіг.1 (на одному аркуші з Фіг.2) нзистор теж є винесеним, але в ньому, за "класичце схема температурного датчика, що відповідає ною" схемою включення, колектор з'єднаний з п.1. Струм емітера показаний таким, що дорівнює базою. Дискретним транзистором в [3] вказано (1) I + D /( t ), також 2N3904 (Фіг.33), що є типу nрn. де D /( t ) - змінна частина струму емітера. Вона Позитивним у третього аналога є те, що колекможе мати два або три значення, що переключатор транзистора не є заземленим на відстані від ються (я у першому та др угому аналогах), або мавимірювального пристрою. А недоліком другого ти іншу закономірність змінності. Показано, що аналога є те, що, за результатом підключення коколектор транзистора з'єднаний з загальним виволектора до бази дискретного транзистора, остандом датчика температури. Фіг.2 (на тому ж аркуші, ній має, на думку автора заявки, менш точну ви хіщо й Фіг.1) - це схема температурного датчика, що дну функцію, ніж за схемою включення "substrate" відповідає п.2. Показаний екран двох вхідних протранзистора в першому аналогу. водів, до якого підключений колектор транзистора. Четвертим аналогом є температурний датчик, Вольт-амперною характеристикою емітерного що описаний в [2] (с.17, Фіг.21). переходу транзистора є Він відрізняється від третього аналога тим, що Ue = jт In(Ie / Is ) (2) два проводи, що з'єднують дискретний транзистор (за Ie>>Is), де Ue, Iе - напруга та струм емітера (еміз вимірювальним пристроєм, є в екрані, який зазетерного переходу), Is - його зворотний струм, млений в вимірювальному пристрою. Четвертий аналог має той недолік, що і третій аналог. Але j т = kT / q, Т- абсолютна температура, що вимірюнаявність екрану є позитивною, що буде викорисється, k та q - фізичні сталі. Якщо переключати тана в корисній моделі, за залежним пунктом його струм емітера від Iе.мін. до Iе.макс=NIе.мін, зміна наформули. пруги на емітері буде дорівнювати За результатом аналізу аналогів автором поUвих = D Ue = KперT, (3) ставлено задачу запропонувати такий температурний датчик, який не мав би недоліків аналогів. Як де Kпер=(k/q)lnN=const. прототип обирається третій аналог, що більш блиПриведені формули відповідають випадку, козький до температурного датчика, що заявляється. ли струм, що переключається, має два значення. Для трьох значень струму (як в третьому аналогу, За результатом, пропонується: 1. Температурний датчик, який містить транзиале за іншою схемою) результат буде теж за форстор, що є температурно-чутливим елементом, мулою (3), але за іншим Kпер. Можливі й інші знавідокремленим від основної частини датчика, до чення DI( t ) . Заземлення у прототипі в різних точякої він підключений виводами емітера і бази, а в ках колектора транзистора і датчика приводить до складі основної частини - джерело напруги звороелектричних перешкод, що можуть діяти між цими тного колекторного зміщення, яке підключене до точками. Дія цих перешкод в корисній моделі, що вхідного виводу, з'єднаному з базою транзистора, і пропонується, відсутня, бо заземлення колектора джерело струму із змінною складовою струму, яке транзистора здійснене на загальний вивід датчика. підключене до вхідного виводу, з'єднаному з еміЦе те, що стосується першого пункту корисної мотером транзистора, який відрізняється тим, що делі, згідно з яким з'єднання може бути яким завивід колектора транзистора з'єднаний з загальвгодно: наприклад, третім проводом. Щодо другого ним виводом основної частини датчика. пункту, як уточнюючого, конкретизуючого, для цьо2. Температурний датчик за п.1, який відрізняго з'єднання за третій провід використано екран ється тим, що вказаним з'єднанням виводу колеквхідних проводів. тора з загальним виводом основної частини датВідомості, що підтверджують можливість здійчика є екран двох проводів, що з'єднують снення корисної моделі. В запропонованій користранзистор з цією основною частиною.ній моделі використовуються ті ж самі елементи У температурному датчику, що пропонується, схеми, що і в аналогах. Можливість відокремлення разом використані позитивні рішення, що є окремо колектора винесеного транзистора від бази і підв чотирьох аналогах. Крім того, колектор дискретключення його до окремого проводу або до екраного транзистора з'єднаний не з базою свого транну, що може бути ізольованим, не викликає сумнізистора, а з загальним виводом основної частини вів. датчика, що є новим рішенням. За результатом, Примітка: до матеріалів заявки додаються допо-перше, на базі транзистора, відносно колектовідкові матеріали у складі: [2], с.1, 8,17; [3], с.1, 23 ра, є напруга (напруга зміщення). Крім того, на вхід (на трьох аркушах). основного блоку не попадають ті перешкоди, що є 5 Комп’ютерна в ерстка В. Мацело 20865 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюTemperature transducer
Автори англійськоюHolub Vladyslav Serhiiovych
Назва патенту російськоюДатчик температуры
Автори російськоюГолуб Владислав Сергеевич
МПК / Мітки
МПК: G01K 7/01
Мітки: датчик, температурний
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-20865-temperaturnijj-datchik.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Температурний датчик</a>
Попередній патент: Вимірювальне коло датчика температури
Наступний патент: Головний акумуляторний світильник
Випадковий патент: Пристрій для контролю даних комп'ютерних пристроїв телекомунікаційної системи, що фукціонують у класі лишків