Патенти з міткою «напівпровідниковий»

Номер патенту: 114943

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: G05F 3/16, H01L 29/8605

Мітки: резистор, керований, напівпровідниковий, струмом

Формула / Реферат:

Керований струмом напівпровідниковий резистор на основі прямозміщеної структури із сильнолегованими р- та n- шарами, який відрізняється тим, що р-n структуру формують на основі подвійної гетероструктури InxGa1-xN/AlyGa1-yN, де 0,05£х£0,25, 0,1£у£0,2 із шарами емітерів електронів, легованих Si, та дірок, легованих Mg, до концентрацій не нижче ~ 1·1019 і ~ (5-7)·1017 см-3 відповідно, які забезпечують переважно тунельний...

Номер патенту: 112344

Опубліковано: 12.12.2016

Автор: Хачатрян Арцрун Робертович

МПК: H02M 7/217, H01L 25/00

Мітки: випрямляючий, напівпровідниковий, блок

Формула / Реферат:

Блок напівпровідниковий випрямляючий, який представляє собою випрямляч, що складається з силового і додаткового випрямлячів і регулятора напруги, який відрізняється тим, що виконаний на одній друкованій платі, що є несучою панеллю, на якій з однієї її сторони закріплені силові елементи на радіаторах, а з іншої зібрана вся інша схема - додаткові випрямлячі і схема реле-регулятора.

Номер патенту: 112469

Опубліковано: 12.09.2016

Автор: Осіпов Віктор Олексійович

МПК: G01L 9/00, G01L 1/16

Мітки: напівпровідниковий, тиску, тензочутливий, інтегральній, перетворювач

Формула / Реферат:

1. Інтегральний напівпровідниковий тензочутливий перетворювач тиску, який включає опорну основу, пружний елемент у вигляді тонкої квадратної мембрани, на поверхні якої по осях симетрії мембрани, що проходять через її сторони і центр, виконано щонайменше одне ребро жорсткості у вигляді балки, тензочутливий елемент, розташований на поверхні кінця балки, що знаходиться в периферійній зоні пластини біля основи, причому площина балки, в якій...

Номер патенту: 109238

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Івахно Володимир Вікторович, Сокол Євген Іванович, Стисло Богдан Олександрович, Замаруєв Володимир Васильович

МПК: H02M 3/00, H02J 7/35

Мітки: оборотний, напівпровідниковий, перетворювач, постійної, постійну, комутацією, напруги, розділеною

Формула / Реферат:

Оборотний напівпровідниковий перетворювач постійної напруги в постійну із розділеною комутацією, який підключений до джерела вхідної постійної напруги, яке має можливість приймати енергію при зміні знаку середнього вхідного струму, і включає в себе вхідний фільтр, силовий комутатор первинної ланки, силовий роздільний трансформатор, силовий комутатор вторинної ланки, вихідний фільтр, а вихід перетворювача підключений до навантаження, при...

Номер патенту: 108104

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Смолій Марія Іванівна, Забудський Вячеслав Володимирович, Голенков Олександр Генадійович, Андрєєва Катерина Вікторівна, Сизов Федір Федорович, Бунчук Світлана Григорівна, Цибрій Зіновія Федорівна, Петряков Володимир Олексійович

МПК: H01L 27/142, G01J 5/20, G01J 1/42 ...

Мітки: приймач, дводіапазонний, діапазонів, спектра, напівпровідниковий, випромінювання

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового та субтерагерцового випромінювання, що містить чутливий елемент на основі епітаксійного шару напівпровідника CdxHg1-хTe (х~0,2¸0,3) з двома струмовими контактами, які служать антеною для вводу випромінювання у чутливий елемент, який відрізняється тим, що струмові контакти, які служать антеною для вводу терагерцового та субтерагерцового випромінювання у чутливий елемент, симетричні, мають...

Номер патенту: 110751

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Нетяга Віктор Васильович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович, Кудринський Захар Русланович

МПК: H01L 31/112, H01L 31/053, H01L 31/08 ...

Мітки: напівпровідниковий, фотоперетворювач, гібридний, наноіонний

Формула / Реферат:

Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу, фоточутливий напівпровідниковий матеріал з шаруватою кристалічною структурою і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди, який відрізняється тим, що як фоточутливий напівпровідниковий матеріал використовується нанокомпозитний матеріал, який являє собою тверду...

Номер патенту: 103816

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Горбачов Віктор Едуардович, Веремьова Ганна Вікторівна, Вікулін Іван Михайлович, Марколенко Павло Юрійович

МПК: H01L 31/00, G01T 1/00

Мітки: напівпровідниковий, дозиметр

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий дозиметр на базі генератора релаксаційних коливань, що має одноперехідний транзистор, в електричне коло емітера якого ввімкнений конденсатор та елемент, що задає струм, який відрізняється тим, що як цій елемент використовують польовий транзистор.

Номер патенту: 99179

Опубліковано: 25.05.2015

Автор: Наконечний Володимир Федорович

МПК: H01H 85/00

Мітки: природним, охолодженням, повітряним, перетворювач, паралельним, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий перетворювач переважно з природним паралельним повітряним охолодженням, що містить силові напівпровідникові прилади з індивідуальними чи груповими охолоджувачами, розташованими у вигляді горизонтальних рядів, що рознесені по висоті, який має закритий знизу, з боків та з тильного боку загальний повітряний канал для відводу нагрітого охолоджуючого повітря, у верхній частині якого є витяжна камера, а між сусідніми...

Номер патенту: 97911

Опубліковано: 10.04.2015

Автор: Осіпов Віктор Олексійович

МПК: G01L 7/00

Мітки: тиску, перетворювач, напівпровідниковий, тензочутливий, інтегральній

Формула / Реферат:

1. Інтегральний напівпровідниковий тензочутливий перетворювач тиску, який включає опорну основу, пружний елемент у вигляді тонкої квадратної пластини, на поверхні якої по осях симетрії пластини, що проходять через її сторони і центр, виконано щонайменше одне ребро жорсткості у вигляді балки, тензочутливий елемент, розташований на поверхні кінця балки, що знаходиться в периферійній зоні пластини біля основи, причому площина балки, в якій...

Номер патенту: 97331

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Замаруєв Володимир Васильович, Сокол Євген Іванович, Войтович Юрій Сергійович, Івахно Володимир Вікторович, Лобко Андрій Валерійович, Гончаров Юрій Петрович, Єресько Олександр В'ячеславович, Стисло Богдан Олександрович, Кривошеєв Сергій Юрійович

МПК: H02M 7/757

Мітки: перетворювач, напівпровідниковий, резонансний

Формула / Реферат:

Резонансний напівпровідниковий перетворювач, який містить як джерело живлення однофазну розподільну мережу синусоїдальної змінної напруги, узгоджуючий трансформатор, послідовний резонансний LC-фільтр, силовий напівпровідниковий комутатор з напівпровідниковими ключами знакозмінного струму, вихідний ємнісний фільтр, як навантаження - розподільну мережу постійної напруги 400 В та систему керування, який відрізняється тим, що індуктивність та...

Номер патенту: 97330

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Івахно Володимир Вікторович, Стисло Богдан Олександрович, Замаруєв Володимир Васильович, Сокол Євген Іванович

МПК: H02J 7/35

Мітки: підвищеної, напруги, постійної, постійну, перетворювач, розділеною, напівпровідниковий, вхідної, дволанковий, комутацією

Формула / Реферат:

Дволанковий напівпровідниковий перетворювач постійної напруги в постійну, який підключений до джерела вхідної постійної напруги і включає в себе вхідний фільтр індуктивного характеру, силовий комутатор первинної ланки, який побудований за схемою автономного інвертора струму на базі керованих силових ключів зі зворотною блокуючою спроможністю, силовий роздільний трансформатор, силовий комутатор вторинної ланки, який побудований за, наприклад,...

Номер патенту: 93763

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Івахно Володимир Вікторович, Замаруєв Володимир Васильович, Сокол Євген Іванович, Стисло Богдан Олександрович, Гончаров Юрій Петрович

МПК: H02J 7/35

Мітки: дволанковий, напруги, постійну, комутацією, перетворювач, напівпровідниковий, постійної, розділеною

Формула / Реферат:

Дволанковий напівпровідниковий перетворювач постійної напруги в постійну, який підключений до джерела вхідної постійної напруги і включає в себе вхідний фільтр, силовий комутатор первинної ланки, силовий роздільний трансформатор, силовий комутатор вторинної ланки, вихідний фільтр, а вихід перетворювача підключений до навантаження, при цьому силовий комутатор однієї з ланок виконаний за схемою автономного інвертора напруги на керованих ключах...

Номер патенту: 91148

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Пашков Валерій Маркович, Молчанов Віталій Іванович, Татарчук Дмитро Дмитрович

МПК: H01P 7/00

Мітки: керуванням, нвч, резонатор, напівпровідниковий, електронним

Формула / Реферат:

Резонатор НВЧ з електронним керуванням, який містить резонансний елемент і керувальний елемент, який відрізняється тим, що як керувальний елемент використана напівпровідникова p-i-n-структура, яка одночасно є і резонансним елементом.

Номер патенту: 104957

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Кисельов Юрій Владиславович, Кисельов Владислав Петрович, Безуглий Юрій Віталійович, Кашковський Володимир Ілліч

МПК: H01M 8/00, H01M 8/06

Мітки: енергії, ккд, напівпровідниковий, електричну, перетворювача, сонячної, напівпровідникового, перетворювач, спосіб, підвищення

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення ККД напівпровідникового перетворювача сонячної енергії в електричну, що складається з трьох елементів у вигляді плоских напівпровідникових пластин Р-, І- і N-типу провідності (або відповідно шарів Р, І, N), який відрізняється тим, що як робочий елемент, здатний до фотоефекту, використовують пластину І-типу провідності (або шар І), який інвертують в лицьову сторону перетворювача, а пластини Р- і N-типу провідності...

Номер патенту: 87528

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Корецький Роман Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович, Островський Ігор Петрович, Ховерко Юрій Миколайович

МПК: H01L 23/14

Мітки: елемент, напівпровідниковий, індуктивний

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий індуктивний елемент, що містить монокристал кремнію, на поверхні якого розташована провідна ділянка у вигляді шару з омічними контактами, який відрізняється тим, що монокристал кремнію виконаний ниткоподібним, а шар провідної ділянки виконаний нанопористим.

Номер патенту: 82607

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Колпаков Іван Олександрович, Андрієнко Володимир Олександрович, Уткіна Тетяна Юріївна, Рябцев Володимир Григорович

МПК: G11C 7/00

Мітки: відмовах, працездатності, запам'ятовуючий, відновленням, напівпровідниковий, багатократних, пристрій

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий запам'ятовуючий пристрій з відновленням працездатності при багатократних відмовах, який містить основний і запасний масиви запам'ятовуючих комірок, контролер самотестування, генератори кодів адреси і даних, мультиплексори кодів операцій, адреси і даних, компаратор, причому перші, другі і треті виходи контролера самотестування підключені до перших входів мультиплексора коду операцій, генератора коду адреси і генератора коду...

Номер патенту: 102617

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Піскун Сергій Жанович, ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ

МПК: H01L 29/00, H01L 31/04, H01L 31/105 ...

Мітки: фотоприймач, спектральною, характеристикою, регульованою, напівпровідниковий, світлоструму

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач з регульованою спектральною характеристикою світлоструму, що містить вироджену область n-типу провідності, вироджену р-область і вироджений компенсований шар, розміщений між ними в градієнтному електричному полі, направленому від n-області до р-області, який відрізняється тим, що перпендикулярно до площини компенсованого шару створені бокові плоскопаралельні дзеркальні грані, з можливістю вводу вхідного...

Номер патенту: 98824

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Фордзюн Юрій Іванович, Кабацій Василь Миколайович, Мигалина Юрій Вікентійович

МПК: G01N 21/35, H01L 33/08, G01N 21/61 ...

Мітки: випромінюючий, пристрій, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий випромінюючий пристрій газоаналізатора, що містить випромінюючі активні елементи, які розміщені на одній теплопровідній основі та випромінюють в максимумах на різних довжинах хвиль, який відрізняється тим, що містить n³2 основних активних елементів з p-n-переходами, виконаних з можливістю випромінювання в максимумах на m³2 заданих довжинах хвиль, узгоджених з довжиною хвилі в максимумі смуги власного...

Номер патенту: 70482

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Піскун Сергій Жанович

МПК: H01L 31/04

Мітки: характеристикою, напівпровідниковий, світлоструму, регульованою, спектральною, фотоприймач

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач з регульованою спектральною характеристикою світлоструму, що містить вироджену область n-типу провідності, вироджену p-область і вироджений компенсований с-шар, розміщений між ними в градієнтному електричному полі направленому від n-області до p-області, який відрізняється тим, що перпендикулярно до площини с-шару створені бокові плоскопаралельні дзеркальні грані, через одну з яких, перпендикулярно до них в...

Номер патенту: 98524

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Забудський Вячеслав Володимирович, Бунчук Світлана Григорівна, Андрєєва Катерина Вікторівна, Смолій Марія Іванівна, Добровольський Валентин Миколайович, Цибрій Зіновія Федорівна, Дмитрук Надія Вікторівна, Апатська Марія Володимирівна, Сизов Федір Федорович

МПК: G01J 1/42, G01J 5/20, H01L 27/142 ...

Мітки: переходом, напівпровідниковий, вбудованим, приймач, випромінювання

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий приймач терагерцового/субтерагерцового випромінювання, що містить тонкий (£3 мкм) епітаксійний шар напівпровідника CdxHg1-xTe (х~0,2¸0,3) зі струмовими контактами, який відрізняється тим, що в епітаксійному шарі як чутливий елемент сформовано поперечний р-n перехід.

Номер патенту: 69636

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна

МПК: G01J 1/44, H01L 27/00

Мітки: потужності, оптично, напівпровідниковий, сенсор

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий сенсор оптичної потужності, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-транзистор, перший, другий і третій резистори, перший і другий конденсатори, загальну шину, причому затвор першого МДН-транзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід третього резистора та другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який...

Номер патенту: 68883

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Савицький Антон Юрійович, Крилик Людмила Вікторівна, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 21/53

Мітки: напівпровідниковий, вологості, сенсор

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий сенсор вологості, який містить два вологочутливі двозатворні польові транзистори, витоки яких з'єднано між собою, джерело постійної напруги, перший, другий і третій резистори, ємність й індуктивність, перший полюс першого джерела постійної напруги через індуктивність приєднано до стокової області першого вологочутливого двозатворного польового транзистора, коло послідовно з'єднаних індуктивності і ємності приєднано...

Номер патенту: 65925

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Савицький Антон Юрійович, Осадчук Олександр Володимирович, Крилик Людмила Вікторівна

МПК: G01N 21/53

Мітки: виміру, напівпровідниковий, вологості, пристрій

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий пристрій для виміру вологості, що містить два резистори, біполярний і польовий транзистори, індуктивність, ємність і два джерела постійної напруги, при цьому перший полюс першого джерела напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, емітер біполярного транзистора з'єднаний з витоком і підкладкою польового транзистора, другий вивід індуктивності підключений до першого виводу ємності і першого полюса другого джерела...

Номер патенту: 65202

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Клименко Ольга Олександрівна, Бацула Олег Вікторович, Прохоров Едуард Дмитрович

МПК: H01L 29/76

Мітки: нвч, діод, коливань, генерації, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий діод для генерації НВЧ коливань, що містить високоомну підкладку, шар напівпровідникового матеріалу n-типу, а також стік (анод), витік (катод) і затвор, розміщені на зовнішній поверхні напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал n-типу використана епітаксіальна плівка n-GaAs з товщиною 1 мкм і концентрацією донорів n = 1016 см-3, а затвор, як тунельна межа, виконаний у вигляді...

Номер патенту: 64807

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович, Савчук Богдан Сергійович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01R 19/25

Мітки: пристрій, потужності, густини, оптично, виміру, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий пристрій для виміру густини оптичної потужності, який містить джерело постійної напруги, перший і другий конденсатори, перший і другий резистори, загальну шину, причому другий вивід другого конденсатора і другий полюс джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, двозатворний МДН-транзистор, третій, четвертий і п'ятий конденсатори, пасивну індуктивність,...

Номер патенту: 61849

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Тихонов Андрій Миколайович, Тесленко Галина Іванівна

МПК: G06K 19/14, G06K 19/00

Мітки: записаної, напівпровідниковий, інформації, носій, зчитування, прихованої, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб зчитування прихованої інформації, записаної на напівпровідниковий носій, записаної у вигляді будь-якого зображення на напівпровідниковій пластині за допомогою локального опромінення поверхні пластини пучком часток, енергія яких достатня для створення структурних дефектів в приповерхневому шарі опромінених ділянок, який для зчитування інформації включає освітлення поверхні напівпровідника світлом з енергією кванта hv, більшою за ширину...

Номер патенту: 59582

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Струтинська Любов Тимофіївна, Михайловський Віліус Ярославович, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: H01L 35/32

Мітки: напівпровідниковий, термогенераторів, елемент, термоелектричний

Формула / Реферат:

1. Термоелектричний напівпровідниковий елемент для термогенераторів, який складається з двох гілок р- і n-типу провідності, що мають пористу структуру або пронизані каналами, комутаційних пластин, розташованих на гарячих і холодних торцях гілок, який відрізняється тим, що внутрішні поверхні або об'єми пор і каналів містять каталітичні речовини, активні в реакціях каталітичного безполум'яного окиснення горючих газів, а комутаційні пластини...

Номер патенту: 56747

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Струтинська Любов Тимофіївна, Михайловський Віліус Ярославович, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: G09B 23/18, H01L 35/02

Мітки: охолоджувач, напівпровідниковий, термоелектричний, навчальний

Формула / Реферат:

1. Навчальний напівпровідниковий термоелектричний охолоджувач, який складається з напівпровідникового холодильного модуля, електричного перемикача, пристроїв для підведення та відведення тепла від модуля, засобів для вимірювання температури, який відрізняється тим, що пристрій для підведення тепла до напівпровідникового термоелектричного модуля виконаний у вигляді горизонтально розташованої пластини, нижня площина якої має тепловий контакт з...

Номер патенту: 54550

Опубліковано: 10.11.2010

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Блецкан Дмитро Іванович, Мигалина Юрій Вікентійович, Фордзюн Юрій Іванович

МПК: H01L 33/00

Мітки: напівпровідниковий, світловипромінюючий, пристрій

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий випромінюючий пристрій, що містить випромінюючі активні елементи, які розміщені на одній теплопровідній основі та випромінюють в максимумах на різних довжинах хвиль, який відрізняється тим, що містить n³2 активних елементів з p-n-переходами, які випромінюють в максимумах на m³2 заданих довжинах хвиль, узгоджених для кожного із m³2 інтервалів температур робочого діапазону, час та тривалість роботи...

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Бреславський Ігор Анатолійович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01T 1/202, C30B 29/46, C30B 29/10 ...

Мітки: напівпровідниковий, селеніду, цинку, активованого, сцинтиляційний, матеріал, одержання, основі, спосіб

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Номер патенту: 92219

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Гладкий Роман Богданович, ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ

МПК: H01L 29/88

Мітки: напівпровідниковий, n-діод, тунельній

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий германієвий тунельний N-діод, який містить підкладку n-типу провідності, шар р-типу провідності, омічні контакти та електроди, який відрізняється тим, що додатково містить сформований на підкладці n-типу провідності епітаксіальним нарощуванням із рідинної фази з одночасним легуванням донорною домішкою - миш'яком і акцепторною домішкою - галієм у однаковій концентрації, яка складає 6·1019 атомів/см-3, компенсований шар...

Номер патенту: 92213

Опубліковано: 11.10.2010

Автор: Хаасс Франк

МПК: H01L 35/12, C04B 35/515, C01B 19/00 ...

Мітки: містить, генератор, матеріал, застосування, термоелектричний, термоелектричного, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий матеріал для термоелектричного застосування, що містить сполуку формули:Рb1-(х1+х2+...+хn)А1х1А2х2…АnхnТe1+z, де n - кількість відмінних від Рb та Те хімічних елементів, причому індекси незалежно один від одного мають наступні значення:1 ч. млн. £ х 1 ... хn £ 0,05,-0,05 £ z £ 0,05, таn ³ 2,А1 .... Аn відрізняються один від одного та...

Номер патенту: 50216

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Бахнов Леонід Євгеньович, Кіяшко Борис Олександрович, Кубишкін Іван Васильович, Клойз Наум Борисович, Лабковський Віктор Соломонович

МПК: H01L 23/34, H01L 25/00

Мітки: блок, перетворювальний, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий перетворювальний блок, що містить стяжний пристрій, який включає бічні опорні стійки, з'єднані стяжками і пружинним механізмом, між якими розташовані напівпровідникові прилади, індивідуально охолоджувані охолоджувачами і обладнані вивідними струмопровідними деталями, який відрізняється тим, що стяжний пристрій містить відкидну пластину, виконану з можливістю забезпечення щонайменше часткового доступу до...

Номер патенту: 89075

Опубліковано: 25.12.2009

Автори: Добровольський Валентин Миколайович, Сизов Федір Федорович, Каменєв Юрій Юхимович

МПК: H01L 27/142, G01J 1/42, G01J 5/20 ...

Мітки: діапазонів, міліметрового, напівпровідниковий, болометр, субміліметрового

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий болометр міліметрового та субміліметрового діапазонів, що містить чутливий елемент зі струмовими контактами та схему зміщення, який відрізняється тим, що як чутливий елемент використовують тонкий шар напівпровідника Hg(1-x)CdxTe, де х знаходиться в межах 0,17  х  0,3, а лінійні розміри...

Номер патенту: 43851

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Личман Кирило Олексійович, Голинная Тетяна Іванівна, Басанець Володимир Васильович, Уріцкая Надія Ярославівна, Кривуца Валентин Антонович, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...

Мітки: p-і-n, напівпровідниковий, надвисокочастотний, діод

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кристал у вигляді мезоструктури з високоомного напівпровідникового матеріалу, на протилежних поверхнях якого сформовані сильнолеговані шари р- і n-типу провідності, омічні контакти до них; змонтований осесиметрично всередині кільцевого діелектричного корпусу із металізованими протилежними площинами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виконано з карбіду...

Номер патенту: 42218

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Крилик Людмила Вікторівна, Осадчук Олександр Володимирович, Гладковська Олена Леонідівна, Звягін Олександр Сергійович, Савицький Антон Юрійович

МПК: G01N 21/53

Мітки: напівпровідниковий, гігрометричний, сенсор

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий гігрометричний сенсор, який містить два польових транзистори, витоки яких з'єднано між собою, на затворі одного з яких створено гребінчасту структуру вологочутливого матеріалу, джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що перший і другий польові транзистори є двозатворними, другий транзистор також є вологочутливим, крім того, введено перший, другий, третій і четвертий резистори, ємність й індуктивність, причому...

Номер патенту: 41727

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Гладкий Роман Богданович

МПК: H01L 29/88

Мітки: n-діод, тунельній, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий N-діод, що містить підкладинку n-типу (n-область), шар р-типу (р-область), омічні контакти і електроди, який відрізняється тим, що між n- і р- областями сформований вироджений компенсований епітаксіальний шар с-типу, легований одночасно донором і акцептором з рівними концентраціями.

Номер патенту: 86625

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Сизов Федір Федорович, Добровольський Валентин Миколайович

МПК: H01L 27/142, G01J 5/20, G01J 1/42 ...

Мітки: гарячих, напівпровідниковий, заряду, болометр, носіях

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий болометр на гарячих носіях заряду, який містить чутливе до випромінювання тіло болометра, виконане у вигляді пластини з двома омічними контактами на торцях, який відрізняється тим, що чутливе тіло виконане із біполярного напівпровідника, концентрація дірок і електронів якого відрізняється не більше ніж у 10 разів, ефективна маса дірок перевищує ефективну масу електронів не менше ніж у 10 разів і відстань між контактами b,...

Номер патенту: 86358

Опубліковано: 27.04.2009

Автор: Шульга Григорій Федорович

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Мітки: напівпровідниковий, блок, силовий

Формула / Реферат:

Блок силовий напівпровідниковий, що являє собою послідовне сполучення спільною системою стискання між собою декількох таблеточних вентилів, охолоджувачів і силових струмовідводів, при цьому основа охолоджувачів являє собою монолітний циліндр, на торцях якого знаходяться монтажно-контактні площадки, а на боковій поверхні - поздовжні ребра, орієнтовані своєю довжиною перпендикулярно до монтажно-контактної площадки, і, крім цього, вентилі з...

Номер патенту: 40563

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Бобженко Сергій Володимирович, Ткаченко Віктор Васильович, Угрін Михайло Іванович, Глушеченко Едуард Миколайович

МПК: H01L 23/48

Мітки: напівпровідниковий, кристалотримачі, нвч-діод

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий НВЧ-діод на кристалотримачі, що містить кристал НВЧ-діода з анодним та катодним контактами, кристалотримач виконаний у вигляді діелектричної підкладки з плівковими металевими виводами на його поверхні, який відрізняється тим, що кристал НВЧ-діода виконаний у вигляді планарної меза-структури з балковими виводами, що з'єднані з анодним та катодним контактами НВЧ-діода, а балкові виводи розташовані на металевих виводах...