Анізотропний термоелектричний сенсор

Анізотропний термоелектричний сенсор з анізотропного термоелектричного модуля, верхня грань якого містить неселективний шар, а нижня тепловідвід, який відрізняється тим, що між неселективним шаром та верхньою гранню анізотропного термоелектричного модуля міститься лейкосапфіровий круглий диск з резистивним шаром та електропідводами. (19) (21) u200805579 (22) 29.04.2008 (24) 10.09.2008 (46) 10.09.2008, Бюл.№ 17, 2008 р. (72) АЩЕУЛОВ АНАТОЛІЙ АН АТОЛІЙОВИЧ, UA, ВЕЛИЧУК ДЕНИС ДМИТРОВИЧ, UA (73) ІНСТИТУТ ТЕРМОЕЛЕКТРИКИ, UA 3 35364 Запропонований анізотропний термоелектричний сенсор складається з тепловідводу 8 з міді, верхня торцева грань якого містить анізотропний термоелектричний модуль 4 з направлено закристалізованих евтектичних матеріалів CdSb-MeSb, що знаходиться з ним у тепловому контакті через пластину 5 з кераміки 22ХС. Верхня грань цього анізотропного модуля 4 знаходиться у тепловому контакті з лейкосапфіровим круглим диском 3, протилежна грань якого послідовно містить резистивний шар з титану 2 та випромінюючий неселективний шар з платинової черні 1. Електричні виводи модуля 4 та резистивного шару 2 через отвір, що проходить вздовж осі тепловідводу 8, підводяться до вихідних контактів колодки 9, розташованої на протилежній торцевій грані тепловідводу 8. Захист бічної поверхні модуля 4 від зовнішніх факторів проводиться за допомогою корпусу 6, який фіксується гвинтом 7. Запропонований анізотропний термоелектричний сенсор працює наступним чином. Розташування його випромінюючої грані навпроти охолоджуючої грані контрольованого мікроТЕМ Пельтьє веде до охолодження верхньої робочої грані модуля 4. Це викликає появу деякої пропорційної термоЕРС ε, що однозначно пов'язана із величиною теплового потоку Q1, який випромінюється холодною гранню мікроТЕМ. Пропускаючи через резистивний шар 2 постійний електричний струм І, встановлюють таку його величину, при якій вихідна термоЕРС сенсора рівна нулю (ε1=0). Далі ви 4 значають потужність Р1, яка при цьому споживається резистивним шаром 2. Величина цієї електричної потужності Р1 при цьому дорівнює величині теплового потоку Q1, що випромінюється холодною гранню ТЕМ, таким чином Q1=P1 (1) Експериментальні дослідження зразка запропонованого сенсора показали, що його вихідна термоЕРС є характеризується значно меншою похибкою у випадку контролю теплового потоку Q1 у ви щезазначеному інтервалі температур. В нашому випадку ця похибка зменшується в 3-4 рази. Особливістю запропонованої конструкції анізотропного термоелектричного сенсора є можливість його роботи в режимі одночасного компарування. Це дозволяє поряд із визначенням холодопродуктивності мікроТЕМ Пельтьє контролювати його перепад температур між холодною і гарячою гранню відносно еталонного зразка. Випробування запропонованого термоелектричного сенсора показали його працездатність та зручність у роботі в умовах серійного виробництва мікроТЕМ Пельтьє. Література: 1. Вайнер А.Л. Термоэлектрические параметры и их измерение, Одесса: Негоциант, 1998. 68с. 2. Аще улов А.А., Величук Д.Д., Романюк И.С. Установка для экспресс-контроля глубины охлаждения термоэлектрических микромодулей Пельтьє // ТКЭ А. - 2007. - № 4. - с.35-38. 5 Комп’ютерна в ерстка Л. Купенко 35364 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601