Сонячний концентратор для фотоелектричних модулів

Сонячний концентратор для фотоелектричних модулів, що містить прийомну поверхню й дві плоскі поверхні, що відбивають, однакового розміру, який відрізняється тим, що плоскі поверхні, що відбивають, розташовані під кутом 55°-65° до прийомної поверхні концентратора. (19) (21) u200911839 (22) 19.11.2009 (24) 12.04.2010 (46) 12.04.2010, Бюл.№ 7, 2010 р. (72) КУВШИНОВ ВОЛОДИМИР ВЛАДИСЛАВОВИЧ, САФОНОВ ВОЛОДИМИР ОЛЕКСАНДРОВИЧ, БАШТА ОЛЕКСАНДР ІВАНОВИЧ 3 прямого, так і відбитого випромінювання. Як наслідок відбувається посилення освітленості прийомної панелі електричного модуля й збільшення характеристик потужності. Приклад Робоча поверхня 1 фотоелектричного модуля має плоску прямокутну форму й розташована перпендикулярно сонячним променям. Для створення концентратора поверхні, що відбивають, 2 були покриті дешевої фольгою, що відбиває світло. Потік променистої енергії відбитий від поверхонь, 2 що відбивають, концентратори рівномірно розподіляється по всій поверхні модуля. У результаті використання плоского сонячного концентратора значно підвищуються потужність сонячної батареї. Коефіцієнт концентрації дорівнює 2. Освітленість панелі фотоелектричного модуля, і як наслідок значення його вихідної потужності, прямо пропорційні косинусу кута падіння сонячних променів на прийомну поверхню. Також освітленість поверхонь, що відбивають, і відповідно потік відбитих променів на робочу поверхню модуля прямо залежать від інтенсивності сонячного випромінювання й косинуса кута падіння променів на бічні панелі концентратора. Запишемо формулу для освітленості бічної панелі, що відбиває, концентратора: Eплоских відбивачів=Іоcosβ, де Io - інтенсивність сонячного випромінювання, β - кут падіння променів на бічну поверхню концентратора. Формула для освітленості прийомної робочої панелі фотоелектричного модуля, отриманої за рахунок сонячних променів відбитих від бічної поверхні концентратора, запишеться в такий спосіб: Eприймальні поверхні=ηEплоских відбивачівcosβ, де η - коефіцієнт відбиття від бічної дзеркальної панелі, Eплоских відбивачів - освітленість бічної панелі, що відбиває, концентратора, β - кут падіння променів, відбитих від бічної поверхні концентратора, на прийомну поверхню фотоелектричного модуля. 49033 4 Тому що потужність, вироблювана фотоелектричним модулем, приблизно прямо пропорційна освітленості його прийомної поверхні, то по формулах 1 і 2, знаючи відхилення кута падіння, можна визначити зміни освітленості робочої панелі модуля, і відповідно його потужності. Значення косинуса кута 30, становить 0,866, при зміні значення кута на 1°, значення освітленості й відповідно до вихідній потужності модуля змінюється близько 1%. Для фотоелектричних модулів точність більше 1% практично не використається. Сучасний допуск по характеристиках потужності при виробництві фотоелектричних модулів становить не більше 5%. Відповідно допускаючи, що коефіцієнт відбиття від поверхонь концентратора максимальний (близький до одиниці), значення косинуса повинні перебувати в межах: 0,823