Витратомір газу

Витратомір газу, який складається з вимірювальної камери, першого термочутливого польового транзистора і першого польового транзистора, резистора, двох джерел постійної напруги і ємності, причому затвор першого термочутливого польового транзистора через резистор з'єднаний з першим полюсом першого джерела постійної напруги, а другий полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний із стоком першого польового транзистора, при цьому витоки першого термочутливого і першого польового транзисторів з'єднані між собою, а затвор першого польового транзистора з'єднаний із стоком першого термочутливого U 1 3 го транзисторів підключене послідовне коло, яке складається з пасивної індуктивності і ємності разом із джерелом постійної напруги. Вихід пристрою утворений затвором першого польового транзистора і загальною шиною. При проходженні газу через вимірювальну камеру змінюється повний опір термочутливого польового транзистора, що приводить до зміни ємнісної складової повного опору на електродах стік-стік термочутливого польового транзистора і першого польового транзистора, а це у свою чергу, викликає зміну резонансної частоти коливального контуру [Патент України №24002, кл. G01F 1/34, 2007]. Недоліком такого пристрою є низька чутливість та мала завадостійкість до електромагнітного випромінювання, що пов'язана з використанням пасивного індуктивного елемента. В основу корисної моделі поставлена задача створення витратоміра газу, в якому за рахунок введення активного індуктивного елемента відбувається підвищення чутливості та завадостійкості даного пристрою . Поставлена задача вирішується тим, що в пристрій, який складається з вимірювальної камери, першого термочутливого польового транзистора і першого польового транзистора, резистора, двох джерел постійної напруги і ємності, причому затвор першого термочутливого польового транзистора через резистор з'єднаний з першим полюсом першого джерела постійної напруги, а другий полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний із стоком першого польового транзистора, при цьому витоки першого термочутливого і першого польового транзисторів з'єднані між собою, а затвор першого польового транзистора з'єднаний із стоком першого термочутливого польового транзистора, до якого підключена перша вихідна клема, а перший вивід ємності з'єднаний з першим полюсом другого джерела постійної напруги, а другий вивід ємності з'єднаний з другим полюсом другого джерела постійної напруги, стоком першого польового транзистора і другим полюсом першого джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, введено другий польовий транзистор, другий резистор і другу ємність, причому затвор першого польового транзистора та стік першого термочутливого польового транзистора з'єднані з затвором і витоком другого польового транзистора і першим виводом другої ємності, другий вивід другої ємності з'єднаний з першим виводом другого резистора і підкладкою другого польового транзистора, другий вивід другого резистора з'єднаний з стоком другого польового транзистора, першим виводом першої ємності і першим полюсом другого джерела постійної напруги. На кресленні надана схема витратоміра газу. Пристрій містить вимірювальну камеру 1, перший 2 термочутливий польовий транзистор, перший 5 і другий 7 польові транзистори, перший 3 і другий 8 резистори, перше 4 і друге 10 джерело 54119 4 постійної напруги, першу 9 і другу 6 ємності, причому затвор першого 2 термочутливого польового транзистора через перший 3 резистор з'єднаний з першим полюсом першого 4 джерела постійної напруги, а другий полюс першого 4 джерела постійної напруги з'єднаний із стоком першого 5 польового транзистора, при цьому витоки першого 2 термочутливого польового і першого 5 польового транзисторів з'єднані між собою, а затвор першого 5 польового транзистора з'єднаний із стоком першого 2 термочутливого польового транзистора, до якого підключені перша вихідна клема, затвор і витік другого 7 польового транзистора і перший вивід другої 6 ємності, другий вивід другої 6 ємності з'єднаний з першим виводом другого 8 резистора і підкладкою другого 7 польового транзистора, другий вивід другого 8 резистора з'єднаний з стоком другого 7 польового транзистора, першим виводом першої 9 ємності і першим полюсом другого 10 джерела постійної напруги, а другий вивід першої 9 ємності з'єднаний з другим полюсом другого 10 джерела постійної напруги, стоком першого 5 польового транзистора і другим полюсом першого 4 джерела постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема. Вихід пристрою утворений затвором першого 5 польового транзистора і загальною шиною. Витратомір газу працює таким чином. В початковий момент часу газ не проходить через вимірювальну камеру 1. Підвищенням напруги через перший 3 резистор першого 4 і другого 10 джерела постійної напруга встановлюємо початкову температуру в першому 2 термочутливому польовому транзисторі, а також початкову величину резонансної частоти, яка виникає в коливальному контурі, утвореним послідовним включенням повного опору з ємнісним характером на електродах стоків першого 2 термочутливого польового і першого 5 польового транзисторів та індуктивним опором активної індуктивності, яка складається з другого 7 польового транзистора, другої 6 ємності і другого 8 резистора, за рахунок виникнення від'ємного опору на електродах стік-стік першого 2 термочутливого польового і першого 5 польового транзисторів. Перша 9 ємність запобігає проходженню змінного струму через друге 10 джерело постійної напруги. При наступному проходженні газу через вимірювальну камеру 1 змінюється повний опір першого 2 термочутливого польового транзистора, що приводить до зміни ємнісної складової повного опору на електродах стік-стік першого 2 термочутливого польового і першого 5 польового транзисторів, а це у свою чергу, викликає зміну резонансної частоти коливального контуру. Використання запропонованого витратоміра газу суттєво підвищує точність виміру інформативного параметру та чутливість даного пристрою за рахунок введення активного індуктивного елемента. 5 Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 54119 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601