Спосіб вирощування гібридного насіння соняшнику

Спосіб вирощування гібридного насіння соняшнику, що включає посів ділянок гібридизації, від 3 79747 Найбільш близьким до заявленого технічного рішення є спосіб вирощування гібридного насіння соняшнику, що включає посів ділянок гібридизації, відповідний догляд за рослинами, монтаж в період цвітіння групових ізоляторів у вигляді сітчатих продовгувати х ковпаків, при цьому рослини використовують як підпорки [6]. Використання невеликих за розмірами ізоляторів не дає значного виходу повноцінного насіння при високому рівні витрат на його виробництво. При цьому коефіцієнт використання посівної площі знаходиться в межах 35%. Задачею винаходу є збільшення виходу з одиниці площі повноцінного насіння на ділянках розмноження та гібридизації соняшнику нарівні зі зменшенням витрат на його отримання. Поставлена мета досягається тим, що в способі вирощування гібридного насіння соняшнику, що включає посів ділянок гібридизації, відповідний догляд за рослинами, монтаж в період цвітіння групових ізоляторів у вигляді сітчатих споруд згідно з винаходом, припосівний розподіл насіння на ділянках гібридизації виконують стрічковими відрізками з формуванням непарної кількості смуг, ізоляцію котрих здійснюють чергуючими рядами каркасних та безкаркасних споруд, причому кожну безкаркасну споруду у верхній її частині обох сторін забезпечують гнучкими поперечними розпірками для зв'язку з верхівками стояків каркасних споруд. Суть винаходу пояснюється кресленнями, де на Фіг.1 показана схема ізоляції ділянки гібридизації соняшнику; на Фіг.2 розріз А - А на Фіг.1.; на Фіг.3 та Фіг.4 загальний вид каркасу гр упового ізолятора, на Фіг.5 та Фіг.6 -конструкція сітчатих покрить каркасного та безкаркасного ізолятора в аксонометрії. Спосіб здійснюється таким чином. Ділянки розмноження та гібридизацій розміщують на родючих гр унта х після озимих чи ярих колосових, де соняшник не вирощували 8-10 років. Весною після проведення культивації на ділянках гібридизації висівають насіння соняшнику стрічковими відрізками з формуванням непарної кількості смуг, де 4 розміри посівних ділянок знаходяться в межах 5х10м з відстанню між суміжними ділянками до 2м. За 2-3 дні до початку цвітіння по периметру кожної ділянки нарізають рівчаки і вздовж них розміщують чергуючими рядами каркасні 1 та безкаркасні 2 ізолятори. При цьому кожну безкаркасну споруду ізолятора 2 у верхній її частині з обох сторін забезпечують гн учкими поперечними розпірками 3 для зв'язку з верхівками каркасних споруд. Ділянки гібридизації на полі розміщують смугами з непарною її кількістю. При цьому ізоляцію поля починають і закінчують каркасним рядом споруд, верхівки стояків яких використовують для надійної фіксації поперечних розпірок 3 безкаркасних споруд. До складу модульної конструкції каркасу групового ізолятора входять стояки 4, арки 5 та поперечки 6. Зверху каркас модульної споруди покривають продовгуватим сітчатим ковпаком 7, який зверху містить провушини 8 для заведення верхівок стояків 4 каркасу, а нижню частину для забезпечення міцності обшивають по периметру цупким матеріалом 9. В безкаркасних спорудах сітчані покриття виконані аналогічної форми. Одначе конструкція цієї споруди різняться тим, що в верхній її частині закріплюють з обох сторін гнучкі поперечні розпірки 3 для зв'язку з верхівками 4 каркасних споруд. Запропонований спосіб дозволить отримати більше повноцінного насіння з одиниці площі на рівні зі зниженням витрат на його виробництво. Джерела інформації, які прийняті до уваги при проведенні експертизи 1. Никитчин Д.И., Рябота А.Н. Гибридный подсолнечник. - К.: Урожай, 1983, с. 34-36. 2. Методика семеноводства гибридов подсолнечника.- Краснодар, 1989.-С.4-6. 3. Патент СССР 1799237. МКИ А 01 Н 01/02, 1991. 4. Никитчин Д.И. Подсолнечник.- К.: Урожай, 1993, - С. 43-52. 5. Патент СССР 17840060, МКИ Е 04 Н 5/08, 1990. 6. Деклараційний патент України 61480 А, Бюл. 11, 2003. 5 Комп’ютерна в ерстка В. Клюкін 79747 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601