Спосіб вирощування гібридного насіння соняшнику

Спосіб вирощування гібридного насіння соняшнику, що включає підготовку поля, посів ділянок 3 79589 Надійним способом отримання біологічно чистого гібридного насіння є використання штучної ізоляції. В даному випадку використовують групові ізолятори та штучне запилення материнської форми гібрида спеціально підібраним пилком батьківської форми [4]. Найбільш близьким до заявленого технічного рішення є спосіб групової ізоляції рослин з використанням металевих каркасних споруд, які покривають капроновою сіткою з чарунками не більше 3мм [5]. Перевагою даних способів є те, що на одному полі можна розмістити декілька різних батьківських форм соняшнику при повній їх ізоляції. Одначе невеликі за розмірами ділянки розмноження та гібридизації з використанням каркасних споруд ізоляції дають незначний вихід повноцінного насіння при високому рівні витрат на його виробництво. При цьому коефіцієнт використання посівної площі знаходиться в межах 35%. Окрім цього, відомі споруди для ізоляції рослин мають складну металоємнісну конструкцію, що в свою чергу ускладнює проведення монтажнодемонтажних робіт, які необхідно виконати при переміщенні цих споруд на ділянки розмноження або гібридизації з більш пізніми строками висіву насіння. Метою винаходу є збільшення виходу з одиниці площі повноцінного насіння на ділянках розмноження та гібридизації соняшнику нарівні зі зменшенням витрат на його отримання. Поставлена мета досягається тим, що в способі вирощування гібридного насіння соняшнику, який включає підготовку поля, посів ділянок розмноження батьківських форм гібридів, виконання в період їх масового цвітіння групової ізоляції у вигляді споруд з сітчастим покриттям та роздільне збирання врожаю, згідно з винаходом, припосівне укладання насіння на ділянках розмноження батьківських форм гібридів здійснюють безперервними рядками, що чергуються, а перед цвітінням соняшнику суцільну ізоляцію ділянок здійснюють шляхом одночасного нарощування в довжину і в ширину модульної конструкції споруди з подальшим посекційним її покриттям верхніми та боковими полотнищами, кожне з яких виконано сітчастим зі 4 стрічкою-липучкою по периметру, з отворами для заведення кінцевика стояків, причому нижні частини бокових сітчасти х полотнищ направляють для фіксації в борозенку, яку формують напередодні навкруги ділянки розмноження батьківських форм гібридів соняшнику. Суть винаходу пояснюється кресленнями, де на Фіг.1 показана схема суцільного розміщення рослин на ділянках розмноження батьківських форм гібридів соняшнику, на Фіг.2 показана схема розташування модульної споруди на суцільних посівах, план на Фіг.3 те ж вид зверху, на Фіг.4 показане верхнє сітчасте полотнище. Спосіб здійснюють таким чином. Припосівне укладання насіння 1 і 2 на ділянках розмноження батьківських форм гібридів здійснюють безперервними рядками, що чергуються (Фіг.1). Перед цвітінням соняшнику навкруги поля нарізають борозенку 3 і виконують суцільну ізоляцію ділянки шляхом одночасного нарощування модульної конструкції в довжину і в ширину. До складу модульної конструкції споруди входять стояки 4 та поперечка 5. Зверху та з боків каркас модульної споруди посекційно і з перекриттям покривають полотнищами 6 і 7 та фіксують у верхніх кінцевиках 8 стояків. Кожне полотнище містить сітку 9 зі стрічкою-липучкою 10 по периметру, з круговими отворами 11 для заведення верхніх кінцевиків стояка. Нижні частини бокових сітчастих полотнищ направляють для фіксації в борозенки 3. Запропонований спосіб, за рахунок суцільної ізоляції кожної ділянки розмноження чи гібридизації соняшнику дозволить отримати значно більше повноцінного насіння з одиниці площі нарівні зі зниженням витрат на його виробництво. Джерела інформації: 1. Никитчин Д.И., Рябота Α.Η. Гибридный подсолнечник. - К.: Урожай, 1989. - С.34-36. 2. Методика семеноводства гибридов подсолнечника. - Краснодар, 1989. -С. 4-6. 3. Патент СССР №1799237, МКИ А01Н1/2, 1991. 4. Никитчин Д.И. Подсолнечник. - К.: Урожай, 1993. - С.43.-.52. 5. Патент СССР №1784060, МКИ Е04Н5/08, 1990. 5 Комп’ютерна в ерстка В. Клюкін 79589 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601