Спосіб вирощування насіннєвої картоплі
Номер патенту: 82895
Опубліковано: 27.08.2013
Автори: Мельник Олексій Володимирович, Муравйов Віктор Олександрович, Семибратська Тамара Віталіївна, Духіна Наталія Григорівна, Корнієнко Сергій Іванович
Формула / Реферат
Спосіб вирощування насіннєвої картоплі з міні-бульб, який характеризується тим, що обробку міні-бульб перед садінням здійснюють шляхом короткочасного (1-5 с.) їх занурення в 0,1 %-ний розчин препарату Марс У.
Текст
Реферат: Спосіб вирощування насіннєвої картоплі з міні-бульб характеризується тим, що обробку мінібульб перед садінням здійснюють шляхом короткочасного (1-5 с.) їх занурення в 0,1 %-ний розчин препарату Марс У. UA 82895 U (54) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ НАСІННЄВОЇ КАРТОПЛІ UA 82895 U UA 82895 U 5 10 15 20 25 Корисна модель належить до галузі сільського господарства, зокрема до технології вирощування вихідного насіннєвого матеріалу картоплі з використанням біологічно-активних речовин. Використання дрібнофракційного насіннєвого матеріалу (міні-бульб) в регіоні східного Лісостепу України лімітується несприятливими ґрунтово-кліматичними умовами. Даний матеріал розміром менше 28 мм за поперечним діаметром відрізняється низькою життєздатністю при його висадженні в польові умови. Внаслідок цього виробництво супереліти картоплі затримується на 1 рік для отримання з дрібнофракційного матеріалу бульб стандартної насіннєвої фракції в умовах культиваційних споруд. Отримання повноцінних сходів з міні-бульб в польових умовах можливе лише при використанні певних агротехнічних прийомів та на відповідному агрофоні [1, 2, 3]. Особливо важливим при цьому є створення оптимального режиму вологозабезпечення. Суть корисної моделі полягає у використанні препарату Марс У при висаджуванні дрібнофракційного матеріалу картоплі в польові умови з метою покращення їх схожості за умов краплинного зрошення. Спосіб здійснюється наступним чином: міні-бульби картоплі занурюються перед садінням на 1-5 с у розчин препарату Марс У (0,1 %). Впродовж 2006-2010 pp. в умовах східного Лісостепу України на ранньостиглому сорті Тирас 2 було проведено польовий дослід (облікова площа 25 м , повторність 4-х-разова, схема садіння 70×25). За результатами досліджень встановлено покращання схожості дрібнофракційного матеріалу картоплі при використанні препарату Марс У. В порівнянні з контрольним варіантом її показник збільшився на 10 % (табл.). Інтенсифікація процесу проростання міні-бульб за впливу 2 препарату Марс У сприяло зростанню площі листової поверхні посівів картоплі на 6 тис.м /га, її урожайності на 7,0 т/га та кількості насіннєвих бульб - на 41 тис.шт./га. Таблиця Вплив препарату Марс У на основні продуктивні показники міні-бульб картоплі Контроль (без обробки) Схожість, % 2 Площа листової поверхні, тис.м /га Урожайність, т/га Кількість насіннєвих бульб, тис.шт./га 30 78 21,7 16,1 171 Запропонований спосіб (з використанням Марс У) 88 27,7 23,1 212 Джерела інформації: 1. Методичні рекомендації щодо проведення досліджень з картоплею. - Немішаєве, 2002. 184 с. 2. Система насінництва картоплі в Україні (рекомендації). - Міністерство аграрної політики України. - К. -2004. -18 с. 3. Основні положення з насінництва картоплі (методичні рекомендації). - МінАПК України. К. -1997. -28 с. 35 ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 40 Спосіб вирощування насіннєвої картоплі з міні-бульб, який характеризується тим, що обробку міні-бульб перед садінням здійснюють шляхом короткочасного (1-5 с.) їх занурення в 0,1 %-ний розчин препарату Марс У. Комп’ютерна верстка Л. Литвиненко Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 1
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for growing seed potatoes
Автори англійськоюDukhina Natalia Hryhorivna, Muraviov Viktor Oleksandrovych, Melnyk Oleksii Volodymyrovych, Semibratska Tamara Vitaliivna, Korniienko Serhii Ivanovych
Назва патенту російськоюСпособ выращивания семенного картофеля
Автори російськоюДухина Наталья Григорьевна, Муравьев Виктор Александрович, Мельник Алексей Владимирович, Семибратская Тамара Витальевна, Корниенко Сергей Иванович
МПК / Мітки
МПК: A01C 1/00
Мітки: вирощування, спосіб, картоплі, насіннєвої
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-82895-sposib-viroshhuvannya-nasinnehvo-kartopli.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вирощування насіннєвої картоплі</a>
Попередній патент: Спосіб оздоровлення насіннєвого матеріалу картоплі
Наступний патент: Спосіб симплексного моделювання бездротової сенсорної мережі
Випадковий патент: Пристрій для дегазації рідини