Спосіб тераформування планет

Реферат: UA 105056 U UA 105056 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Корисна модель належить до області дії на погодні умови та може бути використана для зміни температури атмосфери. Відомий спосіб електрофізичного впливу на атмосферу [1], що включає дію на неї коронним розрядом. Недоліком цього способу є великі енерговитрати, короткочасність та локальність такої дії. Відомий спосіб впливу на атмосферу [2], що включає дію на неї потоками іонізованих часток. Недоліком цього способу є короткочасність такої дії, великі енерговитрати та локальність виникаючої зони зміни температури. Найбільш близьким за суттю та досягнутим результатом до способe тераформування планет, що заявляється, є вибраний за найближчий аналог спосіб впливу на атмосферу [3], що включає розпил часток речовини поза атмосфери планети. Недоліком цього способу є невеликий вплив розпорошеної речовини на температуру атмосфери і однозначність процесів (зниження температури), що викликаються при цьому. Задачею корисної моделі є забезпечення значної дії на атмосферу розпиляної речовини та можливість неоднозначного впливу (підвищення та пониження температури) на теплові процеси в атмосфері. Поставлена задача вирішується шляхом того, що частки речовини розпилюють у площині, що лежить під кутом до лінії, що сполучає центри зірки і планети, що обертається навколо неї, більшим кута А=arcsin (r/R), де r - радіус планети, a R - радіус обертання часток для підігрівання атмосфери планети, та меншим цього кута для її охолодження. Спосіб пояснюється кресленням, на якому приведена схема його реалізації. На Фіг. 1 та Фіг. 2 приведено схематичне зображена реалізації способу. Спосіб тераформування планет здійснюється наступним чином. Для підігрівання атмосфери планети частки речовини розпилюють в площині, що лежить під кутом до лінії, що сполучає центри зірки і планети, що обертається навколо неї, більшим кута А=arcsin (r/R), де r - радіус планети, a R - радіус обертання часток. Приклад 1 Розглянемо, як впливає розпорошений матеріал за умови, що А=arcsin (r/R) на кількість сонячної енергії, що поступає на Марс (Фіг. 3). Матеріал невеликого астероїда розпилюють на орбітах (1), що лежать в площині, з кутом, більшим кута arcsin (r/R) до лінії, що сполучає центри Сонця (2) і Марса (3). Ці орбіти можуть лежати як між орбітами Фобоса (4) і Деймоса (5), так і поза їх орбіт. Розпилення матеріалу на цих орбітах збільшує кількість енергії, що потрапляє на Марс, як за рахунок розсіювання сонячного випромінювання, так і за рахунок вторинного випромінювання нагрітого пилової хмари. Оцінимо, яка енергія надходитиме від пилової хмари на Марс. Для спрощення оцінки припустимо, що коефіцієнт відображення світла частками близький до нуля. Нехай розмір -4 частини розпорошеного матеріалу рівний R4=0,5 мм =5*10 м. Сонячна постійна в районі Марсу: 2 2 Sp=7*10 Вт/м . Тоді кількість енергії, що отримується одинокою частинкою від Сонця -4 щосекунди: е=Sч*Sр=5,5*10 Дж. 6 Вважаючи, що радіус Марса Rм=3,4*10 м, енергія, що отримується Марсом від Сонця 15 щосекунди: Sр*Sм=25.41*10 Дж. 3 При товщині кільця L=40 км, концентрації часток у кільці n=30 ч/м , меншому радіусі системи 6 7 кілець 4,4*10 м і більшому радіусі 5*10 м енергія, яка випромінюється частками у бік Марса, 15 складає 22,87*10 Дж і, таким чином, перевищує кількість енергії, що поступає на Марс прямо 2 від Сонця, а кількість енергії, що буде падати на одиницю його поверхні (1228 Вт/м ), буде 2 приблизно такою же, що падає на поверхню Землі (1367 Вт/м ). Приклад 2 Розглянемо, як впливає розпорошений матеріал за умови, що А=arcsin (r/R) на кількість сонячної енергії, що поступає на Венеру. (Фіг. 4). Матеріал невеликого астероїда розпилюють на орбітах (1), що лежать в площинах, з кутами до осі Сонце (2) - Венера (3), меншими кута arcsin (r/R), де r - радіус Венери, a R - зовнішній радіус більшої орбіти часток. Оцінимо, яка енергія поступатиме від Сонця та пилової хмари на Венеру. Для спрощення оцінки припустимо, що коефіцієнт відображення світла частками -4 близький до нуля. Нехай розмір частини розпорошеного матеріалу рівний R4=0,5 мм = 5*10 м. 3 2 Сонячна постійна в районі Венери: Sp=2,6*10 Вт/м . Тоді кількість енергії, що отримується -3 одинокою частинкою від Сонця щосекунди: е=Sч*Sр=2*10 Дж. 6 Вважаючи, що радіус Венери Rм=6,05*10 м, енергія, що отримується Венерою від Сонця 17 щосекунди: Sp*Sм=3*10 Дж. 1 UA 105056 U 3 5 10 15 20 25 При товщині першого кільця L=40 км, концентрації часток у кільці n=30 ч/м , куті в 30°, 6 6 меншому радіусі кільця 7*10 м і більшому радіусі кільця 12*10 м, енергія, яка перехоплюється 17 частками меншого кільця щосекунди, складає 1,3*10 Дж. При товщині другого кільця L=40 км, 3 6 концентрації часток у кільці n=30 ч/м , куті в 10°, меншому радіусі кільця 12*10 м і більшому 6 радіусі кільця 35*10 м, енергія, яка перехоплюється частками більшого кільця щосекунди, 17 складає 0,86*10 Дж. Вторинне випромінювання часток кілець збільшує падаючу на Венеру 16 енергію на 6,67*10 Дж за секунду. Таким чином, падаюча на Венеру щосекунди енергія 17 зменшується приблизно до 1,5*10 Дж, а кількість енергії, що буде падати на одиницю поверхні 2 2 планети (1312 Вт/м ), буде приблизно такою же, що падає на поверхню Землі (1367 Вт/м ). Таким чином, запропонований спосіб тераформування планет забезпечує управління температурою їх атмосфери за рахунок регулювання потоку сонячного випромінювання. Джерела інформації:. 1. Патент Росії RU 2488266, МПК А01G 15, Способ и устройство для электрофизического воздействия на атмосферу / Палей А.А. (RU) 2. Патент RU 2102866, МПК А01G15, Способ воздействия на атмосферу / Солодовников В.И. (RU) 3. Патент на корисну модель UA 99683, МПК А01G 15, Спосіб впливу на атмосферу / Кузнецов Д.О. (UA) ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ Спосіб тераформування планет, що включає розпил часток речовини, який відрізняється тим, що частки речовини розпилюють в площині, що лежить під кутом до лінії, що сполучає центри зірки і планети, що обертається навколо неї, більшим кута А=arcsin (r/R), де r - радіус планети, a R - радіус обертання часток для підігрівання атмосфери планети, та меншим цього кута для її охолодження. 2 UA 105056 U Комп’ютерна верстка А. Крижанівський Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Василя Липківського, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут інтелектуальної власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 3