Двотактний симетричний підсилювач струму

Двотактний симетричний підсилювач струму, який містить джерело струму, резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, шістнадцять біполярних n-p-n та шістнадцять біполярних p-n-p транзисторів, причому виводи джерела струму з'єднано з колекторами дев'ятого p-n-p і десятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з базами сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери дев'ятого p-n-p, двадцять першого p-n-p, десятого n-p-n, двадцять другого np-n біполярних транзисторів з'єднано з шинами додатного і від'ємного живлення відповідно, бази дев'ятого p-n-p і десятого n-p-n з'єднано з базами і колекторами двадцять першого p-n-p і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів, а також з емітерами сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів, колектори сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з базами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, бази п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами і колекторами двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, вхідну шину з'єднано з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з емітерами двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів, колектори третього p-n-p і четвертого n-p-n біполярних транзисторів з'єднані з базами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярних 2 (19) 1 3 41857 4 дно, а також з колекторами сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, який відрізняється тим, що у нього введено тридцять третій n-p-n та тридцять четвертий p-n-p біполярні транзистори, колектори тридцять першого p-n-p і тридцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами тридцять третього n-p-n та тридцять четвертого p-n-p біпо лярних транзисторів відповідно, емітери тридцять третього n-p-n та тридцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано, емітери дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами тридцять третього n-p-n та тридцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів відповідно. Корисна модель відноситься до імпульсної техніки і може бути використана в аналоговоцифрових перетворювачах і цифрових вимірювальних приладах. Відомо двотактний симетричний підсилювач струму [Патент №23989 М.кл., бюл. №8, 2007р.], який містить джерело струму, резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного і від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, чотирнадцять біполярних np-n та чотирнадцять біполярних p-n-p транзисторів, перший p-типу, другий n-типу польові транзистори, причому вхідну шину з'єднано з емітерами двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, бази та колектори двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з емітерами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з з'єднано з базами п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, колектори п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами сьомого p-n-p восьмого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, бази сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з виводами джерела струму, а також з колекторами дев'ятого p-n-p і десятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять першого p-n-p і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери дев'ятого p-n-p і двадцять першого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери десятого n-pn і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, колектори першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з колекторами третього p-np і четвертого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з базами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з затворами першого p-типу і другого n-типу польових транзисторів відповідно, бази третього p-n-p і четвертого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами одинадцятого p-n-p і чотирнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами дванадцятого n-p-n і тринадцятого p-np біполярних транзисторів відповідно, емітери третього p-n-p, одинадцятого p-n-p, п'ятнадцятого p-n-p, а також колектор дев'ятнадцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери четвертого n-p-n, чотирнадцятого n-p-n, шістнадцятого n-p-n, а також колектор двадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, витоки першого p-типу і другого n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, стоки першого p-типу і другого n-типу польових транзисторів з'єднано з колекторами сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого pn-p біполярних транзисторів відповідно, а також з базами дванадцятого n-p-n і дев'ятнадцятого n-p-n та тринадцятого p-n-p і двадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано, бази сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять п'ятого n-p-n і двадцять шостого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами дванадцятого n-p-n і тринадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять п'ятого n-p-n і двадцять шостого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано, емітери дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять сьомого n-p-n і двадцять восьмого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять сьомого n-p-n і двадцять восьмого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з другими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з вихідною шиною. До недоліків слід віднести низьку точність роботи пристрою за умови змінення напруги живлення. За прототип обрано двотактний симетричний підсилювач струму [Патент №36692 М.кл., бюл. №8, 2008 p.], який містить джерело струму, резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, чотирнадцять біполярних n-p-n та чотирнадцять біполярних p-n-p транзисторів, причому виводи джерела струму з'єднано з колекторами дев'ятого 5 p-n-p і десятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з базами сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери дев'ятого p-n-p, двадцять першого p-n-p, десятого n-p-n, двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шинами додатного і від'ємного живлення відповідно, бази дев'ятого pn-p і десятого n-p-n з'єднано з базами і колекторами двадцять першого p-n-p і двадцять другого n-pn біполярних транзисторів, а також з емітерами сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів колектори сьомого p-n-p і восьмого np-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з базами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, бази п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами і колекторами двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів відповідно вхідну шину з'єднано з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з емітерами двадцять третього n-p-n i двадцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів колектори третього p-n-p і четвертого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з базами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери третього p-n-p одинадцятого pn-p п'ятнадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери четвертого n-p-n чотирнадцятого n-p-n і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, бази та колектори одинадцятого p-n-p і чотирнадцятого np-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами дванадцятого n-p-n і тринадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано, колектори сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з базами дванадцятого n-p-n і тринадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно колектори дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з шинами додатного і від'ємного живлення відповідно, емітери дев'ятнадцятого, двадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами і колекторами двадцять сьомого n-p-n і двадцять восьмого p-n-p біполярних транзистор/в відповідно, вихідну шину з'єднано з другими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з емітерами двадцять сьомого n-p-n і двадцять восьмого p-n-p біполярних транзисторів, емітери двадцять дев'ятого p-n-p і тридцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з 41857 6 емітерами третього p-n-p і четвертого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, бази та колектори двадцять дев'ятого p-n-p і тридцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з базами тридцять першого p-n-p і тридцять другого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери тридцять першого p-n-p і тридцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери тридцять першого p-n-p і тридцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами дванадцятого n-p-n, тринадцятого p-n-p, дев'ятнадцятого n-p-n та двадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-np біполярних транзисторів відповідно. Недоліком прототипу є низький коефіцієнт підсилення, що призводить до збільшення нелінійності. В основу корисної моделі поставлено задачу створення двотактного симетричного підсилювача струму, в якому за рахунок введення нових елементів та зв'язків між ними збільшується коефіцієнт підсилення, це розширює галузь використання корисної моделі у різноманітних пристроях імпульсної та обчислювальної техніки. Поставлена задача досягається тим, що у двотактний симетричний підсилювач струму, який містить джерело струму, резистор зворотного зв'язку, коригуючий конденсатор, шини додатного та від'ємного живлення, вхідну і вихідну шини, шину нульового потенціалу, шістнадцять біполярних n-p-n та шістнадцять біполярних p-n-p транзисторів, причому виводи джерела струму з'єднано з колекторами дев'ятого p-n-p І десятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з базами сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери дев'ятого p-n-p, двадцять першого p-n-p, десятого n-p-n, двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шинами додатного і від'ємного живлення відповідно, бази дев'ятого p-n-p і десятого n-p-n з'єднано з базами і колекторами двадцять першого p-n-p і двадцять другого n-p-n біполярних транзисторів, а також з емітерами сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів колектори сьомого p-n-p і восьмого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з базами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, бази п'ятого n-p-n і шостого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами і колекторами двадцять третього n-p-n і двадцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів відповідно вхідну шину з'єднано з першими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з емітерами двадцять третього n-p-n і двадцять 7 четвертого p-n-p біполярних транзисторів колектори третього p-n-p і четвертого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з базами п'ятнадцятого p-n-p І шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери третього p-n-p одинадцятого p-n-p п'ятнадцятого pn-p біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення, емітери четвертого n-p-n чотирнадцятого n-p-n і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення, бази та колектори одинадцятого p-n-p і чотирнадцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами дванадцятого n-p-n і тринадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, емітери сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-p біполярних транзисторів об'єднано, колектори сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з базами дванадцятого n-p-n і тринадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно колектори дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з шинами додатного і від'ємного живлення відповідно, емітери дев'ятнадцятого, двадцятого p-n-p біполярних транзисторів з'єднано з базами і колекторами двадцять сьомого n-p-n і двадцять восьмого p-n-p біполярних транзистор/в відповідно, вихідну шину з'єднано з другими виводами резистора зворотного зв'язку та коригуючого конденсатора, а також з емітерами двадцять сьомого n-p-n і двадцять восьмого p-n-p біполярних транзисторів, емітери двадцять дев'ятого p-n-p і тридцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами третього p-n-p і четвертого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, бази та колектори двадцять дев'ятого p-n-p і тридцятого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами першого n-p-n і другого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з базами тридцять першого p-n-p і тридцять другого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери тридцять першого p-n-p і тридцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами п'ятнадцятого p-n-p і шістнадцятого n-p-n біполярних транзисторів відповідно, емітери тридцять першого p-n-p і тридцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з базами дванадцятого n-p-n, тринадцятого p-n-p, дев'ятнадцятого n-p-n та двадцятого p-n-p біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами сімнадцятого n-p-n і вісімнадцятого p-np біполярних транзисторів відповідно, введено тридцять третій n-p-n та тридцять четвертий p-n-p біполярні транзистори, причому колектори тридцять першого p-n-p і тридцять другого n-p-n біполярних транзисторів з'єднано з колекторами тридцять третього n-p-n та тридцять четвертого pn-p біполярних транзисторів відповідно, емітери тридцять третього n-p-n та тридцять четвертого pn-p біполярних транзисторів об'єднано, емітери дев'ятнадцятого n-p-n і двадцятого p-n-p 41857 8 біполярних транзисторів з'єднано з базами тридцять третього n-p-n та тридцять четвертого p-n-p біполярних транзисторів відповідно. На кресленні представлено принципову схему двотактного симетричного підсилювача струму. Пристрій містить вхідну шину 4, яку з'єднано з емітерами двадцять третього n-p-n 15 і двадцять четвертого p-n-p 16 біполярних транзисторів відповідно, а також з першими виводами резистора зворотного зв'язку 20 та коригуючого конденсатора 21, бази та колектори двадцять третього n-pn 15 і двадцять четвертого p-n-p 16 біполярних транзисторів з'єднано з емітерами першого n-p-n 14 і другого p-n-p 17 біполярних транзисторів відповідно, а також з'єднано з базами п'ятого n-p-n 7 і шостого p-n-p 9 біполярних транзисторів відповідно, емітери п'ятого n-p-n 7 і шостого p-n-p 9 біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу 8, колектори п'ятого n-p-n 7 і шостого p-n-p 9 біполярних транзисторів з'єднано з базами першого n-p-n 14 і другого p-n-p 17 біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами сьомого p-n-p 6 восьмого n-p-n 10 біполярних транзисторів відповідно, бази сьомого p-n-p 6 і восьмого n-p-n 10 біполярних транзисторів з'єднано з виводами джерела струму 2, а також з колекторами дев'ятого p-n-p 1 і десятого n-p-n 3 біполярних транзисторів відповідно, емітери сьомого p-n-p 6 і восьмого n-p-n 10 біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять першого p-n-p 5 і двадцять другого n-p-n 11 біполярних транзисторів відповідно, а також з базами дев'ятого p-n-p 1 і десятого n-p-n 3 біполярних транзисторів відповідно, емітери дев'ятого p-n-p 1 і двадцять першого p-n-p 5 біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення 38, емітери десятого n-p-n 3 і двадцять другого n-p-n 11 біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення 40, колектори першого n-p-n 14 і другого p-n-p 17 біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять дев'ятого p-n-p 13 і тридцятого n-p-n 18 біполярних транзисторів відповідно, а також з базами тридцять першого p-n-p 29 і тридцять другого n-p-n 32 відповідно, емітери двадцять дев'ятого p-n-p 13 і тридцятого n-p-n 18 біполярних транзисторів з'єднано з колекторами третього p-np 12 і четвертого n-p-n 19 біполярних транзисторів відповідно, а також з базами п'ятнадцятого p-n-p 28 і шістнадцятого n-p-n 33 біполярних транзисторів відповідно, бази третього p-n-p 12 і четвертого n-p-n 19 біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами одинадцятого pn-p 22 і чотирнадцятого n-p-n 27 біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами дванадцятого n-p-n 23 і тринадцятого p-n-p 26 біполярних транзисторів відповідно, емітери третього p-n-p 12, одинадцятого p-n-p 22, п'ятнадцятого p-n-p 28, а також колектор дев'ятнадцятого n-p-n 34 біполярних транзисторів з'єднано з шиною додатного живлення 38, емітери четвертого n-p-n 19, чотирнадцятого n-p-n 27, шістнадцятого n-p-n 33, а також колектор двадцятого p-n-p 37 біполярних транзисторів з'єднано з шиною від'ємного живлення 40, колектори 9 п'ятнадцятого p-n-p 28 і шістнадцятого n-p-n 33 з'єднано з емітерами тридцять першого p-n-p 29 і тридцять другого n-p-n 32 біполярних транзисторів відповідно, колектори тридцять першого p-n-p 29 і тридцять другого n-p-n 32 біполярних транзисторів з'єднано з колекторами сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого p-n-p 31 біполярних транзисторів відповідно, а також з колекторами тридцять третього n-p-n 41 та тридцять четвертого p-n-p 42, та з базами дванадцятого n-p-n 23 і дев'ятнадцятого np-n 34 та тринадцятого p-n-p 26 і двадцятого p-n-p 37 біполярних транзисторів відповідно, емітери сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого p-n-p 31 біполярних транзисторів об'єднано, емітери тридцять третього n-p-n 41 та тридцять четвертого p-np 42 біполярних транзисторів об'єднано, бази сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого p-n-p 31 біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять п'ятого n-p-n 24 і двадцять шостого p-n-p 25 біполярних транзисторів відповідно, а також з емітерами дванадцятого n-pn 23 і тринадцятого p-n-p 26 біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять п'ятого n-p-n 24 і двадцять шостого p-n-p 25 біполярних транзисторів об'єднано, емітери дев'ятнадцятого n-p-n 34 і двадцятого p-n-p 37 біполярних транзисторів з'єднано з базами та колекторами двадцять сьомого n-p-n 35 і двадцять восьмого pn-p 36, а також з базами тридцять третього n-p-n 41 та тридцять четвертого p-n-p 42 біполярних транзисторів відповідно, емітери двадцять сьомого n-p-n 35 і двадцять восьмого p-n-p 36 біполярних транзисторів об'єднано та з'єднано з другими виводами резистора зворотного зв'язку 20 та коригуючого конденсатора 21, а також з вихідною шиною 39. Пристрій працює таким чином. Вхідний сигнал у вигляді струму поступає на вхідну шину 4. Якщо вхідний струм втікає у схему, то другий p-n-p 17 біполярний транзистор привідкривається, а перший n-p-n 14 біполярний транзистор призакривається. Відповідно тридцять другий n-p-n 32 і шістнадцятий p-n-p 33 привідкриваються, тридцять перший p-n-p 29 і п'ятнадцятий p-n-p 28 призакриваються. При цьому потенціал точки об'єднання емітерів сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого pn-p 31 біполярних транзисторів зменшується і прямує до - Еж. При цьому вихідна шина 39 відслідковує потенціал об'єднання емітерів сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого p-n-p 31 біполярних транзисторів і також зменшується та наближається до - Еж Якщо вхідний струм витікає зі схеми, то другий p-n-p 17 біполярний транзистор призакривається, а перший n-p-n 14 біполярний транзистор при відкривається. 41857 10 Відповідно тридцять другий n-p-n 32 і шістнадцятий p-n-p 33 призакриваються, тридцять перший p-n-p 29 і п'ятнадцятий p-n-p 28 привідкриваються. При цьому потенціал точки об'єднання емітерів сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого p-n-p 31 біполярних транзисторів збільшується і прямує до Еж. При цьому вихідна шина 39 відслідковує потенціал об'єднання емітерів сімнадцятого n-p-n 30 і вісімнадцятого pn-p 31 біполярних транзисторів і також збільшується та наближається до Еж. Джерело струму 2 та дев'ятий 1, двадцять перший p-n-p 5, сьомий p-n-p 6, п'ятий n-p-n 7, а також десятий n-p-n 3, двадцять другий n-p-n 11, восьмий n-p-n 10, шостий p-n-p 9 біполярні транзистори та шина нульового потенціалу 8 утворюють схему завдання режиму по постійному струму. Перший n-p-n 14 та другий p-n-p 17 біполярні транзистори утворюють двотактний симетричний вхідний каскад. Двадцять третій n-p-n 15 та двадцять четвертий p-n-p 16 біполярні транзистори в діодному вмиканні забезпечують необхідний струм зміщення для роботи першого n-p-n 14 та другого p-n-p 17 біполярних транзисторів. Третій p-n-p 12 та одинадцятий p-n-p 22, а також четвертий n-p-n 19 та чотирнадцятий n-p-n 27 біполярні транзистори являють собою відбивачі струму, які завдають струм зміщення для парафазних відбивачів струму, що побудовані на дванадцятому n-p-n 23, двадцять п'ятому n-p-n 24, сімнадцятому n-p-n 30, а також на тринадцятому pn-p 26, двадіщть шостому p-n-p 25, вісімнадцятому p-n-p 31 біполярних транзисторах. П'ятнадцятий pn-p 28, двадцять дев'ятий p-n-p 13, тридцять перший p-n-p 29, а також шістнадцятий n-p-n 33, тридцятий n-p-n 18, тридцять другий n-p-n 32 утворюють підсилювальні каскади. Коригуючий конденсатор 21 коригує АЧХ і запобігає генерації. Резистор зворотного зв'язку 20 задає коефіцієнт підсилення. Сімнадцятий n-p-n 30, дев'ятнадцятий n-p-n 34 і двадцять сьомий n-p-n 35, а також вісімнадцятий p-n-p 31 двадцятий p-n-p 37 і двадцять восьмий pn-p 36 біполярні транзистори утворюють двотактний симетричний вихідний каскад. Двадцять сьомий n-p-n 35 та восьмий p-n-p 10 біполярні транзистори у діодному вмиканні забезпечують необхідний струм зміщення у вихідному каскаді. Тридцять третій n-p-n 41 та тридцять четвертий pn-p 42 у поєднанні відповідно з дев'ятнадцятим np-n 34 та двадцятим p-n-p 37 біполярними транзисторами утворюють складений транзистор Дарлінггона. Шини додатного 38 і від'ємного 40 живлення, а також шина нульового потенціалу 8 забезпечують потрібний рівень напруги для живлення схеми. 11 Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 41857 Підписне 12 Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601