Патенти з міткою «cssrcl3:eu2+»

Спосіб отримання монокристалів cssrcl3:eu2+ високої чистоти

Завантаження...

Номер патенту: 114453

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Реброва Надія Василівна, Гриппа Олександр Юрійович, Тарасов Володимир Олексійович, Реброва Тетяна Павлівна, Пономаренко Тамара Володимирівна, Чергінець Віктор Леонідович

МПК: C30B 9/00, C09K 11/77

Мітки: високої, спосіб, чистоти, монокристалів, cssrcl3:eu2+, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування активованих монокристалів CsSrCl3:Eu2+, який включає синтез вихідної сировини, плавлення та очищення отриманого розплаву парою чотирихлористого вуглецю в потоці аргону, вакуумування та вирощування монокристалу, який відрізняється тим, що під час синтезу вихідну сировину активують.