C30B 9/00 — Вирощування монокристалів з розплавів з використанням розплавлених розчинників

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/04, C30B 13/00 ...

Мітки: розплаву-розчину, твердих, спрямовано, cu1-xagx)7ges5i, спосіб, кристалізації, вирощування, методом, складу, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: розплаву-розчину, методом, cu7ges5i, спрямовано, вирощування, кристалізації, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 13/00, C30B 13/04, C30B 9/00 ...

Мітки: розчину, розплаву, методом, кристалізації, спрямовано, вирощування, спосіб, ag7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 114453

Опубліковано: 10.03.2017

Автори: Пономаренко Тамара Володимирівна, Тарасов Володимир Олексійович, Чергінець Віктор Леонідович, Реброва Надія Василівна, Гриппа Олександр Юрійович, Реброва Тетяна Павлівна

МПК: C09K 11/77, C30B 9/00

Мітки: cssrcl3:eu2+, отримання, чистоти, спосіб, монокристалів, високої

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування активованих монокристалів CsSrCl3:Eu2+, який включає синтез вихідної сировини, плавлення та очищення отриманого розплаву парою чотирихлористого вуглецю в потоці аргону, вакуумування та вирощування монокристалу, який відрізняється тим, що під час синтезу вихідну сировину активують.

Номер патенту: 73171

Опубліковано: 10.09.2012

Автори: Ягупов Сергій Володимирович, Постивей Наталя Сергіївна, Стругацький Марк Борисович

МПК: C30B 9/00

Мітки: заданою, іонів, монокристалів, вирощування, fexga1-xbo3, концентрацією, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів FexGa1-xBO3 із заданою концентрацією іонів Fe і Ga, що включає нагрівання шихти, що містить, Fe2O3, Ga2O3, В2О3, PBO, РbРr при постійному перемішуванні, витримку розчин-розплаву і його перемішування і охолоджування розчин-розплаву, який відрізняється тим, що компоненти беруть в співвідношенні, мас. %: (Fe2O3+Ga2O3) - 18,6; В2О3 - 42,4; PBO - 27,3; PbF2 - 11,7, нагрівають до 900-950 °C з...

Номер патенту: 67792

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Маник Орест Миколайович, Савчук Андрій Йосипович, Маник Тетяна Орестівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Білинський-Слотило Володимир Романович

МПК: H01L 29/00, C30B 29/26, C30B 31/20, C30B 9/00 ...

Мітки: fesexte1-x, отримання, процес, розчинів, монокристалічних, злитків, fese, твердих

Формула / Реферат:

1. Процес отримання монокристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, синтезу та подальшої перекристалізації при заданій температурі розплаву Тр, який відрізняється тим, що значення температури розплаву Тр визначають температурою формування першої складової тонкої структури хімічного зв'язку кристалу, який вирощується.2. Процес за п. 1, який відрізняється тим, що у...

Номер патенту: 57163

Опубліковано: 10.02.2011

Автори: Маник Орест Миколайович, Білинський-Слотило Володимир Романович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 29/00, C30B 31/20, C30B 9/00, C30B 29/46 ...

Мітки: fese, отримання, полікристалічних, злитків, розчинів, твердих, fesexte1-x, процес

Формула / Реферат:

Процес створення полікристалічних злитків FeSe, FeTe та твердих розчинів FeSexTe1-x, що складається з етапів завантаження наважки, розміщення її у технологічній печі і проведення синтезу, який відрізняється тим, що на етапі синтезу розплав піддають дії зовнішнього магнітного поля, яке обертається навколо осі наважки.

Номер патенту: 82180

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Канбара Ясуо, Двілінскі Роберт, Дорадзінскі Роман, Сешпутовскі Лешек П., Гаршінскі Єжі

МПК: C30B 9/00, C30B 29/38, C30B 25/18 ...

Мітки: об'ємний, епітаксії, галію, варіанти, основа, нітриду, монокристал

Формула / Реферат:

1. Об'ємний монокристал нітриду галію як основа для епітаксії, який відрізняється тим, що його поперечний переріз у площині, перпендикулярній с-осі гексагональної кристалічної решітки нітриду галію, має площу поверхні більше 100 мм2, його товщина більше 1,0 мкм і його щільність поверхневих дислокацій площини С менше 106 /см2, тоді як його об'єм достатній для одержання щонайменше однієї придатної для подальшої обробки пластини з неполярною...

Номер патенту: 70133

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євгеній Юлійович, Габорець Наталія Йосипівна, Цигика Володимир Васильович, Черешня Володимир Михайлович, Галаговець Іван Васильович

МПК: C30B 9/00, C30B 11/00, C01G 15/00 ...

Мітки: tl6scl4, сполук, спосіб, одержання, монокристалів, tl6sbr4, талію(і)сульфотетраброміду, талію(і)сульфотетрахлориду

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу сполуки талію(І)сульфотетрахлориду Tl6SCl4, який включає вирощування монокристалу із розчину за методом Бріджмена, який відрізняється тим, що беруть вихідну шихту наступного складу (мол.%):Tl2S -29,00TlCl-71,00,при цьому для процесу вирощування монокристалу Tl6SCl4 встановлюють задану швидкість переміщення фронту кристалізації 0,1 - 0,3 мм/годину, температурний градієнт у зоні...

Номер патенту: 78705

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Сєжпутовскі Лєшек Пьотр, Дорадзінскі Роман Марек, Гарчінскі Єжи, Канбара Ясуо, Двілінскі Роберт Томаш

МПК: C30B 7/00, C30B 29/40, C30B 9/00 ...

Мітки: нітриду, апарат, містить, об`ємного, галій, процес, одержання, монокристала

Формула / Реферат:

1. Процес одержання кристала галієвмісного нітриду, який включає наступні стадії:1) подають галієвмісний вихідний матеріал, компонент, що містить лужний метал, принаймні один зародок кристалізації та азотовмісний розчинник у щонайменше один контейнер;2) переводять азотовмісний розчинник у надкритичний стан;3) принаймні частково розчиняють галієвмісний вихідний матеріал при першій температурі і при першому тиску...

Номер патенту: 71914

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Матвіїв Мирон Васильович, Луців Роман Васильович, Морозов Леонід Михайлович

МПК: C30B 9/00, C30B 28/00, C30B 30/00 ...

Мітки: кристалів, напівпровідникових, основі, халькогенідів, спосіб, отримання, ртуті

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті методом твердотільної рекристалізації, який містить відпал в кварцевій ампулі полікристалічної матриці, який відрізняється тим, що відпал проводять у присутності порошку матеріалу матриці і активованого вугілля, що заповнює весь вільний простір ампули.

Номер патенту: 61318

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Богданова-Борець Олександра Василівна, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрієвич

МПК: C30B 9/00

Мітки: кристала, спосіб, одержання, тіогалату, кадмію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кристала тіогалату кадмію, який включає виготовлення подвійної ампули з плавленого кварцу, розміщення в порожнині внутрішньої ампули шихти тіогалату кадмію, розплавлення шихти тіогалату кадмію та її направлену кристалізацію, який відрізняється тим, що внутрішню ампулу з шихтою вакуумують і заварюють, а в порожнину зовнішньої ампули перед її герметизацією вводять аргон при тискові 1.105-3.105 Па.

Номер патенту: 10920

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Нагорний Петро Арсенійович, Боримський Олександр Іванович

МПК: C01B 31/06, B01J 3/06, C22C 38/02 ...

Мітки: алмазів, розчинник, синтезу, вуглецю

Формула / Реферат:

1. Растворитель углерода для синтеза алмазов, включающий железо и марганец, отличающийся тем, что он дополнительно содержит кремний при следующих соотношениях компонентов, маc. %:железо                        30,0-80,0марганец                    15,0-65,0кремний                     0,5-8,5.2. Растворитель углерода по п. 1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит, по крайней мере, один легирующий элемент,...