Патенти з міткою «гетерограниці»
Спосіб отримання різкого профілю розподілу легуючих домішок на гетерограниці ngaas/palgaas
Номер патенту: 67082
Опубліковано: 25.01.2012
Автор: Ірина Фостер
МПК: H01L 31/18
Мітки: легуючих, спосіб, домішок, різкого, профілю, гетерограниці, отримання, розподілу
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання різкого профілю розподілу легуючих домішок на гетерограниці nGaAs/pAlGaAs в температурному інтервалі 600-800 °C, що включає послідовне осадження із газової фази епітаксійного шару n+GaAs із TMGa, AsH3 та джерела n - домішки (SiH4), шару pAlGaAs із TMGa, TMAl, AsH3 та джерела домішки р-типу (DEZn), яке проводять без переривання подачі компонент в газову фазу на гетерограниці nGaAs/pAlGaAs, який відрізняється тим, що...