Ірина Фостер
Спосіб отримання різкого профілю розподілу легуючих домішок на гетерограниці ngaas/palgaas
Номер патенту: 67082
Опубліковано: 25.01.2012
Автор: Ірина Фостер
МПК: H01L 31/18
Мітки: спосіб, гетерограниці, різкого, отримання, профілю, домішок, розподілу, легуючих
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання різкого профілю розподілу легуючих домішок на гетерограниці nGaAs/pAlGaAs в температурному інтервалі 600-800 °C, що включає послідовне осадження із газової фази епітаксійного шару n+GaAs із TMGa, AsH3 та джерела n - домішки (SiH4), шару pAlGaAs із TMGa, TMAl, AsH3 та джерела домішки р-типу (DEZn), яке проводять без переривання подачі компонент в газову фазу на гетерограниці nGaAs/pAlGaAs, який відрізняється тим, що...