Патенти з міткою «голчастих»

Номер патенту: 103599

Опубліковано: 25.12.2015

Автор: Левандовський Борис Іванович

МПК: B82B 1/00

Мітки: енергії, кристалів, покриття, відносної, внаслідок, спосіб, поверхневої, зміни, визначення, шару, голчастих, тонкого, металевого, появи

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення відносної зміни поверхневої енергії голчастих кристалів внаслідок появи тонкого шару металевого покриття, який відрізняється тим, що чисельне значення величини знаходять завдяки вимірюванню параметрів діючого електричного поля на зразок в польовому іонному мікроскопі (ПІМ), причому шукану величину розраховують за формулою:γ2/γ1=(U02/U01),2 (1)де U01 та U02 - напруги електричного поля під час...

Номер патенту: 93787

Опубліковано: 10.10.2014

Автор: Левандовський Борис Іванович

МПК: B82B 1/00

Мітки: бамбуковою, визначення, зразках, голчастих, границь, структурою, спосіб, розділу, енергії

Формула / Реферат:

Спосіб визначення енергії границь розділу в голчастих кристалах з бамбуковою структурою, який відрізняється тим, що значення енергії визначають завдяки вимірюванню параметрів діючого електричного поля на зразок під час його розриву по границі міжзеренного сполучення при об'ємному скануванні в польовому іонному мікроскопі, причому шукану величину розраховують за формулами в залежності від знання відповідних характеристик кристалічної решітки...

Номер патенту: 85149

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Левандовський Борис Іванович

МПК: G01B 11/06, B82B 1/00

Мітки: визначення, міжзеренного, структурою, бамбуковою, голчастих, товщини, прошарку, абсолютної, зразках, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення абсолютної товщини міжзеренного прошарку в голчастих зразках з бамбуковою структурою, який відрізняється тим, що вимірюють параметри діючого електричного поля на зразок під час його атомного випаровування, здійснюючи його об'ємне сканування за допомогою польового іонного мікроскопа, після цього шукану величину розраховують за формулою ,де