Патенти з міткою «кристалів»

Номер патенту: 119994

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Коптєв Михайло Михайлович, Агарков Костянтин Володимирович

МПК: C30B 15/10

Мітки: вирощування, температурним, розширення, від'ємним, об`ємного, речовин, кристалів, тигель, коефіцієнтом

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів із речовин з від'ємним температурним коефіцієнтом об'ємного розширення, виконаний у вигляді циліндра, пласке дно якого з'єднане з циліндричною боковою поверхнею по сферичній поверхні, який відрізняється тим, що бокова поверхня тигля виконана у вигляді хвилястого профілю.

Номер патенту: 114956

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Корякін Володимир Михайлович, Гайдін Олександр Володимирович, Іванець Валерій Григорович

МПК: G21F 9/00, G21F 9/04, G21F 9/06 ...

Мітки: дезактивації, витиснення, розчинів, спосіб, радіоактивних, режимі, кристалів, високосольових, відмиванням

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі, кристалізацію з отриманням: кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Номер патенту: 114954

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Корякін Володимир Михайлович, Гайдін Олександр Володимирович, Іванець Валерій Григорович

МПК: G21F 9/06, G21F 9/00, G21F 9/04 ...

Мітки: відмиванням, радіоактивних, високосольових, кристалів, змішування, режимі, розчинів, дезактивації, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів в режимі змішування, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі та кристалізацію з отриманням кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Номер патенту: 118064

Опубліковано: 25.07.2017

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович

МПК: C30B 29/68

Мітки: властивостями, bi2te3, температури, кристалів, матеріалів, спосіб, кімнатний, основі, одержання, феромагнітними, шаруватих, bi2se3, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, що базується на методі електрохімічного інтеркалювання іонів кобальту Со2+ у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників Bi2Se3, Ві2Те3, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в постійному магнітному полі, направленому паралельно базовій площині кристалу та...

Номер патенту: 117363

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Федорчук Анатолій Олександрович, Парасюк Олег Васильович, Фочук Петро Михайлович, Дремлюженко Сергій Григорович

МПК: C09G 1/02, H01L 21/302

Мітки: tl4hgi6, поверхні, полірування, склад, tl4cdi6, tl4pbi6, хіміко-механічного, аiiibiicvii, кристалів

Формула / Реферат:

Склад для хіміко-механічного полірування кристалів AIIIBIICVII (Tl4HgI6, Tl4PbI6, Tl4CdI6), що містить аеросил (марок А-175, A-300), луг, окисник, гліцерин, воду, який відрізняється тим, що заявлений склад додатково містить моноетаноламін, а як окисник застосовують гексаціаноферат (III) калію (K3[Fe(CN)6]), при наступному співвідношенні компонентів: аеросил (марок А-175, А-300) 0,17 моль/л, ...

Номер патенту: 116902

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Мирончук Галина Леонідівна, Коровицький Андрій Михайлович, Махновець Ганна Володимирівна, Замуруєва Оксана Валеріївна, Кітик Іван Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: фоторезисторів, спосіб, отримання, основі, tlinse2, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фоторезисторів на основі TlInSe2, що включає вирощування шаруватого монокристалу за модифікованим методом Бріджмена, складання фоторезистора та вибір фоточутливості при освітленні монохроматичним світлом, який відрізняється тим, що в процесі вирощування монокристалу його легують селенідом цинку, а як монохроматичне освітлення використовують інфрачервоний діапазон світла.

Номер патенту: 115977

Опубліковано: 10.05.2017

Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч

МПК: H01L 21/477

Мітки: кристалів, селеніду, обробки, поверхні, цинку, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів селеніду цинку, що включає механічне полірування, хімічну обробку, відмивання у киплячій дистильованій воді та сушіння підкладинок селеніду цинку, який відрізняється тим, що підкладинку послідовно за 6-8 циклів обробляють в суміші H2SO4:H2O2=3:1 при 60-70 °С і дистильованій воді при 20 °С протягом 30-60 с.

Номер патенту: 115640

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Костенюкова Олена Ігоревна, Коваленко Назар Олегович, Долженкова Олена Федорівна, Притула Ігор Михайлович, Безкровна Ольга Миколаївна

МПК: C30B 7/00

Мітки: вирощування, спосіб, кристалів, калію, дигідрофосфату, допованих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування допованих кристалів дигідрофосфату калію, який включає приготування розчину солі дигідрофосфату калію, додавання домішки амінокислоти L-аргінін у розчин, виготовлення та встановлення затравки, заливку розчину у кристалізатор, вирощування кристала при реверсивному перемішуванні розчину 60-80 об./хв, який відрізняється тим, що домішку додають у розчин в концентрації 0,3-1,4 мас. %, а вирощування кристала ведуть методом...

Номер патенту: 113591

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Горбачова Тетяна Євгенівна, Андрющенко Любов Андріївна, Тарасов Володимир Олексійович, Бобовніков Олександр Анатолійович, Галенін Євгеній Петрович, Реброва Надія Василівна

МПК: G01T 1/202

Мітки: спосіб, поверхонь, виготовлення, кристалів, високогігроскопічних, сцинтиляторів, галоїдних, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхонь високогігроскопічних галоїдних кристалів для виготовлення сцинтиляторів, що включає обробку торцевих поверхонь кристалів композиціями, які містять абразивний порошок з гексаметилдисилазаном в складі, промивку поверхонь гексаметилдисилазаном, полірування поверхні сцинтилятора з боку вихідного вікна абразивом з розміром зерна 3-5 мкм та обробку поверхні сцинтилятора з боку вхідного вікна, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 109745

Опубліковано: 12.09.2016

Автори: Котляров Валерій Павлович, Рогульський Дмитро Миколайович

МПК: B23K 26/04

Мітки: розділення, лазерним, установка, променем, кристалів

Формула / Реферат:

Установка для кристалів лазерним променем, який утримує лазер, оптичну систему із двох перетворюючих лінз - сферичної та циліндричної, розташованих одна за одною на осі променя з можливістю переміщення сферичної лінзи вздовж нього, та стіл для розташування заготівки, який відрізняється тим, що в оптичній системі додатково використовується друга циліндрична лінза, яка розташована під першою таким чином, що їх осі перехрещуються під нормальним...

Номер патенту: 109140

Опубліковано: 10.08.2016

Автори: Кітик Іван Васильович, Пясецький Міхал, Мирончук Галина Леонідівна, Замуруєва Оксана Валеріївна

МПК: H01L 31/00, C30B 31/00, C22C 45/00 ...

Мітки: підвищення, спосіб, халькогеніду, індинату, tiinse2, фотопровідності, талію, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб підвищення фотопровідності кристалів халькогеніду індинату талію (TlInSe2), що включає завантаження його у ростовий контейнер, відкачку останнього, вміщення його у піч, виведення її на температурний режим та введення легуючих елементів, який відрізняється тим, що у ростовий контейнер з халькогенідом індинату талію одночасно завантажують лігатуру, до складу якої вводять елементи IV групи кремній (Si) та германій (Ge).2....

Номер патенту: 107292

Опубліковано: 25.05.2016

Автори: Сенко Ілля Михайлович, Кінзерська Оксана Володимирівна, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 25/00, C30B 31/00

Мітки: елементами, рідкісноземельними, спосіб, znse<te&#62, легування, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів ZnSe<Te> рідкісноземельними елементами, що включає відпал напівпровідникових пластин у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі при температурі 1400±10 К, який відрізняється тим, що відпал пластин ZnSe<Te> товщиною d проводять у присутності елементарного селену та подрібненого рідкісноземельного металу (ітербію або гадолінію) протягом часу ta, який розраховується за формулою ta³4.106.d2, с, де d...

Номер патенту: 111560

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Сингаївський Олександр Федорович, Пекар Григорій Соломонович, Локшин Михайло Маркович

МПК: C30B 23/00, C30B 25/00, C30B 35/00 ...

Мітки: сублімації, пристрій, кристалів, вільного, вирощування, методом

Формула / Реферат:

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації, який відрізняється тим, що з метою його багаторазового використання при температурах до 1800 - 2000 °С пристрій є розбірним і включає сапфіровий ростовий тигель у формі відкритої з обох сторін труби, нижній торець якої виконаний шорсткуватим і встановлений на сапфіровій пластині, на поверхні пластини всередині ростового тигля розташована кругла зародкова пластина з вирощуваного...

Номер патенту: 106400

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Цибуленко Юрій Михайлович, Ковалюк Захар Дмитрович, Боледзюк Володимир Богданович

МПК: C30B 29/68

Мітки: властивостями, спосіб, матеріалів, in2se3, отримання, напівпровідникових, шаруватих, кристалів, феромагнітними, нанокомпозитних, inse, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання нанокомпозитних напівпровідникових матеріалів, які мають феромагнітні властивості при кімнатній температурі, ґрунтується на методі електрохімічного впровадження (інтеркалювання) іонів кобальту у міжшаровий простір монокристалів шаруватих напівпровідників InSeб In2Se3, InTe, який відрізняється тим, що процес впровадження іонів кобальту відбувається у зразки, які розташовані в градієнтному магнітному полі, направленому...

Номер патенту: 106155

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Комаров В'ячеслав Володимирович, Закусило Роман Васильович, Банішевський Віктор Васильович, Проценко Олександр Миколайович

МПК: C30B 7/00

Мітки: сферичних, спосіб, кристалів, ізогідричним, методом, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання сферичних кристалів ізогідричним методом полягає у розчиненні вхідної сировини та кристалізації сферичних кристалів ізогідричним методом із розчину з використанням трьох зон кристалізації, що доповнюють одна одну і мають різні закони переміщення маси водної суспензії під дією декількох фізичних сил за рахунок керованого зазору між мішалкою і днищем апарату кристалізатора-модифікатора, що надає можливість отримувати округлі...

Номер патенту: 111318

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Фуше Стефані, Карвен Філіпп

МПК: C07C 51/43, C07C 55/14

Мітки: кислоти, спосіб, одержання, кристалів, адіпінової

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів адипінової кислоти з розчину адипінової кислоти, що включає принаймні одну стадію очищення кристалізацією та одну стадію відділення й відновлення кристалів адипінової кислоти, який відрізняється тим, що кристали адипінової кислоти піддають стадії подрібнення перед стадією відділення та відновлення, який включає наступні стадії:- фазу кристалізації в кристалізаторі, - фазу репульпації кристалів у...

Номер патенту: 105888

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Іванець Валерій Григорович, Гайдін Олександр Володимирович, Корякін Володимир Михайлович

МПК: G21F 9/00, G21F 9/06, G21F 9/04 ...

Мітки: радіоактивних, спосіб, високосолевих, кристалів, дезактивації, розчинів, змішування, відмиванням, режимі

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосолевих радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів в режимі змішування, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі та кристалізацію з отриманням кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Номер патенту: 105563

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Корякін Володимир Михайлович, Іванець Валерій Григорович, Гайдін Олександр Володимирович

МПК: G21F 9/04, G21F 9/06, G21F 9/00 ...

Мітки: кристалів, дезактивації, радіоактивних, витиснення, розчинів, режимі, високосольових, спосіб, відмиванням

Формула / Реферат:

1. Спосіб дезактивації високосольових радіоактивних розчинів з відмиванням кристалів у режимі витіснення, що включає попереднє очищення високосольових радіоактивних розчинів на механічному фільтрі, кристалізацію з отриманням: кристалічного продукту і радіоактивного розчину з заданим рівнем питомої радіоактивності, який відрізняється тим, що кристалізацію очищеного високосольового радіоактивного розчину здійснюють спочатку упарюванням з...

Номер патенту: 104557

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Висоцька Наталія Андріївна, Клімовська Алла Іванівна, Чайковський Юрій Богданович, Ліходієвський Володимир Володимирович, Корсак Аліна Вадимівна

МПК: A61K 50/00, A61P 25/02, A61B 17/00 ...

Мітки: нитковидних, нервових, тканин, регенерації, спосіб, кристалів, використанням, кремнію, електростимуляції

Формула / Реферат:

1. Спосіб стимуляції регенерації нервових тканин, який включає формування на травмованій частині нерва локальної області з біосумісного матеріалу, яка містить кристали кремнію, який відрізняється тим, що локальну область формують у вигляді трубки, в якій розміщують паралельно осі трубки між проксимальним і дистальним кінцями травмованого нерва нитковидні кристали кремнію, величина поперечного перетину яких перевищує або порядку величини...

Номер патенту: 103599

Опубліковано: 25.12.2015

Автор: Левандовський Борис Іванович

МПК: B82B 1/00

Мітки: шару, появи, металевого, тонкого, енергії, кристалів, спосіб, відносної, визначення, покриття, голчастих, зміни, внаслідок, поверхневої

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення відносної зміни поверхневої енергії голчастих кристалів внаслідок появи тонкого шару металевого покриття, який відрізняється тим, що чисельне значення величини знаходять завдяки вимірюванню параметрів діючого електричного поля на зразок в польовому іонному мікроскопі (ПІМ), причому шукану величину розраховують за формулою:γ2/γ1=(U02/U01),2 (1)де U01 та U02 - напруги електричного поля під час...

Номер патенту: 110017

Опубліковано: 10.11.2015

Автор: Мізрахі Йозеф

МПК: C30B 29/00, B01D 9/00

Мітки: кристалів, пристрій, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

1. Реакційно-кристалізаційний пристрій для проведення реакції і (або) екстрагування розчинником і (або) кристалізації розчинних солей, при цьому пристрій включає:• верхню секцію, яка має верхню частину і декантор, при цьому декантор включає:§  вертикальну ємність, оснащену горизонтальним зливом у верхній частині верхньої секції;§  випускний отвір у верхній частині верхньої секції для відведення легкої фази у...

Номер патенту: 100924

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Баловсяк Сергій Васильович, Фодчук Ігор Михайлович, Ткач Василь Миколайович

МПК: G06T 17/30, G06F 17/17, G01T 1/16 ...

Мітки: інтенсивності, деформацій, зворотної, відбивних, спосіб, розподілу, визначення, основі, профілів, кристалів, електронів, локальних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення локальних деформацій кристалів на основі профілів розподілу інтенсивності зворотно відбитих електронів, що отримані за методом Кікучі в множині областей кристалу, який полягає в тому, що для кожної області кристалу значення локальної деформації обчислюють через площу під інтерпольованим профілем z(х) смуги Кікучі, отриманої в скануючому електронному мікроскопі від відповідної області досліджуваного кристалу, а значення...

Номер патенту: 108831

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Росляков Сергій Миколайович, Кудрявцев Сергій Володимирович

МПК: G01N 21/00, G01N 21/85, G01N 21/17 ...

Мітки: утфелях, пристрій, концентрації, кристалів, вимірювання, цукру

Номер патенту: 108798

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Колесніков Олександр Володимирович, Таранюк Володимир Іванович, Гектін Олександр Вульфович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/00

Мітки: площі, одержання, великої, кристалічних, зокрема, спосіб, кристалів, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання кристалів, зокрема кристалічних пластин великої площі, що включає завантаження початкової сировини в контейнер, який розташовують у охолоджуваній вакуумній камері, плавлення сировини з утворенням розплаву в гарнісажі омічним нагрівачем, який розташовують над контейнером паралельно поверхні розплаву, при цьому площа вказаного нагрівача менше площі контейнера, який забезпечує гарнісажний шар біля його стінок завтовшки 5-10...

Номер патенту: 108412

Опубліковано: 27.04.2015

Автори: Касинський Євген Ігорович, Сингаївський Олександр Федорович, Пекар Григорій Соломонович

МПК: C30B 29/08, C30B 33/04, C22B 41/00 ...

Мітки: германію, обробки, вилучення, ріжучим, кристалів, спосіб, металічного, інструментом, відходів

Формула / Реферат:

Спосіб вилучення металічного германію з відходів обробки кристалів германію ріжучим інструментом, який відрізняється тим, що охолоджуючу ріжучий інструмент воду разом з відходами германію, які в ній знаходяться, відстоюють приблизно протягом доби для осадження суспензії порошку великої фракції, рідину зливають у окремі ємності, осаджений порошок виймають з накопичувальної ємності і осушують в інертній атмосфері (перший етап вилучення), до...

Номер патенту: 107982

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Сафронов Роман Ігоревич, Андрєєв Євген Петрович, Андрєєв Олександр Євгенійович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/34, C30B 15/32, C30B 15/36 ...

Мітки: пристрій, профільованих, кристалів, витягування

Формула / Реферат:

Пристрій для витягування профільованих кристалів, що включає шток витягаючого механізму, який розташовано співвісно або має зсув у горизонтальній площині щодо осі тигля, на якому закріплено затравкоутримувач у вигляді диска з затравками, який відрізняється тим, що затравкоутримувач з затравкою кріпиться до штоку витягаючого механізму, через перехідну муфту, в якій за допомогою гвинтів для фіксування, закріплено шток горизонтальної втулки, що...

Номер патенту: 95790

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Склярчук Валерій Михайлович, Махній Віктор Петрович, Ульяницький Констянтин Сергійович

МПК: C30B 31/06

Мітки: cd1-xmnxte, отримання, напівізолюючих, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівізолюючих кристалів Cd1-xMnxTe, що включає легування домішкою Sn, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок Cd1-xMnxTe у вакуумованій до 10-4 Торр кварцовій ампулі в насиченій парі Sn при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 95348

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Копил Олександр Іванович, Литвин Оксана Степанівна, Литвин Петро Мар'янович, Маланич Галина Петрівна, Томашик Василь Миколайович, Стратійчук Ірина Борисівна, Томашик Зінаїда Федорівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: поверхні, плюмбум, кристалів, pb1-xsnxte, спосіб, телуриду, розинів, полірованої, твердих, формування

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Старжинський Микола Григорович, Зеня Ігор Михайлович, Жуков Олександр Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/48

Мітки: цинку, сульфіду, спосіб, селеном, активованих, термообробки, сцинтиляційних, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Номер патенту: 86224

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Гумінов Валентин Валерійович, Савицький Сергій Олександрович, Кузнєцов Юрій Миколайович

МПК: B28D 5/00, B23B 3/00

Мітки: кристалів, верстат, обточування

Формула / Реферат:

Верстат для обточування кристалів, що містить передню і задню бабки зі шпинделями і приводами синхронного обертання кристала-виробу від проміжного вала, супортну систему з окремими приводами радіального переміщення з передачею гвинт-гайка від крокових електродвигунів і осьового переміщення від ексцентрикового кулачка супорта з розташованими на ньому інструментами, який відрізняється тим, що додатково оснащений декількома парами передніх і...

Номер патенту: 84343

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Слободяник Микола Семенович, Іваненко Володимир Ігорович, Затовський Ігор Вікторович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/04, C01G 23/00 ...

Мітки: синтезу, розплавного, гафнійвмісних, цирконій, кристалів, спосіб, kтіоро4

Формула / Реферат:

1. Спосіб розплавного синтезу цирконій- або гафнійвмісних кристалів КТiОРО4 шляхом взаємодії порошку фторидів цирконію (гафнію) з розплавом фосфатів калію та оксиду титану.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок внесення МIV F4 (МIV-Zr чи Hf) у розчин-розплав.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що більшу розчинність цирконію або гафнію досягають за рахунок...

Номер патенту: 83683

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Червоний Іван Федорович, Реков Юрій Васильович

МПК: C30B 13/20

Мітки: кристалів, методом, плавки, вирощування, індуктор, зонної, безтигельної

Формула / Реферат:

1. Індуктор для вирощування кристалів методом безтигельної зонної плавки у вигляді тарілчастої котушки з каналом для пропускання охолоджуючого середовища по периферії, центральним круговим отвором і наскрізним радіальним прорізом, по краях якого розташовані патрубки для підключення до джерела електричного живлення і для підведення охолоджуючого середовища, при цьому концентрично центральному отвору виконані периферичні отвори, з'єднані...

Номер патенту: 79780

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Наконечний Ігор Йосипович, Фочук Петро Михайлович, Копач Олег Вадимович, Панчук Олег Ельпідефорович, Вержак Євгенія Васлівна

МПК: C30B 11/12, C30B 11/00, C30B 11/04 ...

Мітки: другої, кристалів, спосіб, основі, усунення, включень, фазі

Формула / Реферат:

Спосіб усунення включень другої фази з кристалів на основі CdTe, що включає термообробку зразка в парі кадмію в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять при температурі зразка 1100 К і джерела пари кадмію 1070 К протягом 2 годин з наступним програмованим охолодженням зі швидкістю 5 К/хвилина.

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Люба тетяна Сергіївна, Фреїк Дмитро Михайлович, Рачковський Олег Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Криськов Цезарій Андрійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: змінним, температури, кристалів, градієнтом, розплаву, пристрій, вирощування, кристалізації, області

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Номер патенту: 76617

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Кудринський Захар Русланович

МПК: H01G 4/06

Мітки: монокристалічних, підкладинках, шаруватих, спосіб, селеніду, gаsе, виготовлення, кристалів, плівок, структури, кадмію, гексагональної

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення монокристалічних плівок селеніду кадмію гексагональної структури на підкладинках шаруватих кристалів GaSe, що включає їх відпал у парі кадмію, який відрізняється тим, що як підкладинки використовуються шаруваті кристали моноселеніду галію.

Номер патенту: 76470

Опубліковано: 10.01.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: селеніду, цинку, легування, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб легування селеніду цинку, що включає механічну і хімічну обробки підкладинок та їх відпал, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять у присутності наважки олова Sn та подрібненої шихти ZnSe при температурі 850±50 °C.

Номер патенту: 74738

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Крітська Тетяна Володимірівна, Карпенко Ганна Володимировна, Богомаз Анатолій Володимирович

МПК: B01J 16/00, B01J 19/00

Мітки: формоутворювача, вирощування, пристрій, великогабаритних, германію, заглибного, кристалів, методом, обертового

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування великогабаритних кристалів германію методом заглибного обертового формоутворювача, що включає водоохолоджувальну камеру, тигель із вуглець-вуглецевого композиційного матеріалу, ущільненого піролітичним вуглецем, підставку під тигель, встановлений на штоку обертання, циліндричний нагрівач, коаксіально розташовані зовнішній й внутрішній теплові екрани, формоутворювач, жорстко закріплений на штоку обертання затравки,...

Номер патенту: 99900

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Агарков Костянтин Володимирович, Поздєєв Володимир Григорович, Крузіна Тетяна Володимирівна, Бочкова Тетяна Михайлівна

МПК: C30B 29/30, C30B 15/00, C30B 29/22 ...

Мітки: кристалів, спосіб, binbo4, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів BiNbO4, який включає приготування шихти із стехіометричної суміші оксидів, її плавлення при температурі ~1300 °С протягом 1-2 годин, який відрізняється тим, що вирощування кристалів здійснюють шляхом витягування з розплаву на затравку за методом Чохральського зі швидкістю 0,5-6 мм/год.

Номер патенту: 73734

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Кущовий Сергій Миколайович, Венгер Євген Федорович, Маслов Володимир Петрович, Матяш Ігор Євгенійович, Сердега Борис Кирилович, Порєв Володимир Андрійович

МПК: G01N 23/20

Мітки: якості, оптичному, вимірювання, сапфір, прозорих, кристалів, пристрій, контролю, діапазоні

Формула / Реферат:

Пристрій контролю якості кристалів, прозорих в оптичному діапазоні вимірювання, що містить напівпровідниковий лазер, фазові пластини, утримувач зразка, модулятор поляризації та фотоелектронний приймач, який відрізняється тим, що одна фазова пластина розташована безпосередньо перед зразком, який контролюється, а друга - після нього.

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Томашик Василь Миколайович, Сосницька Ольга Олександрівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Кравцова Анна Сергіївна, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Калитчук Сергій Михайлович, Стратійчук Ірина Борисівна

МПК: H01L 21/465, H01L 21/02

Мітки: спосіб, поверхні, формування, полірованої, селеніду, цинк, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...