Патенти з міткою «k2coxni1-x(so4)2.6h2o»
Спосіб вирощування монокристалів k2coxni1-x(so4)2.6h2o
Номер патенту: 66536
Опубліковано: 10.01.2012
Автори: Лондар Тарас Олександрович, Рихлюк Сергій Вікторович, Половинко Ігор Іванович, Коман Володимир Богданович
МПК: C30B 7/00
Мітки: k2coxni1-x(so4)2.6h2o, вирощування, монокристалів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів K2CoxNi1-x(SO4)2·6H2O, що включає випаровування вихідного розчину, який відрізняється тим, що вихідний розчин випаровують при кімнатній температурі упродовж 40-60 діб, причому складові розчину вибирають у такому співвідношенні компонентів (моль): K2SO4 - 1; СоСl2·6Н2О - 0-1; NiCl2·6H2O - 1-0.