Лондар Тарас Олександрович
Спосіб вирощування монокристалів k2coxni1-x(so4)2.6h2o
Номер патенту: 66536
Опубліковано: 10.01.2012
Автори: Половинко Ігор Іванович, Рихлюк Сергій Вікторович, Лондар Тарас Олександрович, Коман Володимир Богданович
МПК: C30B 7/00
Мітки: спосіб, k2coxni1-x(so4)2.6h2o, монокристалів, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів K2CoxNi1-x(SO4)2·6H2O, що включає випаровування вихідного розчину, який відрізняється тим, що вихідний розчин випаровують при кімнатній температурі упродовж 40-60 діб, причому складові розчину вибирають у такому співвідношенні компонентів (моль): K2SO4 - 1; СоСl2·6Н2О - 0-1; NiCl2·6H2O - 1-0.