Балицький Олексій Олександрович
Спосіб визначення форми поверхні частинок після сухого та водневого зношування системою комп’ютерного зору
Номер патенту: 108524
Опубліковано: 25.07.2016
Автори: Колеснікова Єлизавета Борисівна, Погорелов Олег Олексійович, Балицький Олексій Олександрович, Колесніков Валерій Олександрович, Гаврилюк Марія Романівна
МПК: G01N 3/56, G01N 15/10
Мітки: водневого, системою, зору, сухого, зношування, визначення, поверхні, комп'ютерного, частинок, форми, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб визначення форми поверхні частинок після сухого та водневого зношування за їх півтоновим зображенням для встановлення інтенсивності зношування деталей, що працюють в умовах ковзання та кочення, який відрізняється тим, що ідентифікація продуктів зношування відбувається завдяки системі комп'ютерного зору, призначеній для визначення форми частинок зношування за допомогою півтонового зображення, одержаного методами цифрової...
Шарувате інтеркальоване воднем тверде мастило
Номер патенту: 59115
Опубліковано: 10.05.2011
Автори: Еліаш Яцек, Вус Олег Богданович, Балицький Олексій Олександрович
МПК: C01B 17/00, C01B 19/00
Мітки: воднем, інтеркальоване, мастило, шарувате, тверде
Формула / Реферат:
Шарувате інтеркальоване воднем тверде мастило, що містить халькогенід (сульфід або селенід) металу, яке відрізняється тим, що мастило складається з напівпровідникового порошку на основі халькогеніду галію (GaSe), легованого свинцем (у кількості від 0,34 до 0,72 ат. %) і воднем (в межах від 200 до 350 ррm (млн.-1)).
Фотоелектрохімічний шаруватий інтеркальований воднем елемент для перетворення сонячної енергії
Номер патенту: 55785
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Балицький Олексій Олександрович, Грищенко Сергій Анатолійович
МПК: H01M 6/30
Мітки: сонячної, інтеркальований, елемент, енергії, воднем, фотоелектрохімічний, шаруватий, перетворення
Формула / Реферат:
Фотоелектрохімічний шаруватий інтеркальований воднем елемент для перетворення сонячної енергії, до складу якого входять електрод та фотоелектрод, що знаходяться в середовищі, який відрізняється тим, що напівпровідниковий фотоелектрод з накопиченням водню складається з шаруватого напівпровідника n-типу провідності (на основі GaSe, легованого Sn до 0,01 а.%, поверхня якого модифікована оксидом галію), що взаємодіє з платиновим електродом у...