C01B 19/00 — Селен; телур; їх з’єднання

Номер патенту: 120663

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Тинкевич Олена Олександрівна, Халавка Юрій Богданович, Окрепка Галина Михайлівна

МПК: C07C 395/00, C01B 19/00

Мітки: лужних, металів, синтезу, політелуридів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу політелуридів лужних металів в атмосфері аргону шляхом електрохімічного відновлення на електроді Те0 до Те2- іонів з наступною їх взаємодією з гідроксидами лужних металів до зміни забарвлення на фіолетове, який відрізняється тим, що в окремій електрохімічній комірці на телуровому електроді в 50 % охолодженій сульфатній кислоті при струмі 0,5-1 А отримують гідрогентелурид (Н2Те) відновленням телуру до Те2-, який...

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Рибалка Ірина Анатоліївна, Лалаянц Олександр Іванович, Звєрєва Віра Сергіївна, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00, C01G 9/00 ...

Мітки: отримання, селеніду, шихти, спосіб, цинку

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Номер патенту: 106139

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Гуранич Павло Павлович, Пісак Роман Петрович, Риган Михайло Юрійович, Гуранич Оксана Григорівна

МПК: C30B 11/02, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: спосіб, складу, матеріалу, tlgаsе2)x(tlgаs2)1-x, сегнетоелектричного, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x, який включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 К/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної...

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Барчій Ігор Євгенович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C01B 19/00, C01G 29/00, C01G 15/00 ...

Мітки: tlbise2, енергозберігаючого, твердофазного, бісмут, синтезу, термоелектрика, спосіб, перспективного, ііі, талій, диселеніду

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Номер патенту: 110744

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Копілевич Володимир Абрамович, Галімова Валентина Михайлівна, Суровцев Ігор Вікторович

МПК: G01N 33/18, C01B 19/00, G01N 27/48 ...

Мітки: спосіб, визначення, розчинах, хронопотенціометричний, водних, селену

Формула / Реферат:

Спосіб визначення селену електрохімічним методом у водних розчинах, що включає вимірювання на електроді при заданому потенціалі, який відрізняється тим, що визначення концентрації Se4+ у водних розчинах виконують методом інверсійної хронопотенціометрії після їх випаровування і мінералізації органічних речовин 66-70 % азотною кислотою та 30 % пероксидом водню з наступним встановленням концентрації селену методом добавок на фоні 2М НСl за...

Номер патенту: 102229

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Яворський Ростислав Святославович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00, C01B 19/00, C01G 30/00 ...

Мітки: отримання, високою, слюди, наноструктур, спосіб, snte:sb, термо-е.р.с

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі τ, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а товщина наноструктур становить...

Номер патенту: 102228

Опубліковано: 26.10.2015

Автор: Матківський Остап Миколайович

МПК: C01B 19/00, C01G 9/02, B82B 3/00 ...

Мітки: спосіб, отримання, термоелектричного, нановключеннями, композита

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного РbТе із нановключеннями ZnO, який полягає в тому, що високого класу чистоти компоненти свинець (Рb), телур (Те) завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, витримують при температурі, вищій від температури плавлення компонентів, здійснюють гомогенізуючий відпал, охолоджують на повітрі до кімнатної температури, а отриманий матеріал пресують з подальшим відпалом, який відрізняється тим, що до...

Номер патенту: 102227

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Матківський Остап Миколайович, Криницький Олександр Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C01G 21/00, B82B 3/00, C01B 19/00 ...

Мітки: pbte:zno, отримання, незначною, теплопровідністю, нанокомпозиту, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного РbТе із нановключеннями ZnO, який полягає в тому, що високого класу чистоти компоненти свинець (Рb), телур (Те) завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, витримують при температурі, вищій від температури плавлення компонентів, здійснюють гомогенізуючий відпал, охолоджують на повітрі до кімнатної температури, а отриманий матеріал пресують з подальшим відпалом, який відрізняється тим, що до...

Номер патенту: 102198

Опубліковано: 26.10.2015

Автор: Козьма Антон Антонович

МПК: C01G 19/00, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: термоелектричною, твердого, потужністю, матеріал, основі, розчину, tlbise2–tl4snse4, системі, підвищеною

Формула / Реферат:

Матеріал, що містить моноталій (І) монобісмут (III) диселенід TlBiSe2, який відрізняється тим, що містить у складі тетраталій (І) моностанум (IV) тетраселеніду Tl4SnSe4, а утворений у результаті їх взаємодії твердий розчин вихідного складу (TlBiSe2)0,995(Tl4SnSe4)0,005 має на ~ 50 % вищу термоелектричну потужність та потребує при синтезі в 3 рази менших енерговитрат і в 2 рази менших затрат часу.

Номер патенту: 101909

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01B 19/00, C01G 29/00, C01G 15/00 ...

Мітки: сплаву, добротності, snse2)0.55(tlbise2)0.45, покращення, термоелектричної, евтектичного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді, а його термоелектрична добротність внаслідок цього зростає на 35 %.

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Габорець Наталія Йосипівна, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: C01G 29/00, C01G 15/00, C01B 19/00 ...

Мітки: основі, евтектики, середньотемпературний, термоелектрик, ефективний, tl5.63bi0.70se3.67

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Номер патенту: 109002

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01B 19/00, C21D 1/60, C01G 15/00 ...

Мітки: основі, сполуки, термоелектричної, матеріалу, нонаталій(і)гексаселенобісмутиту, підвищення, спосіб, ефективності, tl9bise6

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(І)гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Номер патенту: 108182

Опубліковано: 25.03.2015

Автори: Стариков Вадим Володимирович, Софронова Олена Михайлівна, Софронов Дмитро Семенович

МПК: C01B 19/00

Мітки: селеніду, цинку, плівок, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок селеніду цинку, який включає розміщення кварцової або скляної підкладки в реакційному об'єму з 3-5 М розчином гідроксиду натрію або калію, додання еквівалентних співвідношень оксиду цинку і елементарного селену в концентрації 0,01-0,1 М, приливання двократного надлишку гідразину гідрату, нагрівання одержаної суміші до 80-100 °C та витримку протягом 60-30 хвилин відповідно, який відрізняється тим, що після приливання...

Номер патенту: 92850

Опубліковано: 10.09.2014

Автори: Курик Андрій Онуфрійович, Капуш Ольга Анатоліївна, Томашик Василь Миколайович, Мазарчук Ірина Опанасівна, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: C01G 11/00, C30B 28/00, C01B 19/00 ...

Мітки: нанокристалів, кадмію, телуриду, стабілізованих, розчині, синтезу, спосіб, колоїдному

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмію телуриду в колоїдному розчині протягом 2-9 хв. з прекурсорів кадмію, телуру та модифікатора - тіогліколевої кислоти в деіонізованій воді з концентрацією 4,6×10-2-1,15×10-1 моль/л, який відрізняється тим, що після закінчення процесів формування нанокристалів кадмію телуриду у деіонізованій воді в колоїдний розчин додатково додають 5 %-й розчин желатину та інгібітор...

Номер патенту: 92529

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: вихідного, альтернативний, tl9bise6)0,97(tl4snse4)0,03, термоелектрик, складу, основі, розчину, матеріал, твердого, середньотемпературний

Формула / Реферат:

Матеріал на основі твердого розчину вихідного складу (Tl9BiSe6)0,97(Tl4SnSe4)0,03 як альтернативний середньотемпературний термоелектрик.

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: сплаву, евтектичного, системі, ефективності, підвищення, спосіб, snse2-tlbise2, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Номер патенту: 89715

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Колбасов Геннадій Якович, Воробець Віра Стефанівна

МПК: C01B 13/00, G01N 27/26, C01B 19/00 ...

Мітки: вмісту, середовищах, селену, кисню, спільного, спосіб, рідких, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб спільного визначення вмісту кисню та селену (IV) в рідких середовищах за допомогою інверсійного електрохімічного методу на твердих електродах з використанням лимонної кислоти (рH=3÷4) та хлориду калію як електроліту, який відрізняється тим, що активний шар вимірювального електрода містить плівку нанодисперсного діоксиду титану, модифікованого іонами цинку та наночастинками золота, а компонентом електроліту є хлорна кислота з...

Номер патенту: 88968

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Курик Андрій Онуфрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Томашик Зінаїда Федорівна, Мазарчук Ірина Опанасівна, Тріщук Любомир Іванович, Томашик Василь Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Капуш Ольга Анатоліївна, Демчина Любомир Андрійович

МПК: C01B 19/00, C01B 17/20, C01G 11/00 ...

Мітки: синтезу, твердотільний, матриці, нанокристалів, кадмій, телуриду, вібраційностійких, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нанокристалів кадмій телуриду в твердотільній матриці, який включає колоїдний синтез стабілізованих тіогліколевою кислотою нанокристалів CdTe шляхом взаємодії прекурсорів в деіонізованій воді, полімеризацію матриці із синхронним інкорпоруванням в матрицю утворених нанокристалів, нанесення полімеру із інкорпорованими нанокристалами на підкладку та висушування утвореної плівки за відсутності освітлення, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 104963

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Походенко Віталій Дмитрович, Хазєєва Олександра Алмазівна, Посудієвський Олег Юлійович, Кошечко Вячеслав Григорович

МПК: C01B 19/00, C01G 39/00, C01B 17/20 ...

Мітки: одержання, перехідних, графеноподібних, наношарових, металів, спосіб, механохімічний, дихалькогенідів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання графеноподібних наношарових дихалькогенідів перехідних металів, який включає механохімічну обробку суміші мікрокристалів дихалькогеніду та хімічно інертного твердого розшарувальника у кульовому млині при кімнатній температурі при швидкості обертання 300-600 об./хв. протягом 0,5-3 год., видалення твердого хімічно інертного водорозчинного розшарувальника водою, сушіння одержаного наноструктурованого матеріалу при температурі...

Номер патенту: 104518

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Стариков Вадим Володимирович, Софронова Олена Михайлівна, Софронов Дмитро Семенович

МПК: C01B 19/00

Мітки: плівок, селеніду, спосіб, цинку, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання плівок селеніду цинку, який відрізняється тим, що кварцову або скляну підкладку поміщають в реакційний об'єм з 3-5М розчином гідроксиду натрію або калію, додають еквівалентні співвідношення оксиду цинку і елементарного селену в концентрації 0,01-0,1М, потім приливають двократний надлишок гідразин гідрату, одержану суміш нагрівають до 80-100 °C і витримують протягом 60-30 хвилин відповідно.

Номер патенту: 82970

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Астрелін Ігор Михайлович, Іваненко Ірина Миколаївна, Донцова Тетяна Анатоліївна

МПК: C01B 19/00

Мітки: оксиди, нанотрубки, багатошарові, спосіб, наногетероструктур, вуглецеві, синтезу, металів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу наногетероструктур "багатошарові вуглецеві нанотрубки - оксиди металів", що включає змішування попередньо очищених і окиснених багатошарових вуглецевих нанотрубок з розчинами солей металів (нікелю або купруму) під дією ультразвуку, додавання розчину аміаку, фільтрування, висушування і прожарювання, який відрізняється тим, що як прекурсори використовують нітрати Ni та Сu, а термічну обробку проводять за температури...

Номер патенту: 82328

Опубліковано: 25.07.2013

Автори: Ятчишин Йосип Йосипович, Шаповал Павло Йосифович, Кусьнеж Віктор Вацлавович, Гумінілович Руслана Ростиславівна, Ільчук Григорій Архипович

МПК: C01G 11/00, C01B 19/00

Мітки: кадмій, селеніду, одержання, плівок, тонких, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання тонких плівок кадмій селеніду, що включає його хімічне осадження на підкладку з розчину, що містить іони металу та іони селену у лужному середовищі, який відрізняється тим, що попередньо підкладку поміщають на нагріту термостатовану поверхню, а осадження здійснюють нанесенням на підкладку розчину, що містить іони металу та іони селену.

Номер патенту: 81513

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Пісак Роман Петрович, Риган Михайло Юрійович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00

Мітки: селеногалату, спосіб, талію, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу селеногалату талію, який включає розміщення елементарних компонентів в ампулу із кварцового скла, вакуумування та заварювання ампули, нагрівання компонентів та охолодження, який відрізняється тим, що компоненти розміщують в одному кінці горизонтально встановленої ампули, який розміщують в робочу зону печі, інший кінець ампули при цьому перебуває поза робочою зоною печі, вміст ампули нагрівають до температури 270-290 °C,...

Номер патенту: 80800

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Криницький Олександр Степанович, Галущак Мар'ян Олексійович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C01G 21/00, H01L 21/324, C01B 19/00 ...

Мітки: термоелектричного, отримання, n-pbte:sb, спосіб, стабільного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання стабільного термоелектричного n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що як вихідні компоненти використовують свинець (Рb), телур (Те) та сурму високого класу чистоти (99,999%), взяті у відповідних вагових співвідношеннях, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Номер патенту: 79434

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C01B 19/00, C21D 1/60, H01L 35/16 ...

Мітки: спосіб, матеріалу, підвищення, нонаталій, ефективності, гексаселенобісмутиту, основі, термоелектричної, сполуки, tl9bise6

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Номер патенту: 78466

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Криницький Олександр Степанович, Горічок Ігор Володимирович, Лисюк Юрій Васильович

МПК: C01B 19/00, H01L 21/00

Мітки: отримання, ефективного, матеріалу, n-pbte:sb, спосіб, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання ефективного термоелектричного матеріалу n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який...

Номер патенту: 98751

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Біляков Віктор Миколайович, Черненков Данило Віталійович, Нетак Борислав Борисович, Єрмаков Олексій Сергійович, Канібор Юрій Олександрович, Єрмаков Сергій Юрійович

МПК: C22B 9/04, C01B 19/00, C22B 9/02 ...

Мітки: вакуумної, дистиляції, пристрій, телуру, очищення, методом

Формула / Реферат:

1. Пристрій для очищення телуру методом вакуумної дистиляції, що містить вакуумну камеру із засобами відкачування повітря і нагрівниками, усередині якої розміщені резервуар для телуру, що очищують, конденсатор, встановлений над резервуаром, і фільтр, який відрізняється тим, що вакуумна камера обладнана принаймні двома завантажувальними камерами, з'єднаними з бічною поверхнею її верхньої частини за допомогою патрубків, і двома або більше...

Номер патенту: 69609

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Яремчук Галина Григорівна, Мирна Тетяна Альфредівна, Асаула Віталій Миколайович, Волков Сергій Васильович

МПК: C01B 19/00, B82B 1/00, C01G 11/00 ...

Мітки: спосіб, рідкокристалічних, наночастинками, одержання, напівпровідниковими, нанокомпозитних, матеріалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання рідкокристалічних нанокомпозитних матеріалів з наночастинками напівпровідникових селенідів металів, що включає взаємодію металовмісної органічної матриці та селенідного реагенту, який відрізняється тим, що нанокомпозити одержують на основі рідкокристалічної фази алканоатів металів, що містить монодисперсні (± 0,2 нм) напівпровідникові наночастинки CdSe з розміром 1,0-3,0 нм, в якому алканоат металу формули (СnН2n+1СОО)2М, де...

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/00, C01B 19/00, C01G 19/00 ...

Мітки: матеріал, евтектичного, термоелектричний, системі, композиту, snse2-bi2se3, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович

МПК: C01G 15/00, C01G 19/00, C01B 19/00 ...

Мітки: tl4snse4-tl9bise6, основі, матеріал, термоелектричний, евтектичного, композиту, системі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Номер патенту: 66382

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Черненков Данило Віталійович, Нетак Борислав Борисович, Єрмаков Олексій Сергійович, Єрмаков Сергій Юрійович, Біляков Віктор Миколайович, Канібор Юрій Олександрович

МПК: C01B 19/00

Мітки: пристрій, телуру, дистиляції, методом, вакуумної, очищення

Формула / Реферат:

1. Пристрій для очищення телуру методом вакуумної дистиляції, що містить вакуумну камеру із засобами відкачування повітря і нагрівниками, усередині якої розміщені резервуар для телуру, що очищують, конденсатор, встановлений над резервуаром, і фільтр, який відрізняється тим, що вакуумна камера обладнана принаймні двома завантажувальними камерами, з'єднаними з бічною поверхнею її верхньої частини за допомогою патрубків, і двома або більше...

Номер патенту: 59115

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Еліаш Яцек, Вус Олег Богданович, Балицький Олексій Олександрович

МПК: C01B 19/00, C01B 17/00

Мітки: тверде, інтеркальоване, воднем, шарувате, мастило

Формула / Реферат:

Шарувате інтеркальоване воднем тверде мастило, що містить халькогенід (сульфід або селенід) металу, яке відрізняється тим, що мастило складається з напівпровідникового порошку на основі халькогеніду галію (GaSe), легованого свинцем (у кількості від 0,34 до 0,72 ат. %) і воднем (в межах від 200 до 350 ррm (млн.-1)).

Номер патенту: 92213

Опубліковано: 11.10.2010

Автор: Хаасс Франк

МПК: C01B 19/00, C04B 35/515, H01L 35/12 ...

Мітки: матеріал, термоелектричний, застосування, генератор, напівпровідниковий, термоелектричного, містить

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий матеріал для термоелектричного застосування, що містить сполуку формули:Рb1-(х1+х2+...+хn)А1х1А2х2…АnхnТe1+z, де n - кількість відмінних від Рb та Те хімічних елементів, причому індекси незалежно один від одного мають наступні значення:1 ч. млн. £ х 1 ... хn £ 0,05,-0,05 £ z £ 0,05, таn ³ 2,А1 .... Аn відрізняються один від одного та...

Номер патенту: 91707

Опубліковано: 25.08.2010

Автори: Рубіш Василь Михайлович, Шпирко Григорій Миколайович, Гасинець Степан Михайлович, Риган Михайло Юрійович

МПК: C01B 19/00

Мітки: відходів, телуру, регенерації, двооксид, спосіб, містять

Формула / Реферат:

Спосіб регенерації відходів, які містять двоокис телуру, який включає введення оброблюваної речовини в контакт з відновником, який відрізняється тим, що як відновник використовують титан, а процес відновлення здійснюють при температурі 400-730 °С.

Номер патенту: 90517

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович, Гасинець Степан Михайлович

МПК: C01G 28/00, C22B 3/06, C01B 19/00 ...

Мітки: селенід, спосіб, відходів, містять, регенерації, миш'яку

Формула / Реферат:

Спосіб регенерації відходів, які містять селенід миш'яку, який відрізняється тим, що відходи обробляють азотною кислотою, після чого відділяють рідку фазу від твердого залишку, твердий залишок витримують в гарячій зоні градієнтної печі при температурі 350-400 °С, при цьому температура холодної зони градієнтної печі нижче 200 °С, а рідку фазу упарюють в контейнері при температурі 100-130 °С.

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00, C01G 9/00 ...

Мітки: цинку, активованих, селеніду, термообробки, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Трубаєва Ольга Геннадіївна, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лалаянц Олександр Іванович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Сілін Віталій Іванович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 29/00 ...

Мітки: термообробки, спосіб, цинку, селеніду, активованих, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 36475

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Запухляк Руслан Ігорович, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталія Іванівна

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: спосіб, телуриду, термоелектричного, свинцю, n-типу, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, двойодистий свинець, нікель і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...

Номер патенту: 30390

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C01B 19/00, H01L 21/00

Мітки: n-типу, основі, оптимізованих, сплавів, телуриду, термоелектричних, свинцю, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Номер патенту: 81588

Опубліковано: 10.01.2008

Автори: Куліков Леонід Мінейович, Кьоніг Наталія Борисівна

МПК: C01G 39/00, C01B 19/00, C01B 17/00 ...

Мітки: дихалькогенідів, порошків, одержання, спосіб, молібдену, нанокристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання нанокристалічних порошків дихалькогенідів молібдену, що включає їх синтез, який відрізняється тим, що синтез нанокристалічних порошків дихалькогенідів молібдену з шаруватими структурами типу 2Н виконують з порошків елементів молібдену та халькогену у стехіометричних співвідношеннях 1:2 при температурах 820-840 К з наступним відпалом одержаних нанокристалічних порошків з шаруватими структурами типу 2Н при температурах 820-1120...