Геллер Віталій Ізраїльович

Номер патенту: 22169

Опубліковано: 30.06.1998

Автори: Політанський Леонід Францович, Герасим Василь Васильович, Горда Євгеній Львович, Геллер Віталій Ізраїльович

МПК: H01L 21/04

Мітки: виготовлення, вих, спосіб, приладів, напівпровіднико, високовольтних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високовольтних напівпровідникових приладів, що включає формування високовольтного р-n переходу введенням домішки другого типу провідності у слаболеговану підкладку першого типу провідності, який відрізняється тим, що травленням товстої слабо-легованої підкладки під високовольтним р-n переходом утворюють мембрану, проводять іонне легування зворотного боку підкладки з витравленою мембраною іонами домішок першого типу...