H01G 4/30 — конденсатори стовпчикового (багатоярусного) типу
Високовольтний імпульсний конденсатор
Номер патенту: 94788
Опубліковано: 10.06.2011
Автори: Онищенко Лідія Іванівна, Перекупка Інна Андріївна, Дмитрішин Олексій Ярославович, Гребенников Ігор Юрійович, Танасова Олена Дмитрівна, Гунько Віктор Іванович
МПК: H01G 4/00, H01G 4/30, H01G 4/228 ...
Мітки: високовольтний, імпульсний, конденсатор
Формула / Реферат:
Високовольтний імпульсний конденсатор, що містить корпус з розміщеним у ньому пакетом конденсаторних секцій зі вставними струмовиводами у вигляді стрічки, ізолюючу кришку, плоскі струмопровідні шини Г-подібної форми, електрично з'єднані зі вставними струмовиводами крайніх секцій пакета конденсаторних секцій та високовольтні виводи конденсатора, що встановлені на горизонтальних поличках плоских струмопровідних шин, який відрізняється тим, що...
Електростатичний пристрій для створення тяги
Номер патенту: 82064
Опубліковано: 11.03.2008
Автор: Муленко Дмитро Анатолійович
МПК: F03H 5/00, B60K 17/30, B60L 9/00 ...
Мітки: пристрій, створення, тяги, електростатичний
Формула / Реферат:
1. Електростатичний пристрій для створення тяги, що містить джерело живлення, з’єднане з системою керування, корпус та розміщену на ньому робочу частину, що складається з діелектриків та електродів, який відрізняється тим, що робоча частина виконана зі з’єднаних між собою принаймні двох шарів діелектриків, що мають різну діелектричну проникність, а електроди розміщені у вигляді сітки на поверхні контакту цих діелектриків та з’єднані з...
Багатошаровий конденсатор тонкошарової конструкції і спосіб його виготовлення
Номер патенту: 41477
Опубліковано: 17.09.2001
Автори: Верзінг Вольфрам, Пріміг Роберт, Хьонлайн Вольфганг, Пітцер Дана, Бруххаус Райнер
МПК: H01G 4/30, H01G 4/33
Мітки: спосіб, конструкції, виготовлення, тонкошарової, багатошаровий, конденсатор
Формула / Реферат:
1. Багатошаровий конденсатор тонкошарової конструкції, на основі якого впереміж розміщені n+1 електродних шарів та п діелектричних керамічних шарів з максимальною товщиною шару 2 мкм з утворенням багатошарової структури, перший та другий контактні шари розташовані збоку багатошарової структури роздільно один від одного і перпендикулярно площинам, у яких розташовані електродні та діелектричні керамічні шари, електродні шари з'єднані впереміж...