Багатошаровий конденсатор тонкошарової конструкції і спосіб його виготовлення

Є ще 3 сторінки.

Дивитися все сторінки або завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Багатошаровий конденсатор тонкошарової конструкції, на основі якого впереміж розміщені n+1 електродних шарів та п діелектричних керамічних шарів з максимальною товщиною шару 2 мкм з утворенням багатошарової структури, перший та другий контактні шари розташовані збоку багатошарової структури роздільно один від одного і перпендикулярно площинам, у яких розташовані електродні та діелектричні керамічні шари, електродні шари з'єднані впереміж з першим або другим контактними шарами з утворенням електропровідного контакту, який відрізняється тим, що кількість діелектричних керамічних шарів п становить 1<n<100, перші електродні шари з'єднані з першим контактним шаром і виконані з електродного матеріалу, що відрізняється від матеріалу другого електродного шару. з'єднаного з другим контактним шаром, причому окислювальні потенціали двох електродних матеріалів також відрізняються.

2. Багатошаровий конденсатор за п.1, який відрізняється тим, що кожний з діелектричних керамічних шарів виготовлений з суцільного діелектричного матеріалу, причому різні діелектричні керамічні шари виготовлені, щонайменше, з двох різних діелектричних матеріалів.

3. Багатошаровий конденсатор за будь-яким з пунктів 1-2, який відрізняється тим, що діелектричні керамічні шари включають у себе фероелектричні шари.

4. Багатошаровий конденсатор за п.3, який відрізняється тим, що багатошарова структура включає у себе різні фероелектричні шари з різними температурними характеристиками, які при осередженому підборі обумовлюють потрібну температурну характеристику для всього багатошарового конденсатора в цілому.

5. Багатошаровий конденсатор за будь-яким з пунктів 1-4, який відрізняється тим, що містить діелектричні керамічні шари, кількість яких відповідає співвідношенню .

6. Спосіб виготовлення багатошарового конденсатора, у якому на основу наносять перший електродний шар, на перший електродний шар наносять перший діелектричний керамічний шар, на який наносять другий електродний шар, повторюють нанесення другого електродного шару на перший діелектричний керамічний шар, нанесений на перший електродний шар, до утворення потрібної кількості діелектричних шарів n, який відрізняється тим, що застосовують електродні шари, які впереміж складаються з першого та другого електродних матеріалів, в яких матеріал другого електродного шару відрізняється від матеріалу першого електродного шару, а діелектричні керамічні шари наносять в кількості, що задовольняє співвідношенню 1<n<100, з першої, що проходить перпендикулярно до площин, у яких розташовані шари, бокової поверхні багатошарової конструкції, побудованої на основі, селективне видаляють частину електродного матеріалу з нижчим окислювальним потенціалом, а заглиблення, що виникли внаслідок цього, заповнюють ізоляційним матеріалом, з .другої, відділеної від першої, бокової поверхні багатошарової структури селективне видаляють електродний матеріал з вищим окислювальним потенціалом, а заглиблення, що виникли внаслідок цього, заповнюють ізоляційним матеріалом, на обох бокових поверхнях після утворення згаданих заглиблень наносять контактні шари, які утворюють електропровідні контакти між електродними шарами, що складаються з однакових електродних матеріалів.

7. Спосіб за п.6, який відрізняється тим, що видалення електродного матеріалу з вищим окислювальним потенціалом здійснюють методом електрохімічного травлення, причому відповідні електродні шари, що були на попередньому етапі з'єднані електричне, з'єднують з анодом.

8. Спосіб за будь-яким з пп.6 або 7, який відрізняється тим, що видалення електродного матеріалу з нижчим електродним потенціалом здійснюють мокрим методом хімічного травлення.

9. Спосіб за будь-яким з пп.6 або 7, який відрізняється тим, що електродний матеріал осаджують на електродні шари з вищим окислювальним потенціалом в електролітичній ванні без застосування струму, а електродний матеріал з нижчим окислювальним потенціалом, який діє, як катод-донор, частково видаляють.

10. Спосіб за будь-яким з пп.6-9, який відрізняється тим, що на всю площу бокових поверхонь для заповнення заглиблень наносять ізоляційний шар, який видаляють паралельно до бокової поверхні методом фізико-хімічної обробки до відкриття відповідних електродних шарів, частина яких була видалена.

11. Спосіб за п.10, який відрізняється тим, що видалення ізоляційного матеріалу здійснюють методом хіміко-механічного полірування.

12. Спосіб за будь-яким з пп.6-11, який відрізняється тим, що застосовують основу з великою площею, після утворення потрібної кількості діелектричних керамічних шарів основу розділяють на смуги, причому, принаймні, два ряди конденсаторів укладають один на одний в напрямку утворення багатошарової структури, при цьому здійснюють селективне видалення частин електродного металу з нижчим окислювальним потенціалом з першої бокової поверхні багатошарової конструкції, побудованої на основі, заповнення ізоляційним матеріалом утвореного внаслідок цього заглиблення, селективного видалення електродного матеріалу з вищим окислювальним потенціалом з другої, віддаленої від першої, бокової поверхні багатошарової структури, одночасно виконують операції заповнення утвореного внаслідок цього заглиблення ізоляційним матеріалом та нанесення на обидві бокові поверхні після утворення згаданих заглиблень контактних шарів, що утворюють електропровідні контакти між електродними шарами, що складаються з однакових електродних матеріалів, для кількох рядів конденсаторів, які знову відділяють один від одного, а потім розділяють на окремі багатошарові конденсатори.

13. Спосіб за п.12, який відрізняється тим, що на поверхню основи для забезпечення розділення на ряди конденсаторів і окремі багатошарові конденсатори наносять відповідну сітку з канавок.

Текст

1. Багатошаровий конденсатор тонкошарової конструкції, на основі якого впереміж розміщені n+1 електродних шарів та n діелектричних керамічних шарів з максимальною товщиною шару 2 мкм з утворенням багатошарової структури, перший та другий контактні шари розташовані збоку багатошарової стр уктури роздільно один від одного і перпендикулярно площинам, у яких розташовані електродні та діелектричні керамічні шари, електродні шари з'єднані впереміж з першим або другим контактними шарами з утворенням електропровідного контакту, який відрізняється тим, що кількість діелектричних керамічних шарів n становить 1

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Multilayer capacitor with thin-layer structure and method of its production

Автори англійською

Brohhouse Reiner, Pitzer Dana, Primig Robert, Werzing Wolfram, Honline Wolphgang.

Назва патенту російською

Многослойный конденсатор тонкослойной конструкции и способ его изготовления

Автори російською

Бруххаус Райнер, Питцер Дана, Примиг Роберт, Верзинг Вольфрам, Хёнлайн Вольфганг

МПК / Мітки

МПК: H01G 4/33, H01G 4/30

Мітки: спосіб, конструкції, конденсатор, виготовлення, тонкошарової, багатошаровий

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/11-41477-bagatosharovijj-kondensator-tonkosharovo-konstrukci-i-sposib-jjogo-vigotovlennya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Багатошаровий конденсатор тонкошарової конструкції і спосіб його виготовлення</a>

Подібні патенти