Херманзендер Рудольф
Спосіб одержання високочистого вільного від галогенів о-фталальдегіду
Номер патенту: 87995
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Райтер Клаус, Гізельбрехт Карлхайнц, Херманзендер Рудольф
МПК: C07C 45/52, C07C 45/00
Мітки: високочистого, спосіб, галогенів, вільного, о-фталальдегіду, одержання
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання високочистого вільного від галогенів о-фталальдегіду, який відрізняється тим, що включає:a) гідроліз тетрагало-о-ксилолу при температурі 155-160 °С і тиску від 2 до 5 бар, що проводять в присутності каталізатора міжфазного переносу, до о-фталальдегіду, який b) перетворюють в кислому спиртовому розчині при температурі від 0 °С до температури кипіння із зворотним холодильником у відповідний діалкоксифталан і...