Постивей Наталя Сергіївна
Спосіб вирощування монокристалів fexga1-xbo3 із заданою концентрацією іонів fe і ga
Номер патенту: 73171
Опубліковано: 10.09.2012
Автори: Постивей Наталя Сергіївна, Ягупов Сергій Володимирович, Стругацький Марк Борисович
МПК: C30B 9/00
Мітки: заданою, fexga1-xbo3, вирощування, концентрацією, спосіб, монокристалів, іонів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів FexGa1-xBO3 із заданою концентрацією іонів Fe і Ga, що включає нагрівання шихти, що містить, Fe2O3, Ga2O3, В2О3, PBO, РbРr при постійному перемішуванні, витримку розчин-розплаву і його перемішування і охолоджування розчин-розплаву, який відрізняється тим, що компоненти беруть в співвідношенні, мас. %: (Fe2O3+Ga2O3) - 18,6; В2О3 - 42,4; PBO - 27,3; PbF2 - 11,7, нагрівають до 900-950 °C з...