Раренко Ганна Іларівна
Фототранзистор
Номер патенту: 111228
Опубліковано: 10.11.2016
Автори: Прядко Володимир Васильович, Раренко Ганна Іларівна, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Галочкин Олександр Вікторович, Романюк Ігор Степанович
МПК: H01L 33/00
Мітки: фототранзистор
Формула / Реферат:
Фототранзистор на основі напівпровідникового шару довжиною а, товщиною b та шириною с (a>c>>b), розміщений між обкладинками конденсатора, який відрізняється тим, що обкладинка конденсатора та діелектричний прошарок зі сторони випромінювання, яке реєструється, виконано з оптично-прозорих у заданому діапазоні довжин хвиль електропровідного та діелектричного матеріалів (Сr та SiC, відповідно), при цьому товщина напівпровідникового...