Галочкин Олександр Вікторович

Номер патенту: 111231

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Галочкин Олександр Вікторович, Романюк Ірина Ігорівна

МПК: H01L 29/872

Мітки: in2hg3te6, фотодіод, шотткі, основі

Формула / Реферат:

Фотодіод Шотткі, що містить поглинач оптичного випромінювання з n-In2Hg3Te6 та нанесений на нього фронтальний шар і омічні контакти до них, який відрізняється тим, що містить шар, додатково оброблений лазерним випромінюванням, причому фронтальний бар'єрний шар до підкладки n-In2Hg3Te6 виконаний з хрому.

Номер патенту: 111228

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Прядко Володимир Васильович, Раренко Ганна Іларівна, Галочкин Олександр Вікторович, Романюк Ігор Степанович

МПК: H01L 33/00

Мітки: фототранзистор

Формула / Реферат:

Фототранзистор на основі напівпровідникового шару довжиною а, товщиною b та шириною с (a>c>>b), розміщений між обкладинками конденсатора, який відрізняється тим, що обкладинка конденсатора та діелектричний прошарок зі сторони випромінювання, яке реєструється, виконано з оптично-прозорих у заданому діапазоні довжин хвиль електропровідного та діелектричного матеріалів (Сr та SiC, відповідно), при цьому товщина напівпровідникового...

Номер патенту: 105367

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Галочкин Олександр Вікторович, Захарук Зінаїда Іванівна, Колісник Михайло Георгієвич, Дремлюженко Сергій Григорович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 1/00, C30B 13/10, C30B 13/12 ...

Мітки: монокристалів, процес, отримання, in2hg3te6

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...

Номер патенту: 101635

Опубліковано: 25.09.2015

Автори: Галочкин Олександр Вікторович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Романюк Ігор Степанович, Ковальчук Мирослав Любомирович, Даналакий Олег Григорович, Спинь Уляна Романівна

МПК: H01L 35/00

Мітки: базі, обчислювальної, пристрій, термостатуючий, термоелектричний, техніки, елементної

Формула / Реферат:

Термоелектричний термостатуючий пристрій на основі теплорозсіюючого радіатора, термоелектричного модуля та двосекційної ємності з теплоакумулюючими матеріалами, який відрізняється тим, що розміщено додатковий кільцевий термоелектричний модуль, який розташовано між теплорозсіюючим радіатором та виступаючою перегородкою, що розділяє теплоакумулюючі матеріали.

Номер патенту: 97896

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Галочкин Олександр Вікторович, Даналакий Олег Григорович, Добровольський Юрій Георгійович, Романюк Ігор Степанович

МПК: H01L 35/10

Мітки: термостатуючий, комп'ютерних, процесорів, пристрій, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний термостатуючий пристрій, що містить як основу елемент Пельтьє та теплорозсіювальний радіатор, який відрізняється тим, що елемент Пельтьє виконано у вигляді прямокутного паралелепіпеда з поперемінно послідовно розташованих р- та n- гілок на основі термоелектричного матеріалу, між якими почергово розміщено металеві холодні та гарячі електротеплопроводи, причому гарячі електротеплопроводи у тепловому відношенні з'єднано з...