Шевстусєв Анатолій Петрович

Номер патенту: 11899

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Канцедал Валерій Петрович, Гончар Микола Іванович, Шевстусєв Анатолій Петрович, Габєлков Сергій Володимирович

МПК: H05H 1/00

Мітки: високочастотний, плазмотрон

Формула / Реферат:

Высокочастотный плазмотрон, содержащий диэлектрическую разрядную камеру с нешунтиру­ющим разряд цилиндрическим металлическим экраном, источник ВЧ-питания, систему газового и порошкового питания, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД при емкостном способе возбуждения разряда, экран выполнен в виде зер­кального покрытия в форме спирали или колец, размещенного на стенке разрядной камеры, индук­тивное сопротивление которой удовлетворяет...