Високочастотний плазмотрон
Номер патенту: 11899
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Шевстусєв Анатолій Петрович, Габєлков Сергій Володимирович, Гончар Микола Іванович, Канцедал Валерій Петрович
Формула / Реферат
Высокочастотный плазмотрон, содержащий диэлектрическую разрядную камеру с нешунтирующим разряд цилиндрическим металлическим экраном, источник ВЧ-питания, систему газового и порошкового питания, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД при емкостном способе возбуждения разряда, экран выполнен в виде зеркального покрытия в форме спирали или колец, размещенного на стенке разрядной камеры, индуктивное сопротивление которой удовлетворяет соотношению
где D - диаметр спирали, см;
n - число витков;
f - частота генератора, мГц;
В - продольный вдоль оси камеры размер спирали, см;
R - сопротивление шнура разряда, Ом.
Текст
Изобретение относится к генерированию плотной низкотемпературной плазмы и может быть использовано в плазмохимии и плазменной технологии. Целью изобретения является повышение КПД плазмотрона при емкостном способе возбуждения разряда. Высокочастотный плазмотрон содержит разрядную камеру, возбуждающее разряд устройство, систему газового, порошкового питания, проводящий экран, выполненный в виде зеркального покрытия на внутренней стенке камеры* При емкостном способе возбуждения разряда спираль выполнена по винтовой линии в виде цилиндрической спирали, индуктивное сопротивление'которой удовлетворяет соотношению 5R 4 0,Afil n'f/(2D+ +20В) ilOOR, где Т) - диаметр спирали, см; п - число витков; f - частота генератора, мГц; В - продольный вдоль оси камеры размер спирали, см; • R - сопротивление шнура разряда, Ом. Кроме того, зеркальная поверхность может быть получена в виде колец с зазорами. 1 ил. О СП СО 20-88 Г 1 400459 Увеличение К Щ ВЧ-плазмотрона с Г Изобретение относится к генерирозеркальным спиральным покрытием р а з ванию плотной низкотемпературной рядной камеры составило 10%. плазмы и может быть использовано в плазмохимии и плазменной технологии. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Целью изобретения является повышение КПД плазмотрона при емкостном Высокочастотный плазмотрон, содерспособе возбуждения разряда. жащий диэлектрическую разрядную камеНа чертеже показан предлагаемый плазмотрон. 10 ру с нешунтирующим разряд цилиндрическим металлическим экраном, источПлазмотрон содержит камеру I , и з ник ВЧ-питания, систему газового и готовпенную из кварцевого стекла и порошкового питания, о т л и ч а ю охлаждаемую потоком сжатого газа щ и й с я тем, что, с целью повыше(воздуха) ; Подача плазмообраэукчцего П газа осуществляется через патрубок 2, 15 ния К Д при емкостном способе возбуждения разряда, экран выполнен в виде ВЧ-мощность подается на водоохлаждаезеркального покрытия в форме спирали мый индуктор 3. Вдоль оси камеры возили колец, размещенного на стенке буждается ВЧ-раэряд 4 . Зеркальное по-разрядной камеры, индуктивное сопрокрытие 5 из серебра нанесено с з а з о тивление которой удовлетворяет соотром 6 (просветом) на внешнюю поверх20 ношению ность с те нки к аме ры. Частота генератора 150 Мгц, мощность факела разряда изменяется кало5R , \J * —ти U 11 J20В риметром, давление газа (аргона) при работающем плазмотроне ^ 2 , 5 атм. 25 где D - диаметр спирали, см; п - число витков; Изменяя количество витков спирали f - частота генератора, мГц; п, обнаружено, что при индуктивном сопротивлении более I00R и менее 5R (R 1000 Ом), конструкция работает неВ - продольный вдоль оси камеры стабильно, так как отрицательное размер спирали, см; 30 влияние оказывают межвитковые пробои R - сопротивление шнура разряда, и шунтирование тока разряда. Ом. ВИКИПИ Заказ 479/ДСП Тираж 341 Подписное Проиэв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная,
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюHigh-frequncy plasmotron
Автори англійськоюHonchar Mykola Ivanovych, Kantsedal Valerii Petrovych, Shevstuiev Anatolii Petrovych, Habelkov Serhii Volodymyrovych
Назва патенту російськоюВысокочастотный плазмотрон
Автори російськоюГончар Николай Иванович, Канцедал Валерий Петрович, Шевстусев Анатолий Петрович, Габелков Сергей Владимирович
МПК / Мітки
МПК: H05H 1/00
Мітки: плазмотрон, високочастотний
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-11899-visokochastotnijj-plazmotron.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Високочастотний плазмотрон</a>
Попередній патент: Пристрій для проведення бужа у стравохід
Наступний патент: Виймально-доставлююча машина
Випадковий патент: Фіксатор для остеосинтезу