Скороход Анатолій Григорович

Спосіб лікування псоріазу

Завантаження...

Номер патенту: 74997

Опубліковано: 15.02.2006

Автор: Скороход Анатолій Григорович

МПК: A61K 36/28, A61K 36/605, A61K 36/76 ...

Мітки: лікування, спосіб, псоріазу

Формула / Реферат:

Спосіб лікування псоріазу шляхом перорального прийому речовин рослинного походження, який відрізняється тим, що на фоні дієти перорально приймають відвар, який містить ліщину звичайну, шовковицю, тополю тремтячу або білу у наступних співвідношеннях мас.г.: ліщина звичайна 15-30 тополя тремтяча або біла 15-30 шовковиця 60 .

Спосіб виготовлення оксидно-напівпровідникових конденсаторів

Завантаження...

Номер патенту: 46960

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Козацька Лідія Сергійовна, Скороход Анатолій Григорович, Филимонов Володимир Миколайович

МПК: H01G 9/042

Мітки: спосіб, виготовлення, конденсаторів, оксидно-напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення оксидно-напівпровідникових конденсаторів, що включає нанесення катодного напівпровідникового шару шляхом насичення попередньо оксидованого об’ємнопористого анода, який відрізняється тим, що оксидований об’ємнопористий анод розміщують між двома об’ємнопористими діелектричними прокладками, покритими об’ємнопористою металевою фольгою, скручують конденсаторні циліндричні секції, проводять термовакуумне сушіння секцій і відразу...

Імпульсний нагромаджувальний конденсатор високої енергоємності

Завантаження...

Номер патенту: 46959

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Филимонов Володимир Миколайович, Халетов Микола Мустафіевич, Козацька Лідія Сергійовна, Скороход Анатолій Григорович

МПК: H01G 9/042

Мітки: нагромаджувальний, конденсатор, високої, енергоємності, імпульсний

Формула / Реферат:

Імпульсний нагромаджувальний конденсатор високої енергоємності, що включає два об’ємнопористих електроди, ізольовані один від одного пористим діелектричним матеріалом, згорнуті у циліндричний рулон, упакований в герметичний корпус, який відрізняється тим, що один з об’ємнопористих електродів – анод, попередньо оксидований діелектричним шаром, а насичувальною речовиною є рідинний електронний напівпровідник  - сегнетоелектрик.