Патенти з міткою «оксидно-напівпровідникових»

Номер патенту: 46960

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Филимонов Володимир Миколайович, Козацька Лідія Сергійовна, Скороход Анатолій Григорович

МПК: H01G 9/042

Мітки: конденсаторів, оксидно-напівпровідникових, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення оксидно-напівпровідникових конденсаторів, що включає нанесення катодного напівпровідникового шару шляхом насичення попередньо оксидованого об’ємнопористого анода, який відрізняється тим, що оксидований об’ємнопористий анод розміщують між двома об’ємнопористими діелектричними прокладками, покритими об’ємнопористою металевою фольгою, скручують конденсаторні циліндричні секції, проводять термовакуумне сушіння секцій і відразу...

Номер патенту: 16653

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Чернишев Леонід Іванович, Косторнов Анатолій Григорович, Орлова Тамара Йосипівна, Скоморохов Володимир Костянтинович, Зверик Микола Єфимович, Лунін Леонід Євгенович, Гордієнко Григорій Федорович

МПК: B22F 1/00, H01G 9/04

Мітки: спосіб, електролітичних, оксидно-напівпровідникових, конденсаторів, об'ємно-пористих, анодів, виготовлення

Формула / Реферат:

Способ изготовления объемно-пористых ано­дов электролитических и оксидно-полупроводниковых конденсаторов, преимущественно ниобиевых, включающий приготовление смеси порошка вен­тильного металла со связующим и порообразователем, прессование, спекание, отличающийся тем, что, с целью увеличения емкости и снижения тока утечки конденсаторов, в качестве связующего ис­пользуют 2~5%-ный раствор поливинилбутираля в этиловом спирте, причем связующее...

Номер патенту: 13141

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Каган Володимир Яковлевич, Пахтман Марк Абрамович

МПК: H01G 9/21, H01G 13/04

Мітки: оксидно-напівпровідникових, спосіб, виготовлення, конденсаторів

Формула / Реферат:

(57)1. Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов, включающий электрохимическое оксидирование бъемно-пористых анодов из вентильних металлов, нанесение внутренних полупроводниковых слоев путем пропитки анодов в нитрате марганца и внешних полупроводниковых слоев - в суспензии из нитрата марганца с добавкой с последующих термическим разложением пропитывающих растворов на основе нитрата марганца, нанесение переходных и проводящих...