Тимошенко Вікторія Вікторівна

Номер патенту: 99217

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Олійник Нонна Олександрівна, Базалій Галина Андріївна, Тимошенко Вікторія Вікторівна, Зайцева Ірина Миколаївна, Пюра Галина Григорівна, Ільницька Галина Дмитриївна

МПК: C01B 31/06

Мітки: синтетичних, видобування, спосіб, алмазів

Формула / Реферат:

1. Спосіб видобування синтетичних алмазів, який включає подрібнення вихідного продукту синтезу, розчинення металевої складової, дезінтеграцію, гравітаційне збагачення, хімічну обробку концентрату з отриманням синтетичних алмазів, який відрізняється тим, що дезінтеграцію матеріалу у рідинному середовищі проводять ультразвуковими хвилями, які генерують з частотою 20,0-35,0 кГц при сумарній енергії 60,0-770,0 кДж/л виділеної у одиниці об'єму...

Номер патенту: 96472

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Демишок Тетяна Іванівна, Тимошенко Вікторія Вікторівна, Ільницька Галина Дмитриївна, Антоненко Людмила Петрівна

МПК: C01B 31/06

Мітки: отримання, фільтрувального, матеріалу, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання фільтрувального матеріалу, що виготовляють на основі нетканого матеріалу у вигляді композиції - целюлоза:еслон:куралон у співвідношенні 85:10:5, який відрізняється тим, що до суміші компонентів як добавку додають нанопорошок алмазу у кількості 1,5-2,0 % від маси суміші.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що нанопорошок алмазу додають у вигляді водної суспензії з концентрацією 0,20-0,50 %.

Номер патенту: 96471

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Ільницька Галина Дмитриївна, Тимошенко Вікторія Вікторівна

МПК: C01B 31/06

Мітки: спосіб, поверхні, нанопорошків, очистки, алмазу

Формула / Реферат:

1. Спосіб очистки нанопорошків алмазу, що включає хімічне видалення металів та їх сполук з вихідного вуглецевого матеріалу кислотною обробкою при нагріванні неалмазних форм вуглецю з застосуванням окислювача, відмивання матеріалу від продуктів кислотної обробки, сушіння, який відрізняється тим, що отриманий порошок алмазу піддають графітизації в атмосфері аргону при температурі 800-1000 °C протягом 7-10 хвилин.2. Спосіб за п. 1,...