Турба Микола Миколайович
Спосіб виготовлення фотоелектричного модуля
Номер патенту: 47602
Опубліковано: 10.02.2010
Автори: Турба Микола Миколайович, Зубко Євгенія Іванівна, Швець Євген Якович
МПК: H01L 43/08
Мітки: виготовлення, фотоелектричного, модуля, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотоелектричного модуля, який включає набір в формі шаруватої структури системи скомутованих між собою фотоелектричних перетворювачів, нанесення на неї з обох боків герметизувальних матеріалів, який відрізняється тим, що на кожний скомутований фотоелектричний перетворювач наносять бар'єрний шар з аморфної полімерної плівки ПЕТФ темно-фіолетового кольору, потім на систему фотоелектричних перетворювачів наносять тришарову...
Гнучкий гібридний тонкоплівковий гетерогенний фотоелектричний перетворювач
Номер патенту: 46237
Опубліковано: 10.12.2009
Автори: Швець Євген Якович, Зубко Євгенія Іванівна, Турба Микола Миколайович
МПК: H01L 31/18
Мітки: гнучкий, перетворювач, гібридний, гетерогенний, тонкоплівковий, фотоелектричний
Формула / Реферат:
Гнучкий гібридний тонкоплівковий гетерогенний фотоелектричний перетворювач, що складається з підкладки, на тильній стороні якої виконано металевий контакт з міді, поверх міді - активний шар фталоціаніну міді з активним шаром фулеренів (С60), поверх фулеренів (С60) - прозорий верхній електрод з оксиду цинку, легованого алюмінієм, який відрізняється тим, що як підкладку використано пластину орієнтованого кристалічного поліетилентерефталату...
Твердотілий гетерогенний сонячний елемент
Номер патенту: 40076
Опубліковано: 25.03.2009
Автори: Головко Ольга Петрівна, Швець Євген Якович, Зубко Євгенія Іванівна, Михайлін Вадим Миколайович, Турба Микола Миколайович
МПК: H01L 31/00
Мітки: елемент, сонячний, твердотілий, гетерогенний
Формула / Реферат:
1 Твердотілий гетерогенний сонячний елемент, що складається з пластини неорганічного напівпровідника, на тильній стороні якої виконано металевий контакт з міді, на другій стороні - активний шар фталоціаніну міді з прозорим верхнім електродом, який відрізняється тим, що як неорганічний напівпровідник використано напівпровідниковий арсенід галію (GaAs) з пористою наноструктурою контактного шару, як верхній електрод - прозора плівка з оксиду...