Швець Євген Якович

Пристрій відліку координат верстатів з числовим програмним управлінням (чпу)

Завантаження...

Номер патенту: 106486

Опубліковано: 25.04.2016

Автори: Юдачов Андрій Валерійович, Шило Анна Сергійовна, Швець Євген Якович

МПК: G05B 19/18

Мітки: верстатів, чпу, відліку, координат, пристрій, числовим, програмним, управлінням

Формула / Реферат:

Пристрій відліку координат верстатів з числовим програмним управлінням (ЧПУ), який відрізняється тим, що містить металеву лінійку з матеріалу з мінімальним коефіцієнтом лінійного розширення, яка має циліндричні отвори і закріплена між елементами відкритої оптопари, що розташована на станині верстата з ЧПУ.

Акселерометр

Завантаження...

Номер патенту: 105772

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Юдачов Андрій Валерійович, Швець Євген Якович

МПК: G01P 15/00

Мітки: акселерометр

Формула / Реферат:

Акселерометр, що містить інертну масу та перетворювач вібрації, який відрізняється тим, що інертна маса виконана як скляний куб з металевим напиленням на його гранях і розташована між трьома вихорострумовими диференційними перетворювачами.

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів

Завантаження...

Номер патенту: 95429

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Швець Євген Якович, Юдачов Андрій Валерійович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: напівпровідникових, пристрій, силових, температури, приладів, кристала, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій контролю температури кристала силових напівпровідникових приладів, що містить комірки напівпровідникового датчика температури, який відрізняється тим, що комірки розташовані безпосередньо на кристалі силового напівпровідникового приладу.

Спосіб виготовлення омічного контакту до gaas

Завантаження...

Номер патенту: 84122

Опубліковано: 10.10.2013

Автори: Дмитрієва Любов Борисівна, Дмитрієв Вадим Сергійович, Швець Євген Якович

МПК: H01L 21/28

Мітки: спосіб, виготовлення, омічного, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічного контакту до GaAs, що включає отримання методом вакуумного випаровування омічних контактів зі сплаву Ag-Ge-In до епітаксійного n-GaAs з високолегованою підкладкою, який відрізняється тим, що пластину GaAs заздалегідь послідовно знежирюють в суміші толуолу і метилового спирту (1:2), хімічно полірують в суміші 3H2SO4-1H2О3-1Н2О, послідовно промивають в гарячій і холодній дистильованій і деіонізованій воді, у...

Газочутливий сенсор

Завантаження...

Номер патенту: 74835

Опубліковано: 12.11.2012

Автори: Швець Євген Якович, Зубко Євгенія Іванівна

МПК: H01L 43/00

Мітки: сенсор, газочутливий

Формула / Реферат:

Газочутливий сенсор, що містить поліровану пластину монокристалічного кремнію n-типу провідності, на тильній поверхні якої шляхом електролітичного травлення з фотошаблоном за умов освітлення утворені пористі шари кремнію, який відрізняється тим, що поверх пористих шарів кремнію на тильній стороні сформовано контактну наноструктуровану сітку з міді з розмірами до 600 нм і контакт з міді по торцю пористого кремнію, а на фронтальній стороні...

Система розпилення пального

Завантаження...

Номер патенту: 70003

Опубліковано: 25.05.2012

Автори: Буланов Ігор Олександрович, Юдачов Андрій Валерійович, Швець Євген Якович

МПК: F02B 53/04

Мітки: розпилення, пального, система

Формула / Реферат:

Система розпилювання пального, що містить камеру з впускними і випускними отворами, в середині якої розташований поплавець з запірною голкою, яка відрізняється тим, що вона додатково містить п'єзоелемент, вмонтований в дно камери і над яким розташований відбивач.

Вихрострумовий перетворювач

Завантаження...

Номер патенту: 60043

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Швець Євген Якович, Юдачов Андрій Валерійович

МПК: H04R 1/00

Мітки: вихрострумовий, перетворювач

Формула / Реферат:

Вихрострумовий перетворювач, що містить котушку, який відрізняється тим, що у котушці розташовано феромагнітне осердя з полюсними концентраторами.

Твердотілий сонячний елемент

Завантаження...

Номер патенту: 52025

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Головко Юрій Вікторович, Швець Євген Якович, Зубко Євгенія Іванівна

МПК: H01L 31/18

Мітки: твердотілий, сонячний, елемент

Формула / Реферат:

Твердотілий сонячний елемент, що складається з пластини монокристалічного кремнію, на тильну поверхню якої нанесений р+-шар, легований бором, на фронтальну поверхню – n+-шар, легований фосфором, поверх якого створений шар SnO2 і сформована контактна сітка з алюмінію, який відрізняється тим, що фронтальна сторона пластини монокристалічного кремнію n+-шар має пірамідальний рельєф заввишки 20-40 нм і шар SnO2, легований F, а тильна сторона...

Вихорострумовий перетворювач

Завантаження...

Номер патенту: 49738

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Юдачов Андрій Валерійович, Швець Євген Якович

МПК: G01N 27/00

Мітки: перетворювач, вихорострумовий

Формула / Реферат:

Вихорострумовий перетворювач накладного типу, що включає котушку, який відрізняється тим, що котушка містить феромагнітне осердя у вигляді двох П-подібних частин, які розташовані назустріч одна одній і одним боком з'єднані одна з одною, другий бік кожної частини осердя виконано як полюсний наконечник.

Спосіб виготовлення фотоелектричного модуля

Завантаження...

Номер патенту: 47602

Опубліковано: 10.02.2010

Автори: Швець Євген Якович, Зубко Євгенія Іванівна, Турба Микола Миколайович

МПК: H01L 43/08

Мітки: спосіб, модуля, виготовлення, фотоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотоелектричного модуля, який включає набір в формі шаруватої структури системи скомутованих між собою фотоелектричних перетворювачів, нанесення на неї з обох боків герметизувальних матеріалів, який відрізняється тим, що на кожний скомутований фотоелектричний перетворювач наносять бар'єрний шар з аморфної полімерної плівки ПЕТФ темно-фіолетового кольору, потім на систему фотоелектричних перетворювачів наносять тришарову...

Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 46274

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Кравчина Віталій Вікторович, Кравчина Акім Віталійович, Швець Євген Якович, Гомольський Дмитро Михайлович

МПК: H01L 21/306, H01L 21/225

Мітки: виготовлення, силових, охоронним, кільцем, напівпровідникових, приладів, дифузійним, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем, що включає підготовку шліфованих пластин, проведення процесів дифузії легуючих домішок р- та n-типу провідності, локальне травлення, локальну дифузію, формування легованого бором та алюмінієм глибокого р+-р-шару, окислення, формування шару з охоронним дифузійним кільцем, вилучення окислу, формування ізоляції, формування фаски за допомогою механічної та...

Гнучкий гібридний тонкоплівковий гетерогенний фотоелектричний перетворювач

Завантаження...

Номер патенту: 46237

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Зубко Євгенія Іванівна, Турба Микола Миколайович, Швець Євген Якович

МПК: H01L 31/18

Мітки: фотоелектричний, гетерогенний, гібридний, перетворювач, гнучкий, тонкоплівковий

Формула / Реферат:

Гнучкий гібридний тонкоплівковий гетерогенний фотоелектричний перетворювач, що складається з підкладки, на тильній стороні якої виконано металевий контакт з міді, поверх міді - активний шар фталоціаніну міді з активним шаром фулеренів (С60), поверх фулеренів (С60) - прозорий верхній електрод з оксиду цинку, легованого алюмінієм, який відрізняється тим, що як підкладку використано пластину орієнтованого кристалічного поліетилентерефталату...

Твердотілий гетерогенний сонячний елемент

Завантаження...

Номер патенту: 40076

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Зубко Євгенія Іванівна, Головко Ольга Петрівна, Михайлін Вадим Миколайович, Турба Микола Миколайович, Швець Євген Якович

МПК: H01L 31/00

Мітки: твердотілий, гетерогенний, елемент, сонячний

Формула / Реферат:

1 Твердотілий гетерогенний сонячний елемент, що складається з пластини неорганічного напівпровідника, на тильній стороні якої виконано металевий контакт з міді, на другій стороні - активний шар фталоціаніну міді з прозорим верхнім електродом, який відрізняється тим, що як неорганічний напівпровідник використано напівпровідниковий арсенід галію (GaAs) з пористою наноструктурою контактного шару, як верхній електрод - прозора плівка з оксиду...

Датчик витрати ультрафільтрату при гемодіалізі

Завантаження...

Номер патенту: 39835

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Швець Євген Якович, Юдачов Андрій Валерійович

МПК: A61F 9/00

Мітки: витрати, датчик, ультрафільтрату, гемодіалізі

Формула / Реферат:

Датчик витрати ультрафільтрату при гемодіалізі, що містить дві проточні камери, який відрізняється тим, що камери розміщені в єдиному корпусі, на бічних поверхнях камер вмонтовані електроди, а на верхній і нижній поверхнях корпусу встановлені пластини з феромагнітного матеріалу і корпус розташований в межах дії джерела магнітного поля.

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 35367

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Воляр Роман Миколайович, Пожуєв Володимир Іванович, Єгоров Сергій Геннадійович, Швець Євген Якович, Головко Юрій Вікторович

МПК: C30B 15/00

Мітки: вирощування, кремнію, монокристалів, розплаву, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву, що включає введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала, відрив монокристала від розплаву, охолодження монокристала, який відрізняється тим, що товщину розплаву під фронтом кристалізації монокристала підтримують рівною 0,3...0,5 радіусу...

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 34160

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Пожуєв Володимир Іванович, Головко Юрій Вікторович, Воляр Роман Миколайович, Єгоров Сергій Геннадійович, Швець Євген Якович

МПК: C30B 15/00

Мітки: кремнію, розплаву, вирощування, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського в середовищі інертного газу, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, щознаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра і вирощування циліндрової частини монокристала, який відрізняється тим, що при довжині...

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву

Завантаження...

Номер патенту: 23104

Опубліковано: 10.05.2007

Автори: Червоний Іван Федорович, Карась Микола Іванович, Єгоров Сергій Геннадійович, Комаринський Олексій Миколайович, Воляр Роман Миколайович, Швець Євген Якович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кремнію, вирощування, розплаву, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів кремнію з розплаву за методом Чохральського, що включає вирощування монокристалів кремнію з розплаву кремнію, який знаходиться в кварцовому тиглі, шляхом введення кремнієвої монокристалічної затравки в розплав кремнію, вирощування "шийки", розрощування монокристала до заданого діаметра, вирощування циліндричної частини монокристала і "протилежного конуса", відривання монокристала від...

Інтегральний датчик

Завантаження...

Номер патенту: 14563

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Небеснюк Оксана Юріївна, Ніконова Зоя Андріївна, Швець Євген Якович, Ніконова Аліна Олександрівна, Літвіненко Марина Олександрівна

МПК: G01R 27/26

Мітки: датчик, інтегральній

Формула / Реферат:

Інтегральний датчик, що включає прозорий корпус з точковими електродами, підключеними до джерела живлення, який відрізняється тим, що корпус виконаний у вигляді контактного скла без роговичної частини з чотирма точеними срібними електродами, розміщеними діаметрально-перпендикулярно і підключеними попарно до джерела живлення.

Апарат для розвитку бінокулярного зору

Завантаження...

Номер патенту: 12715

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Багаєв Роман Андрійович, Поправка Олег Миколайович, Юдачов Андрій Валерійович, Червоний Іван Федорович, Верьовкін Леонід Леонідович, Сидоренко Микола Григорович, Швець Євген Якович, Посунько Олександр Павлович

МПК: A61F 9/00

Мітки: апарат, розвитку, зору, бінокулярного

Формула / Реферат:

Апарат для розвитку бінокулярного зору, що містить встановлені перед очима пацієнта "скельця Багаліні" і на відстані від очей-об'єкт загальної фіксації, який відрізняється тим, що додатково містить червоний і зелений світлофільтри, які встановлені перед очима пацієнта, і непрозорий екран, в якому розміщені зелений і червоний світлодіоди у вигляді хреста, в центрі якого розташовано об’єкт загальної фіксації, і довжина хвиль...

Апарат для розвитку бінокулярного зору

Завантаження...

Номер патенту: 10699

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Червоний Іван Федорович, Юдачов Андрій Валерійович, Багаєв Роман Андрійович, Сидоренко Микола Григорович, Посунько Олександр Павлович, Швець Євген Якович, Верьовкін Леонід Леонідович, Поправка Олег Миколайович

МПК: A61F 9/00

Мітки: бінокулярного, зору, апарат, розвитку

Формула / Реферат:

Апарат для розвитку бінокулярного зору, що включає встановлені перед одним оком пацієнта призматичний компенсатор і на відстані від очей об'єкт загальної фіксації, який відрізняється тим, що між очима пацієнта і призматичним компенсатором встановлені червоний і зелений світлофільтри, об'єкт загальної фіксації виконаний у вигляді отвору в непрозорому екрані і за ним послідовно розташовані непрозорий диск з червоним і зеленим додатковими...

Апарат для лікування амбліопії “плеофор”

Завантаження...

Номер патенту: 6122

Опубліковано: 15.04.2005

Автори: Верьовкін Леонід Леонідович, Сидоренко Микола Григорович, Поправка Олег Миколайович, Червоний Іван Федорович, Швець Євген Якович, Багаєв Роман Андрійович, Посунько Олександр Павлович

МПК: A61F 9/00

Мітки: амбліопії, плеофор, лікування, апарат

Формула / Реферат:

Апарат для лікування амбліопії, що містить непрозорий диск, який обертається за допомогою електродвигуна, і оптотипи, що розташовані за диском, електричну лампу, що розміщена між непрозорим диском і оптотипами і направлена на оптотипи, який відрізняється тим, що перед непрозорим диском встановлено прозорий екран, в непрозорому диску виконано отвори, розташовані по спіралі, причому центр першого отвору знаходиться від краю диска на відстані...